Guía Completa de la Memoria

Actualizar

La actualización mantiene los datos almacenados en DRAM. El proceso de actualización de celdas eléctricas de un componente DRAM es similar a recargar las baterías. Distintos componentes DRAM requieren distintos métodos de actualización.

Almacenamiento

Un dispositivo que mantiene datos, tal como el disco duro o el CD-ROM.

Ancho de banda

La cantidad de datos que se mueven en líneas electrónicas, tales como un bus, por segundo. Generalmente, el ancho de banda se mide en bits por segundo, bytes por segundo o ciclos por segundo (Hertzios).

ANSI

(Instituto Norteamericano de Normas Nacionales) La organización estadounidense responsable de establecer las normas de tecnología de la información.

ASCII

(Código de normas norteamericanas para el intercambio de información) Un método de codificar texto en forma de valores binarios. El sistema del código ASCII contiene 256 combinaciones de números binarios de 7 y 8 bits para representar cualquier tecla que se oprima.

ATA Flash card

(o tarjeta ATA Flash) Una tarjeta PC dedicada a almacenar datos en dispositivos portátiles. ATA Flash Cards son similares a las unidades de discos duros.

Auto-actualización

Una tecnología de memoria que permite que DRAM se actualice a sí misma y que sea independiente del CPU o de un conjunto externo de circuitos de actualización. La tecnología de auto-actualización se construye en el chip DRAM mismo y reduce dramáticamente el consumo de energía. Las computadoras portátiles utilizan esta tecnología.

Banco

Véase banco de memoria.

Banco de memoria

Una unidad lógica de memoria en una computadora, cuyo tamaño determina el CPU. Por ejemplo, un CPU a 32 bits requiere bancos de memoria que proporcionen 32 bits de memoria a la vez. Un banco puede consistir en uno o más módulos de memoria.

Banco doble

Módulo de memoria que tiene dos bancos.

Banco sencillo

Un módulo que sólo tiene un banco o fila.

BGA

(Estructura de rejilla de bola) Un empaque de chips que tiene esferas soldadas en la parte inferior para el montaje. BGA permite realizar una reducción en el tamaño de empaque del colorante, la mejor disipación de calor y mayores densidades del módulo.

Binario

Un sistema de numeración que utiliza combinaciones de 0 y 1 para representar datos. Tambi én se conoce como Base 2.

BIOS

(Sistema básico de entrada/salida) Rutina de inicio que prepara la computadora para la operación.

Bit

La unidad más pequeña de información que procesa la computadora. Un bit es 1 ó 0.

Búfer

Un área de espera para datos compartidos por los dispositivos que operan a distintas velocidades o tienen distintas prioridades. Un búfer permite que un dispositivo opere sin retrasos que impongan otros dispositivos.

Bus

Una ruta de datos en la computadora, la cual consiste de diversos cables en paralelo a los que están conectados el CPU, la memoria y todos los dispositivos de entrada/salida.

Bus de memoria

El bus que va del CPU a las ranuras de expansión de memoria. Bus frontal (FSB) La ruta de datos que va del CPU a la memoria principal (RAM).

Bus frontal

(FSB) La ruta de datos que va del CPU a la memoria principal (RAM).

Bus independiente doble

(DIB) Una arquitectura de bus desarrollada por Intel que ofrece un ancho de banda más grande con acceso a dos buses distintos (frontal y posterior) al procesador. Las computadoras Pentium II tiene DIB.

Bus local

VESA (VL - Bus) Un bus local a 32bits que va del CPU a los dispositivos periféricos a una velocidad de 40MHz.

Bus posterior

(BSB) La ruta de datos que va del CPU a la memoria caché L2.

Byte

Ocho bits de información. El byte es la unidad fundamental del procesamiento de la computadora; casi todas las especificaciones y medidas del desempeño de la computadora se dan en bytes o múltiplos. Véase kilobytes y megabytes.

Caché de expulsión entubado

Memoria caché que reduce en estados en espera y acelera el acceso a la memoria utilizando funciones de tubería y explosión.

Caché de nivel I

(L1) También conocido como caché primario, Caché L1 es una pequeña cantidad de memoria de alta velocidad que reside sobre o muy cerca del procesador. Caché L1 suministra al procesador los datos e instrucciones solicitados con más frecuencia.

Caché de nivel 2

(L2) También conocida como caché secundaria, Caché L2 es una pequeña cantidad de memoria de alta velocidad que se encuentra cerca del CPU y generalmente en la tarjeta madre. La Caché L2 suministra al procesador los datos e instrucciones solicitados con más frecuencia. Dependiendo de la tarjeta madre, la caché de Nivel 2 se puede actualizar.

Canal Rambus

La ruta de datos de los sistemas Rambus. Debido a que la anchura de los datos es estrecha (dos bytes), los módulos Rambus transfieren datos a una velocidad de hasta 800MHz.

CAS

(Estroboscopio de dirección de columnas) Una señal de chips de memoria que asegura la dirección de la columna a una ubicación en particular en la matriz fila - columna.

ccNUMA

(Acceso de memoria coherente de caché, no uniforme) Una arquitectura flexible que utiliza componentes de bajo costo modulares y ofrece potencial de escalabilidad multidimencional a servidores de extremo alto.

Chip Kill

Una tecnología IBM que verifica errores, la cuál protege al sistema de una falla individual del chip de memoria, así como de errores de múltiples bits en cualquier parte del chip de memoria.

Ciclo de bus

Una transacción sencilla entre la memoria principal y el CPU.

CompactFlash

Un factor de forma pequeño y ligero para tarjetas de almacenamiento desmontables.

Las tarjetas

CompactFlash son durables, operan a bajos voltajes y retienen datos cuando está apagada la energía. Sus usos incluyen cámaras digitales, teléfonos celulares, impresoras, computadoras portátiles, localizadores y grabadoras de audio.

Compuesto o entubado

Un término de Apple Computer, Inc. para el módulo de memoria que utilizaban en la tecnología anterior y que contenía más chips, pero que eran de baja densidad.

Conector RIMM

Un soque de memoria Direct Rambus.

Conjunto de chips

Microchips que dan soporte al CPU. Generalmente, el conjunto de chips contiene varios controladores que gobiernan la forma en que viaja la información entre el procesador y otros componentes.

CPU

(Unidad de procesamiento central) El chip de computadora que tiene la responsabilidad primaria de interpretar comandos y ejecutar programas. El CPU también se conoce como el procesador o microprocesador.

DDR SDRAM

( Memoria de acceso directo dinámico sincrónico de velocidad de doble datos) La última generación de tecnología SDRAM. Los datos se leen tanto en el extremo ascendente como en el descendente del reloj de la computadora, generando así un ancho de banda doble del SDRAM estándar. Con SDRAM DDR, la velocidad de la memoria se duplica sin aumentar la frecuencia del reloj.

Depósito de calor

Un componente, generalmente de una aleación de zinc, que disipa el calor. Los CPU requieren depósitos de calor. Detección de Un chip EEPROM que contiene información sobre el tamaño y la velocidad, así como presencia serial otras especificaciones e información del fabricante de un módulo de memoria.

Detección de presencia serial

Un chip EEPROM que contiene información sobre el tamaño y la velocidad, así como otras especificaciones e información del fabricante de un módulo de memoria.

DIMM

(Módulo de memoria en línea dual) El conjunto de tarjetas de circuitos impresos con contactos de oro y dispositivos de memoria. Un DIMM es similar a un SIMM, pero con una diferencia principal: a diferencia de las guías de metal a cada lado de un SIMM, que se "unen" eléctricamente, las guías a cada lado del DIMM son independientes eléctricamente.

DIP

(Empaque en línea dual) Un empaque de componente de DRAM. Los DIP se pueden instalar en sockets o soldar en forma permanente en orificios en el conjunto de tarjetas de circuitos impresos. El empaque de bits fue extremadamente popular cuando se instalaba la memoria directamente en la tarjeta madre.

Dispersor de calor

Una cubierta, generalmente de aluminio, que tapa un dispositivo electrónico y disipa calor.

DRAM

(Memoria dinámica de acceso aleatoria) La forma más común de RAM. DRAM puede mantener datos sólo durante un corto tiempo. Para retener datos, DRAM debe actualizarse periódicamente. Si las celdas no se actualizan, los datos desaparecen.

ECC

(Código de corrección de errores) Un método para verificar la integridad de los datos en DRAM. ECC proporciona una detección de errores más elaborada que la paridad; ECC puede detectar errores de bits múltiples y puede localizar y corregir errores de bits sencillos.

EDO

(Datos ampliados hacia fuera) Una tecnología de DRAM que hace más corto el ciclo de lectura entre la memoria y el CPU. Las computadoras que lo soportan, la memoria EDO permiten que un CPU tenga acceso a la memoria en 10 ó 20% más rápido en comparación con la memoria en modo de localización rápida.

EDRAM

(DRAM mejorada) La memoria de DRAM Enhanced Memory Sistems, Inc. que contiene una pequeña cantidad de SDRAM.

EEPROM

(Memoria de sólo lectura programable y borrable en forma eléctrica) Un chip de memoria que retiene el contenido de datos después de haber quitado la energía.

EEPROM

se puede borrar y volver a programar dentro de la computadora o en forma externa.

EISA

(ISA ampliado) Una arquitectura de bus que amplió el Bus ISA de 16bits a 32bits. EISA opera a 8MHz y tiene una velocidad de transferencia de datos pico de 33MB por segundo. EISA se introdujo en 1988 como una alternativa abierta al bus de Canal micro propiedad de IBM.

Entubado

Una técnica en la que la memoria carga los contenidos en la memoria solicitados en una pequeña memoria caché compuesta de SRAM e inmediatamente comienza a buscar el siguiente contenido de memoria. Esto crea una tubería en dos etapas, en la que los datos se leen o se escriben en SRAM en una etapa y los datos se leen o se escriben en la memoria en otra etapa.

EOS

(ECC o SIMM) Una tecnología de verificación de integridad de datos de IBM que describe la verificación de integridad de datos de ECC en un SIMM.

EPROM

(Memoria de sólo lectura programable y borrable) Un chip programable y que se puede volver a usar que detiene su contenido hasta que se borra bajo luz ultravioleta. Un equipo especial borra y reprograma los EPROM.

ESDRAM

(DRAM sincrónicamente mejorada) Un tipo de SDRAM desarrollada por SDRAM Enhanced Memory Systems, Inc. reemplaza la SDRAM incrustada en sistemas integrados y ofrece una velocidad comparable, pero con menos consumo de energía y menor costo.

Esquema de bancos

Un método de diagrama de configuraciones de memoria. El esquema de bancos consiste en filas y/o columnas que representan sockets de memoria en una tarjeta de computadora. Las filas indican sockets independientes; las columnas indican bancos.

Estado en espera

Un periodo inactivo para el procesador. Los estados en espera son el resultado de distintas velocidades de reloj del procesador y la memoria, en los cuales la memoria generalmente es más lenta.

Factor de forma

El tamaño, configuración y otras especificaciones utilizadas para describir el hardware. Ejemplos de factores de memoria son: SIMM, DIMM, RIMM, 30 pines, 70 pines y 168 pines.

Gigabyte

Aproximadamente 1,000 millones de bytes o exactamente 1byte x 1,0243 (1,073, 741, 824) bytes.

Gigabit

Aproximadamente 1,000 millones de bits o exactamente 1bit x 1,0243 (1,073, 741, 824) bits.

Hub del controlador de memoria

(MCH) La interfaz entre el procesador, el puerto de gráfico acelerado y RDRAM en la tarjeta madre que utilizan conjuntos de chips de 820 u 840 de Intel.

Hub traductor de memoria

(MTH) la interfaz que permite que se soporte la memoria SDRAM en un Canal Direct Rambus para las tarjetas madre que utilizan conjuntos de chip de 820 de Intel.

IC

(Circuito integrado) Un circuito electrónico en un chip semiconductor. El circuito incluye componentes y conectores. Generalmente, un chip semiconductor se moldea en una caja de plástico cerámica y tiene pines de conector externas.

Intercambio

Utilizando parte de la unidad de disco duro, como memoria cuando RAM está llena. Véase Memoria Virtual.

Inter-estratificación

Técnicas para incrementar la velocidad de la memoria. Por ejemplo, con bancos de memoria por separado para direcciones pares y nones, el siguiente byte de memoria se puede acceder mientras se actualiza el byte actual.

JEDEC

(Joint Electron Device Engineering Council) Un organismo de la Alianza de Industrias Electrónicas (CIA) que establece las normas de ingeniería de semiconductores.

Kilo bit

Aproximadamente mil bits o exactamente 1 bit x 210 (1,024) bits.

Kilo byte

Aproximadamente mil bytes o exactamente 1 byte x 210 (1,024) bytes.

Latencia CAS

La proporción entre el tiempo de acceso de las columnas y el tiempo de ciclo de reloj. La Latencia 2 (CL2) ofrece un ligero aumento de rendimiento sobre la Latencia CAS (CL3).

Linear Flash Card

Una tarjeta PC dedicada a almacenar códigos en ruteadores, computadoras portátiles, PDAs, cámaras digitales y otros dispositivos digitales.

Medio byte

La mitad de un byte de 8bits, ó 4bits

Megabit

Aproximadamente un millón de bits o exactamente 1bit x 1,0242 (1,048,576) bits.

Megabyte

Aproximadamente un millón de bytes o exactamente 1bit x 1,0242 (1,048,576) bytes.

Memoria caché

Una pequeña cantidad (normalmente menos de 1MB) de memoria de alta velocidad que reside dentro o cerca del CPU. La memoria caché proporciona al procesador los datos e instrucciones solicitados con más frecuencia. La memoria caché de Nivel 1 (caché primario) es la más cercana al procesador. La caché de Nivel 2 (caché secundaria) es la segunda caché más cercana al procesador y generalmente se encuentra en la tarjeta madre.

Memoria

La memoria de acceso aleatorio de una computadora. La memoria mantiene temporalmente datos e instrucciones para el CPU. Véase RAM.

Memoria con búfer

Un módulo de memoria que contiene búfers. Los búfers vuelven a impulsar las señales a través de los chips de memoria y permiten que el módulo incluya más chips de memoria. No se pueden mezclar la memoria con búfer y sin búfer. El diseño del controlador de memoria de la computadora establece si la memoria debe contener búfer o no.

Memoria de Acceso aleatoro de ventana

(WRAM) Memoria de dos puertos de Samsung Eletronics (dos puertos de datos por separado) que normalmente está en una tarjeta de video o de gráficos. WRAM tiene un ancho de banda 25% más grande que VRAM, pero cuesta menos.

Memoria de canal virtual

(VCM) VCM es una arquitectura de memoria desarrollada por NEC. VCM permite que diferentes bloques de memoria, cada uno con su propio búfer, hagan interfaz en forma separada con el controlador. De esta forma, las tareas del sistema pueden tener asignado en sus propios canales virtuales. La información relacionada con una función no comparte el espacio de búfer con otras tareas que se ejecutan en forma simultánea, haciendo de esta forma que la operación sea mucho más eficiente en general.

Memoria de marca

Personalización de memoria diseñada para una computadora en específico.

Memoria de tarjeta de crédito

Un tipo de memoria que normalmente es para computadoras portátiles. La memoria de tarjeta de crédito es del tamaño de una tarjeta de crédito.

Memoria flash

Una memoria en estado sólido, no volátil y reescribible que funciona como una combinación de RAM y disco duro. La memoria flash es durable, opera a bajos voltajes y retiene datos cuando está apagada la energía. Las tarjetas de memoria flash se utilizan en cámaras digitales, teléfonos celulares, impresoras, computadoras portátiles, localizadores y grabadores de audio.

Memoria registrada

La memoria SDRAM que contiene registros directamente en el módulo. Los registros vuelven a impulsar las señales a través de los chips de memoria y permiten que el módulo se construya con más chips de memoria. La memoria registrada y sin búfer no se pueden mezclar. El diseño del controlador de la memoria de la computadora establece el tipo de memoria que requiere la computadora.

Memoria virtual

Memoria simulada. Cuando RAM está lleno, la computadora intercambia datos con el disco duro en ambos sentidos cuando es necesario. Véase Intercambio.

Memorias sin búfer

Memoria que no contiene búfers o registros localizados en el módulo. En lugar de esto, estos dispositivos se localizan en la tarjeta madre.

Micro BGA

(BGA) La técnica de empaque de chips BGA Tessera, Inc. permiten la reducción en el tamaño de empaque, disipación de calor mejorada y mayores densidades del módulo.

Miniature card (Tarjeta Miniatura)

Una tarjeta de memoria Linear Flash pequeña, de bajo costo, diseñado para aumentar la memoria, almacenar datos de voz/imagen, almacenar y recuperar voz/Email. La Miniature Card es usada en palmtops, cámaras digitales, MP3 players, teléfonos inteligentes y otros dispositivos digitales.

Modo de explosión

Transmisión a alta velocidad de un bloque de datos (una serie de direcciones consecutivas) cuando el procesador solicita una dirección sencilla.

Modo de localización rápido

Una forma temprana de DRAM. La ventaja de modo de localización rápido sobre tecnologías anteriores de memoria del modo de localización fue el acceso más rápido a los datos en la misma fila.

MMC (multimedia card)

Una tarjeta de memoria flash en tamaño miniatura capaz de almacenar gran cantidad de datos multimedia (ej. música, imágenes, dialecto, video, texto, etc.). Tarjetas MMC con frecuencia son usadas en MP3 players, PDAs y otros dispositivos electrónicos portátiles.

Nano segundo

(ns) Una mil millonésima parte de un segundo (1/1,000,000,000). Los tiempos de acceso de los datos de memoria se encuentra en nona segundos. Por ejemplo, los tiempos de acceso de memoria para los módulos SIMM típicos de 32 y 72 pines varían de 60 a 100 nano segundos.

No compuesto o "non-composite"

Un término de Apple Computer, Inc. para un módulo de memoria que utilizaba una nueva tecnología y contenía menos chips, pero de más alta densidad. Los módulos no compuestos eran más confiables y más caros que los módulos compuestos.

Paquete a escala de chips

(CSP) Empaque delgado de chips mediante en el cual las conexiones eléctricas normalmente se hacen a través de una estructura de rejilla de esfera. El empaque de escala de chips se utiliza en la memoria RDRAM y memoria flash.

Paridad

Verificación de integridad de datos que agrega un bit sencillo en cada byte de datos. El bit de paridad se utiliza para detectar errores en los datos de 8bits.

Paridad impar

Verificación de integridad de datos en la que el bit de paridad verifica un número impar de 1s.

Paridad par

Un tipo de verificación de integridad de datos mediante la cual el bit de paridad verifica que haya un número par de 1.

PCB

(Conjunto de tarjetas de circuitos impresos) Tarjetas generalmente planas y de capas múltiples hechas de fibra de vidrio con rastros eléctricos. La superficie y las subcapas utilizan rastros de cobre para proporcionar conexiones eléctricas para chip y otros componentes. Los ejemplos de PCB incluyen: tarjetas madre, SIMM y memorias para tarjetas de crédito.

PCI

(Interconexión de componentes periféricos) Un bus periférico que puede enviar 32 ó 64bits de datos en forma simultánea. PCI ofrece capacidad de plug-and-play.

Puerto acelerado de gráficos

(AGP) Una interfaz desarrollada por Intel que permite hacer gráficos a alta velocidad. Los datos de gráficos se mueven entre el controlador de gráficos de la PC y la memoria de la computadora en forma directa, en lugar de quedarse en la memoria de video caché.

RAM

(Memoria de acceso aleatorio) Una configuración de celdas de memoria que mantiene datos para el procesamiento en una unidad central de procesamiento (CPU). Aleatorio significa que el CPU puede recuperar datos de cualquier dirección dentro de RAM. También véase Memoria.

Ram de ciclo rápido

(FCRAM) FCRAM es una tecnología de memoria que está desarrollando actualmente Toshiba y Fujitsu. FCRAM no tiene el objetivo de utilizarse como memoria principal para PC sino que se utilizará en aplicaciones de especialidad, como servidores de extremo alto, impresoras y sistemas de conmutación de telecomunicaciones.

RAM EDO de explosión

(BEDO) La memoria EDO que puede procesar cuatro direcciones de memoria en una explosión. El rango develocidades de bus es de 50MHz a 66MHz (en comparación con los 33MHz para EDO y 25MHz para modo de localización rápida).

Ram estática

(SRAM) Un chip de memoria que requiere que la energía retenga el contenido. SRAM es más rápida que DRAM, pero es más cara y ocupa más espacio. Un uso típico para SRAM es la memoria caché.

Rambus

(1) Rambus, Inc. desarrolla y da licencias de tecnología de diseño de circuitos y lógica de memoria y alto desempeño y proporciona diseño de productos, disposición e información de prueba a los dueños de licencias. (2) Direct Rambus es una terminología de memoria de alta velocidad que utiliza un bus estrecho a 16bits (canal de Rambus) para transmitir datos a velocidades de hasta 800MHz. Véase Canal Rambus.

Rambus concurrente

La segunda generación de la tecnología Rambus. Rambus concurrente se ha utilizado en computadoras con base de gráficos televisores digitales y aplicaciones de video juegos (tal como Nintendo 64, a partir de 1997).

Rambus de base

La primera generación de la tecnología Rambus se distribuyó por primera vez en 1995.

Rambus directo

La tercera generación de tecnología Rambus, que ofrece una arquitectura de DRAM para PC de alto desempeño. Las transferencias de datos a velocidades de hasta 800MHz en un canal estrecho de 16bits, comparado con el SDRAM actual, que opera a 100MHz en un bus de 64bits de ancho.

RAS

Una señal de chip de memoria que asegura la dirección de la fila de una ubicación en particular en una matriz de fila-columna.

RIMM de continuidad

(C-RIMM) Un módulo de memoria Rambus directo (Direct Rambus) que no contiene chips de memoria. C-RIMM proporciona un canal continuo para la señal. En un sistema Direct Rambus, los conectores externos se deben llenar con C-RIMMs.

RIMM^®

El nombre de marca para el módulo de la memoria Direct Rambus. Un RIMM se adapta al factor de forma del DIMM y transfiere 16bits de datos en el momento.

SDRAM

(DRAM sincrónica) Una tecnología DRAM que utiliza un reloj para sincronizar la entrada y la salida de señal en un chip de memoria. El reloj se coordina con el reloj del CPU para que la temporización de los chips de memoria la temporización del CPU estén en sincronía. La DRAM sincrónica ahorra tiempo al ejecutar comandos y transmitir datos, incrementando así el desempeño general de la computadora. SDRAM permite que el CPU tenga acceso a la memoria aproximadamente un 25% más rápido que la memoria EDO.

SD (Secure Digital) Card

Una tarjeta de memoria flash de alta seguridad en tamaño miniatura con alta capacidad, creado por Matsushita Electric (Panasonic), SanDisk y Toshiba. Provee almacenamiento de datos y acceso I/O en una variedad de dispositivos electrónicos.

SGRAM

(Memoria de acceso aleatorio de gráficos sincrónicos) Memoria de video que incluye características de lectura/escritura específica de gráficos. SGRAM permite que los datos se recuperen y modifiquen en bloques en lugar de hacerlo individualmente. El hacerlo en bloques reduce el número de lecturas y escrituras que debe realizar una memoria e incrementa el desempeño del controlador de gráficos.

SIMM

(Módulo de memoria de línea única) Una tarjeta de circuitos impresos que tiene dispositivos de memoria y contactos de oro o estaño/plomo. Un SIMM se conecta a un socket de expansión de memoria y de la computadora. Los SIMM ofrecen dos ventajas principales: Son fáciles de instalar y tienen un consumo mínimo de superficie de la tarjeta. Un SIMM montado verticalmente sólo requiere una fracción del espacio que requiere un DRAM montado horizontalmente. Un SIMM puede tener desde 30 y hasta 200 pines. En un SIMM, las guías de metal a cada lado de la tarjeta están unidas eléctricamente.

SLDRAM

(Synclink) Un caso obsoleto hoy en día, SLDRAM tenía una tecnología de memoria principal desarrollada por un grupo de doce fabricantes de DRAM como una alternativa a la tecnología Direct Rambus.

Smart card o tarjeta inteligente

Un dispositivo electrónico similar a una tarjeta de crédito que se puede almacenar y programar mejorando al mismo tiempo la seguridad. Las aplicaciones incluyen identificación, tránsito masivo y bancos.

SmartMedia

(SSFDC) Una tarjeta de memoria flash muy delgada utilizada para almacenar datos en cámaras digitales, PDAs, grabadoras de audio digital y otros dispositivos portátiles.

SO DIMM

(Módulo de memoria en línea dual de diseño pequeño) Una versión mejorada de un DIMM estándar. Un DIMM de diseño pequeño de 72 pines tiene aproximadamente la mitad de la longitud de un SIMM de 72 pines.

SO RIMM

El nombre con marca registrada para un módulo de memoria Direct Rambus en computadoras portátiles. SO RIMM proporciona un ancho de banda de memoria comparable a las configuraciones de memoria de las computadoras de escritorio.

Socket de SIMM

Un componente de tarjeta madre que mantiene un solo SIMM.

SOJ

(Guía J de diseño pequeño) Una forma común de empaque DRAM montado en superficie. Un SOJ es un empaque rectangular con guías en forma de J en dos lados largos. SSFDC Véase SmartMedia

s TSOP (Thin, Small-Outline Package)

Una clase de empaque de chip similar a TSOP, pero la mitad del tamaño. Su diseño compacto permite a diseñadores de módulos añadir más chips de memoria en el mismo espacio.

Tarjeta del sistema

Véase tarjeta madre.

Tarjeta lógica

Véase tarjeta madre.

Tarjeta madre

Tambi én conocida como la tarjeta lógica, tarjeta principal o tarjeta de la computadora, la tarjeta madre es la tarjeta principal de la computadora y en la mayoría de los casos mantiene a todo el CPU, la memoria y/o las funciones de E/S o tiene ranuras de expansión para ellas.

Tarjeta para PC

(PCMCIA Asociación Internacional de Tarjetas de Memoria de Computadoras Personales) Una norma que permite la intercambiabilidad de distintos componentes de computadora en el mismo conector. La norma PCMCIA soporta dispositivos de entrada-salida, incluyendo la memoria, el fax/módem, el puerto SCSI y los productos para redes.

Tecnología de línea de transmisión

Una tecnología que soporta el bus inverso en los sistemas Direct Rambus. La información se pone en tubos rápidamente en paquetes simultáneos. El controlador de memoria vuelve a ensamblar los paquetes para la transferencia del bus frontal y la comunicación con el procesador.

Tiempo de acceso

El tiempo promedio (en nano segundos) para que RAM complete un acceso. El tiempo de acceso se compone del tiempo y la latencia del inicio de la dirección (el tiempo que toma en iniciar una solicitud de datos y preparar el acceso).

TSOP

(Empaque de diseño pequeño delgado) Un empaque DRAM que utiliza guías en forma de alas de pelícano a ambos lados. TSOP DRAM se monta directamente en la superficie de un conjunto de tarjetas de circuitos impresos. El paquete TSOP tiene un tercio de espesor del SOJ. Generalmente, los componentes TSOP se encuentran en un DIMM de diseño pequeño y memorias en tarjeta de crédito.

Velocidad de actualización

El número de filas de componentes de DRAM que se debe actualizar. Las tres velocidades comunes de actualización son de 2K, 4K y 8K.

VRAM

(Memoria de acceso aleatorio de video) Memoria de dos puertos (dos puertos de datos por separado) que se encuentra normalmente en una tarjeta de video o de gráficos. Un puerto se dedica al CRT y actualiza la imagen. El segundo puerto es para el CPU o el controlador de gráficos y cambia los datos de imagen en memoria.