Visão Geral - DDR4

om DDR3 atingindo seus limites em um mundo que exige melhores desempenhos e maior largura de banda, a nova geração de DDR SDRAM já chegou. A DDR4 oferece melhor desempenho, maiores capacidades DIMM, maior integridade de dados e menor consumo de energia.

Alcançando mais de 2Gbps por pino e consumindo menos energia do que a DDR3L (DDR3 Baixa Voltagem), a DDR4 proporciona até 50 por cento de aumento no desempenho e na largura de banda e, ao mesmo tempo, reduz o consumo de energia de todo o seu ambiente de computação. Isso representa uma melhora significativa em relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até 40 por cento.

Além do desempenho otimizado, computação de baixo custo e mais ecológica, a memória DDR4 também oferece verificações de redundâncias cíclicas (CRC) para maior confiabilidade dos dados, detecção de paridade no chip para verificação da integridade de ‘transferências de comando e de endereço a partir de um link, maior integridade do sinal e outros recursos RAS robustos.

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Visão geral da Tecnologia
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Detalhes da DDR4

Observe que há diferenças sutis entre os módulos DDR3 e DDR4.

Diferença no encaixe da chave

O encaixe da chave do módulo DDR4 está em um local diferente do encaixe da chave do módulo DDR3. Ambos os encaixes estão localizados na borda de inserção, mas o local do encaixe no módulo DDR4 é ligeiramente diferente, para evitar que o módulo seja instalado em uma placa ou plataforma incompatível.

Maior espessura

Os módulos DDR4 tem uma espessura ligeiramente maior do que os DDR3, para acomodar mais camadas de sinal.

Borda curva

Os módulos DDR4 apresentam uma borda curva para ajudar na inserção e aliviar o estresse no circuito impresso durante a instalação da memória.

Visão geral das Especificações
Descrição DDR3 DDR4 Vantagem
Densidades do Chip 512Mb-8Gb 4Gb-16Gb Maiores Capacidades DIMM
Taxas de Dados 800Mb/s – 2133Mb/s 1600Mb/s – 3200Mb/s Migração para I/O de maior velocidade
Voltagem 1,5V 1,2V Demanda Reduzida de Energia da Memória
Padrão de Baixa Voltagem Sim (DDR3L a 1,35V) Prevista a 1,1V Reduções da Energia da Memória
Bancos internos 8 16 Mais Bancos
Grupos de Bancos (BG) 0 4 Acessos sequenciais mais rápidos
Entradas VREF 2 – DQs e CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR VREFDQ Agora Interno
tCK – DLL Ativado 300MHz – 800MHz 667MHz – 1,6GHz Taxas de Dados mais altas
tCK – DLL Desativado 10MHz – 125MHz (opcional) Indefinido para 125MHz DLL-off agora totalmente compatível
Latência de Leitura AL + CL AL + CL Valores Expandidos
Latência de Gravação AL + CWL AL + CWL Valores Expandidos
Driver DQ (ALT) 40 Ω 48 Ω Perfeito para aplicações PtP
Barramento DQ SSTL15 POD12 Menos ruído e energia de I/O
RTT Values (em Ω) 120, 60, 40, 30, 20 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 Suporte para Taxas de Dados mais altas
RTT Não permitido Sequências de LEITURA Desativa durante sequências de leitura Facilidade de uso
Modos ODT Nominal, Dinâmico Nominal, Dinâmico, Estático Modo Adicional de Controle; Mudança de Valor OTF
Controle ODT Sinalização ODT Obrigatória Sinalização ODT NÃO Obrigatória Facilidade do Controle ODT; Permite Roteamento Não-ODT, Aplicações PtP
Registro de Múltiplas Finalidades Quatro Registros – 1 Definido, 3 RFU Quatro Registros – 3 Definidos, 1 RFU Fornece Leitura Especializada Adicional
Tipos de DIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
Pinos DIMM 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS ECC CRC, Paridade, Endereçamento, GDM Mais recursos RAS; maior integridade dos dados
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