Guia Completo de Memória

Atualização

A atualização mantém os dados armazenados em DRAM. O processo de atualização de células elétricas de um componente DRAM é similar a recarregar as baterias. Diferentes componentes DRAM precisam de diferentes métodos de atualização.

Armazenamento

Um dispositivo que salva ou armazena dados, como o disco rígido ou o CD-ROM.

Largura de banda

A quantidade de dados que se movem por segundo em linhas eletrônicas, como um barramento. Geralmente, a largura de banda é medida em bits por segundo, bytes por segundo, ou ciclos por segundo (hertz).

ANSI

(Instituto Norte-Americano de Normas Nacionais) A organização americana responsável por definir as normas de tecnologia da informação.

ASCII

(Código de Normas Norte-Americanas para o Intercâmbio de Informações.) É o método de codificar texto na forma de valores binários. O sistema de codificação ASCII contém 256 combinações de números binários de 7 e 8 bits para representar qualquer tecla que seja pressionada.

ATA Flash Card ou Cartão Flash ATA

É a placa PC, cuja tarefa é armazenar dados em dispositivos portáteis. As placas flash ATA são similares às unidades de discos rígidos.

Auto-atualização

É a tecnologia de memória que permite que a DRAM se atualize e seja independente da CPU ou de um conjunto externo de circuitos de atualização. A tecnologia de auto-atualização é construída no próprio chip DRAM e reduz enormemente o consumo de energia. Os computadores portáteis usam esta tecnologia.

Banco

Consulte banco de memória.

Banco de memória

É a unidade lógica de memória num computador, cujo tamanho é determinado pela CPU. Por exemplo, uma CPU de 32 bits exige bancos de memória que forneçam 32 bits de memória por vez. Um banco pode consistir em um ou mais módulos de memória.

Banco duplo

Módulo de memória que tem dois bancos.

Banco simples

Módulo de memória que só tem um banco ou linha.

BGA ou estrutura de grade de esferas

É um invólucro de chips que tem esferas soldadas na parte inferior para a montagem. A BGA permite a redução do tamanho do invólucro, a melhora dissipação de calor e aumento da densidade do módulo.

Binário

É um sistema de numeração que usa combinações de 0 e 1 para representar dados. Também é conhecido como base 2.

BIOS ou sistema básico de entrada/saída

É a rotina de iniciação que prepara o computador para funcionar.

Bit

É a menor unidade de informação que o computador processa. Um bit é 1 ou 0.

Buffer

É a área de espera dos dados compartilhados pelos dispositivos que funcionam com velocidades diferentes ou têm prioridades diferentes. Um buffer permite que um dispositivo funcione sem os retardos impostos por outros dispositivo.

Barramento

É uma rota de dados num computador, que consiste em vários cabos em paralelo que se conectam à CPU, à memória e a todos os dispositivos de entrada/saída.

Barramento de memória

É o barramento que vai da CPU aos slots de memória expansível.

Barramento frontal ou FSB

É a rota de dados que vai da CPU à memória principal (RAM.)

Barramento independente duplo ou DIB

É uma arquitetura de barramento desenvolvida pela Intel, que oferece uma largura de banda maior com acesso a dois barramentos diferentes (frontal e posterior) do processador. Os computadores Pentium II possuem DIB.

Barramento local ou VESA (VL – Bus)

É um barramento local de 32 bits que vai da CPU aos dispositivos periféricos, a uma velocidade de 40 MHz.

Barramento posterior ou BSB

É a rota de dados que vai da CPU à memória cache L2.

Byte

Um byte são oito bits de informação. O byte é a unidade fundamental de processamento do computador; quase todas as especificações e medidas de desempenho do computador são dadas bytes ou seus múltiplos. Consulte quilobytes e megabytes.

Cache de expulsão de tubulação

É a memória cache que reduz os estados de espera e acelera o acesso à memória, usando funções de tubulação e explosão.

Cache de nível I ou L1

Também conhecido como cache primário. O cache L1 é uma pequena quantidade de memória de alta velocidade que reside no processador, ou muito próximo dele. O cache L1 fornece ao processador os dados e instruções solicitados com mais freqüência.

Cache de nível 2 ou L2

Também conhecido como cache secundário. O cache L2 é uma pequena quantidade de memória de alta velocidade que fica próximo à CPU e, geralmente, na placa-mãe. O cache L2 fornece ao processador os dados e instruções solicitados com mais freqüência. Dependendo da placa-mãe, o cache de nível 2 pode ser atualizado

Canal Rambus

É a rota de dados dos sistemas Rambus. Como a amplitude dos dados é estreita (dois bytes), os módulos Rambus transferem dados a uma velocidade de até 800 MHz.

CAS ou estroboscópio de endereço de colunas

É um sinal de chips de memória que garante o endereço da coluna a um local específico na matriz de linhas / colunas.

ccNUMA ou acesso de memória coerente de cache, não uniforme

É uma arquitetura flexível que usa componentes de baixo custo modulares e oferece potencial de escalabilidade multidimensional a servidores de ponta.

Chip Kill

É uma tecnologia da IBM que verifica erros, o que protege o sistema de uma falha individual do chip de memória, assim como de erros de vários bits em qualquer parte do chip de memória.

Ciclo de barramento

É uma transação simples entre a memória principal e a CPU.

CompactFlash

É um fator de forma pequeno e leve para cartões de memória de armazenamento removíveis.

Os cartões

Os cartões CompactFlash são duráveis, funcionam com baixas tensões e retêm os dados quando a alimentação está desligada. Seus usos incluem câmeras digitais, telefones celulares, impressoras, computadores portáteis, pagers e gravadores de áudio.

Composto ou tubulação

É um termo da Apple Computer, Inc. para o módulo de memória que usava tecnologia anterior e que continha mais chips, mas de baixa densidade.

Conector RIMM

É um soque de memória Direct Rambus.

Conjunto de chips

São os microchips que dão suporte à CPU. Geralmente, o conjunto de chips contém vários controladores que manipulam o trânsito das informações entre o processador e outros componentes.

CPU ou unidade de processamento central

É o chip do computador que tem a responsabilidade primária de interpretar comandos e executar programas. A CPU também é conhecida como processador ou microprocessador.

DDR SDRAM ou memória de acesso direto dinâmico síncrono de taxa de dados dupla

É a última geração da tecnologia SDRAM. Os dados são lidos tanto no extremo ascendente como descendente do clock do computador, gerando assim uma largura de banda duas vezes maior que a SDRAM padrão. Com a SDRAM DDR, a velocidade da memória é duplicada, sem aumentar a freqüência do clock.

Dissipador de calor

É um componente, geralmente uma liga de zinco, que dissipa o calor. Todas as CPUs precisam de dissipadores de calor.

Detecção de presença serial

A detecção é realizada pelo chip EEPROM, que contém as informações sobre o tamanho e a velocidade, assim como a presença serial e outras especificações e informações do fabricante de um módulo de memória.

DIMM ou módulo de memória em linha dupla

É a placas de circuito impresso com contatos de ouro e dispositivos de memória. Um DIMM é similar a um SIMM, mas com uma diferença fundamental: Diferentemente dos terminais metálicos de cada lado de um SIMM, que estão "unidos" eletricamente, os terminais de cada lado do um DIMM são eletricamente independentes.

DIP ou invólucro duplo em linha

É a forma de invólucro que têm os componentes DRAM depois de instalados. Os DIPs podem ser instalados nos slots ou soldados de forma permanente nos orifícios que estão no conjunto de circuitos impressos das placas-mãe. O invólucro de bits foi extremamente popular quando se instalava a memória diretamente na placa-mãe.

Dispersor de calor

É uma cobertura, geralmente de alumínio, que cobre um dispositivo eletrônico e dissipa o calor.

DRAM ou memória dinâmica de acesso aleatório

É a forma mais comum de RAM. A DRAM pode manter os dados durante curto período apenas. Para reter os dados, a DRAM deve ser atualizada periodicamente. Se as células não são atualizadas os dados desaparecem.

ECC ou código de correção de erros

É um método para verificar a integridade dos dados na DRAM. O ECC oferece uma detecção de erros mais elaborada que a paridade; o ECC pode detectar erros de vários bits e pode localizar e corrigir erros de bits simples.

EDO ou dados ampliados para fora

É uma tecnologia de DRAM que encurta o ciclo de leitura entre a memória e a CPU. Nos computadores que o suportam, a memória EDO permite que a CPU tenha acesso à memória 10 ou 20% mais rápido, em comparação com a memória em modo de localização rápida.

EDRAM ou DRAM melhorada

É a memória DRAM de Enhanced Memory Systems, Inc., que contém uma pequena quantidade de SDRAM.

EEPROM ou memória de somente leitura programável e apagável eletricamente

É um chip de memória que retém o conteúdo de dados depois de desligar a alimentação.

EEPROM

É a tecnologia através da qual é possível apagar e reprogramar dentro do computador ou externamente.

EISA ou ISA ampliado

É uma arquitetura de barramento que ampliou o barramento ISA de 16 bits a 32 bits. EISA funciona a 8 MHz e tem uma velocidade de transferência de dados de pico de 33 MB por segundo. EISA foi apresentado em 1988 como uma alternativa aberta ao barramento do canal micro, propriedade da IBM.

Tubulação

É uma técnica através da qual a memória carrega o conteúdo solicitado na memória numa pequena memória cache composta de SRAM e começa imediatamente a buscar o conteúdo seguinte da memória. Isto cria uma tubulação em duas etapas ou sentidos, em que os dados são lidos e gravados na SRAM numa etapa e os dados são gravados na memória em outra etapa.

EOS ou ECC ou SIMM

É uma tecnologia de verificação da integridade de dados, propriedade da IBM, que descreve a verificação da integridade dos dados de ECC num SIMM.

EPROM ou memória de somente leitura programável e apagável

É um chip programável que pode ser reutilizado e mantém seu conteúdo até que seja apagado sob luz ultravioleta. Um equipamento especial apaga e reprograma a EPROM.

ESDRAM ou DRAM sincronamente melhorada

É um tipo de tecnologia de SDRAM desenvolvida pela Enhanced Memory Systems, Inc. que substitui a SDRAM incorporada em sistemas integrados e oferece uma velocidade comparável, mas com menor consumo de energia e a menor custo.

Esquema de bancos

É um método de diagrama de configurações de memória. O esquema de bancos consiste em linhas e/ou colunas que representam os slots de memória numa placa do computador. As linhas indicam os slots independentes; as colunas indicam os bancos.

Estado de espera

É um período de inatividade do processador. Os estados de espera são o resultado de diferentes velocidades de clock do processador e da memória, nos quais a memória geralmente é mais lenta.

Fator de forma

O tamanho, a configuração e outras especificações usadas para descrever o hardware. Exemplos de fatores de forma de memória são: SIMM, DIMM, RIMM, 30 pinos, 70 pinos e 168 pinos.

Gigabyte

Aproximadamente 1 bilhão de bytes ou exatamente 1 byte x 1.0243 (1.073, 741, 824) bytes.

Gigabit

Aproximadamente 1 bilhão de bits ou exatamente 1 bit x 1.0243 (1.073, 741, 824) bits.

Hub do controlador de memória ou (MCH)

É a interface entre o processador, a porta de gráfico acelerada e a RDRAM nas placas-mãe que usam conjuntos de chips 820 ou 840 da Intel.

Hub tradutor de memória ou (MTH)

É a interface que permite que o suporte a memória SDRAM num canal Direct Rambus, nas placas-mãe que usam conjuntos de chip 820 da Intel.

IC ou circuito integrado

É um circuito eletrônico num chip semicondutor. O circuito inclui componentes e conectores. Geralmente, um chip semicondutor é moldado numa caixa de plástico cerâmica e tem pinos de conectores externos.

Intercâmbio

É realizado usando parte da unidade de disco rígido como memória quando a RAM está cheia. Consulte Memória virtual.

Interestratificação

São as técnicas para aumentar a velocidade da memória. Por exemplo, com bancos de memória separados para endereços pares e ímpares, é possível acessar o próximo byte de memória enquanto se atualiza o byte atual.

JEDEC ou Joint Electron Device Engineering Council

É um órgão da Aliança de Indústrias Eletrônicas (CIA) que estabelece as normas e especificações da engenharia de semicondutores.

Quilobit

Aproximadamente mil bits, ou exatamente 1 bit x 210 (1.024) bits.

Quilobyte

Aproximadamente mil bytes, ou exatamente 1 byte x 210 (1.024) bytes.

Latência CAS

É a relação entre o tempo de acesso às colunas e o tempo do ciclo de clock. A latência 2 (CL2) oferece um ligeiro aumento de desempenho sobre a latência CAS (CL3.)

Cartão flash linear ou Linear Flash Card

É um cartão de memória para PCs desenvolvido para armazenar códigos em roteadores, computadores portáteis, PDAs, câmeras digitais e outros dispositivos digitais.

Meio byte

A metade de um byte de 8 bits, ou 4 bits.

Megabit

Aproximadamente um milhão de bits ou exatamente 1 bit x 1.0242 (1.048.576) bits.

Megabyte

Aproximadamente um milhão de bytes ou exatamente 1 byte x 1.0242 (1.048.576) bits.

MEMÓRIA CACHE

É uma pequena quantidade (normalmente menos de 1 MB) de memória de alta velocidade que reside na CPU ou perto dela. A memória cache fornece ao processador os dados e instruções solicitados com mais freqüência. A memória cache de nível 1 (cache primário) é a mais próxima ao processador. o cache de nível 2 (cache secundário) é o segundo cache mais próximo ao processador e geralmente fica na placa-mãe.

Memória

É a memória de acesso aleatório de um computador. A memória mantém temporariamente os dados e as instruções para a CPU. Consulte RAM.

Memória com buffer

É um módulo de memória que contém buffers. Os buffers re-impulsionam os sinais através dos chips de memória e permitem que o módulo inclua mais chips de memória. Não é possível misturar memória com buffer e sem buffer. O projeto do controlador de memória do computador define se a memória deve conter buffer ou não.

Memória de acesso aleatório de janela ou (WRAM)

É a memória de duas portas da Samsung Eletronics (duas portas de dados separadas) que normalmente está numa placa de vídeo ou de gráficos. WRAM tem uma largura de banda 25% maior que a VRAM, mas custa menos.

Memória de canal virtual ou VCM

A VCM é uma arquitetura de memória desenvolvida pela NEC. A VCM permite que diferentes blocos de memória, cada um com seu próprio buffer, formem a interface de forma separada com o controlador. Desta forma, as tarefas do sistema podem ser atribuídas em seus próprios canais virtuais. A informação relacionada com uma função não compartilha o espaço de buffer com outras tarefas que estão em execução de forma simultânea, conseguindo desta forma, que a operação seja muito mais eficiente no geral.

Memória de marca

Personalização da memória, projetada especificamente para um computador.

Memória de cartão de crédito

É um tipo de memória normalmente usado em computadores portáteis. A memória de cartão de crédito é do tamanho de um cartão de crédito.

Memória flash

É uma memória em estado sólido, não volátil e regravável que funciona como uma combinação de RAM e disco rígido. A memória flash é durável, funciona com baixas tensões e retém os dados quando está sem alimentação. As placas de memória flash são usados em câmeras digitais, telefones celulares, impressoras, computadores portáteis, pagers e gravadores de áudio.

Memória registrada

É a memória SDRAM contém registros diretamente no módulo. Os registros re-impulsionam os sinais através dos chips de memória e permitem que o módulo seja construído com mais chips de memória. A memória registrada e sem buffer não podem ser misturadas. O projeto do controlador da memória do computador define o tipo de memória de que o computador precisa.

Memória virtual

É memória simulada. Quando a RAM está cheia, o computador intercambia dados com o disco rígido em ambos sentidos quando necessário. Consulte Intercâmbio.

Memória sem buffer

É a memória que não contém buffers ou registros localizados no módulo. Em vez disso, estes dispositivos ficam na placa-mãe.

Micro BGA

É a técnica de invólucro de chips da BGA Tessera, Inc. que permite a redução no tamanho do invólucro, dissipação de calor melhorada e maiores densidades do módulo.

Miniature Card ou cartão miniatura

É um cartão de memória flash linear pequeno e de baixo custo projetada para aumentar a memória, armazenar dados de voz/imagem e armazenar e recuperar voz/e-mail. O cartão miniatura é usado em palmtops, câmeras digitais, reprodutores de MP3, telefones inteligentes e outros dispositivos digitais.

Modo de explosão

É a transmissão a alta velocidade de um bloco de dados (uma série de endereços consecutivos) quando o processador solicita um endereço simples.

Modo de localização rápida

É uma forma recente de DRAM. A vantagem do modo de localização rápida sobre outras tecnologias anteriores de memória em relação ao modo de localização foi o acesso mais rápido aos dados na mesma linha.

MMC Multimedia Card ou cartão multimídia

É um cartão de memória flash de tamanho miniatura, capaz de armazenar grandes quantidades de dados multimídia (por exemplo, música, imagens, vídeos, texto, etc.) Com freqüência, os cartões MMC são usados em reprodutores de MP3, PDAs e outros dispositivos eletrônicos portáteis.

Nanossegundo ou ns

É a bilionésima parte de um segundo (1/1.000.000.000). Os tempos de acesso aos dados da memória são medidos em nanossegundos. Por exemplo, os tempos de acesso da memória aos módulos SIMM típicos de 32 e 72 pinos variam de 60 a 100 nanossegundos.

Não composto ou "non-composite"

É um termo da Apple Computer, Inc. para um módulo de memória que usava uma nova tecnologia e continha menos chips, mas de densidade mais alta. Os módulos não compostos eram mais confiáveis e mais caros que os módulos compostos.

Invólucro de escala de chips ou CSP

É o invólucro fino de chips em que as conexões elétricas normalmente são feitas através de uma estrutura de grade de esferas. O invólucro de escala de chips é usado nas memória RDRAM e flash.

PARIDADE

É a verificação da integridade de dados que adicionar um único bit a cada byte de dados. O bit de paridade é usado para detectar erros nos dados de 8 bits.

PARIDADE IMPAR

É a verificação da integridade de dados em que o bit de paridade verifica um número impar de "uns".

PARIDADE PAR

É a verificação da integridade de dados através da qual o bit de paridade verifica se há um número par de "uns".

PCI o placa de circuito impresso

São as placas geralmente planas e de várias camadas feitas de fibra de vidro com trilhas elétricas. A superfície e as demais camadas usam trilhas de cobre para proporcionar conexões elétricas para os chips e outros componentes. Os exemplos de PCI incluem: placas-mãe, SIMM e memórias de cartão de crédito.

PCI ou interconexão de componentes periféricos

É um barramento periférico que pode enviar 32 ou 64 bits de dados de forma simultânea. A PCI possui o recurso "plug and play".

Placa do sistema

Consulte placa-mãe.

Placa lógica

Consulte placa-mãe.

Placa-mãe

Também conhecida como placa lógica, placa principal ou placa do computador, a placa-mãe é a placa principal do computador e, na maioria dos casos, comporta a CPU, a memória e/ou as funções de E/S ou possui os respectivos slots de expansão.

Porta gráfica acelerada ou AGP

Uma interface desenvolvida pela Intel que permite fazer gráficos a alta velocidade. Os dados gráficos se movem entre o controlador de gráficos do PC e a memória do computador de forma direta, em vez de ficar na memória cache de vídeo.

RAM ou memória de acesso aleatório

É uma configuração de células de memória que mantém os dados para o processamento na unidade central de processamento (CPU). Aleatório significa que a CPU pode recuperar dados de qualquer endereço dentro da RAM. Consulte Memória.

RAM de ciclo rápido ou FCRAM

A FCRAM é uma tecnologia de memória que está sendo desenvolvida pela Toshiba e Fujitsu. A FCRAM não tem o objetivo de ser usada como memória principal para o PC, mas será usada em aplicações especiais, como servidores de ponta, impressoras e sistemas de comutação de telecomunicações.

RAM EDO de explosão ou BEDO

A memória BEDO pode processar quatro endereços de memória numa explosão. O intervalo de velocidades do barramento é de 50 MHz a 66 MHz (em comparação com os 33 MHz para EDO e 25 MHz para modo de localização rápida.)

RAM estática ou SRAM

É um chip de memória que exige que a alimentação retenha o conteúdo. A SRAM é mais rápida que a DRAM, mas mais cara e usa mais espaço. Um uso típico para SRAM é a memória cache.

Rambus

(1) Rambus, Inc. desenvolve, licencia tecnologia de projeto de circuitos e lógica de memória e alto desempenho e proporciona projeto de produtos, disposição e informação de testes, aos donos das licenças. (2) Direct Rambus é uma terminologia de memória de alta velocidade que usa um barramento estreito de 16 bits (Canal de Rambus) para transmitir dados a velocidades de até 800 MHz. Consulte Canal Rambus.

Rambus concorrente

É a segunda geração da tecnologia Rambus. A Rambus concorrente tem sido usada em computadores com base de gráficos para televisores digitais e aplicações de videogame (como Nintendo 64, desde 1997.)

Rambus de base

É a primeira geração da tecnologia Rambus, distribuída pela primeira vez em 1995.

Rambus direto

É a terceira geração de tecnologia Rambus que oferece uma arquitetura de DRAM para PCs de alto desempenho. Permite transferências de dados a velocidades de até 800 MHz num canal estreito de 16 bits, comparado com a SDRAM atual que funciona a 100 MHz num barramento de 64 bits de amplitude.

Slot de SIMM

É um componente da placa-mãe que comporta um único SIMM.

RAS

É um sinal do chip de memória que garante o endereço da linha numa localização específica, na matriz de linhas/colunas.

RIMM de continuidade ou C-RIMM

É um módulo de memória Rambus Direto (Direct Rambus) que não contém chips de memória. C-RIMM proporciona um canal contínuo para a sinal. Num sistema Direct Rambus, os conectores externos devem ser preenchidos com C-RIMMs.

RIMM®

É o nome de marca para o módulo da memória Direct Rambus. Um RIMM se adapta ao fator de forma de DIMM e transfere 16 bits de dados no momento.

SDRAM ou DRAM síncrona

É a tecnologia DRAM que usa um clock para sincronizar a entrada e saída da sinal num chip de memória. O clock é coordenado com o clock da CPU para que a temporização dos chips de memória e a temporização da CPU estejam em sincronia. A DRAM síncrona economiza tempo ao executar comandos e transmitir dados, aumentando assim o desempenho geral do computador. A SDRAM permite que a CPU tenha acesso à memória aproximadamente 25% mais rápido que a memória EDO.

Cartão SD ou Secure Digital Card

É um cartão de memória flash de alta segurança, em tamanho miniatura e com alta capacidade; criada pela Matsushita Electric (Panasonic), SanDisk e Toshiba. Proporciona armazenamento de dados e acesso de E/A numa variedade de dispositivos eletrônicos.

SGRAM ou memória de acesso aleatório de gráficos síncronos

É uma memória de vídeo que inclui características de leitura/gravação específicas para gráficos. A SGRAM permite que os dados sejam recuperados e modificados em blocos, em vez de fazê-lo individualmente. A operação em blocos reduz o número de leituras e gravações que a memória deve realizar e aumenta o desempenho do controlador de gráficos.

SIMM ou módulo de memória de linha única

É uma placa de circuito impresso que tem dispositivos de memória e contatos de ouro o estanho/chumbo. Um SIMM é conectado ao slot de memória expansível do computador. Os SIMMs oferecem duas vantagens principais: são fáceis de instalar e têm um consumo mínimo de superfície da placa. Um SIMM montado verticalmente só precisa de uma fração do espaço exigido por uma DRAM montada horizontalmente. Um SIMM pode ter de 30 e 200 pinos. Num SIMM, os terminais metálicos de cada lado da placa estão unidos eletricamente.

SLDRAM - Synclink

É um caso obsoleto hoje em dia. SLDRAM era uma tecnologia de memória principal desenvolvida por um grupo de doze fabricantes de DRAM, como uma alternativa à tecnologia Direct Rambus.

Smart Card ou cartão inteligente

É um dispositivo eletrônico similar a um cartão de crédito que pode armazenar e programar melhorando ao mesmo tempo a segurança. As aplicações incluem identificação, trânsito maciço e bancos.

SmartMedia ou SSFDC

É um cartão de memória flash muito fino, usado para armazenar dados em câmeras digitais, PDAs, gravadores de áudio digital e outros dispositivos portáteis.

SO DIMM ou módulo de memória em linha dupla de perfil pequeno

É uma versão melhorada de um DIMM padrão. Um DIMM de perfil pequeno de 72 pinos tem aproximadamente a metade do comprimento de um SIMM de 72 pinos.

SO RIMM

É o nome com marca registrada para um módulo de memória Direct Rambus em computadores portáteis. SO RIMM proporciona uma largura de banda de memória comparável com as configurações de memória dos computadores de mesa.

SOJ ou terminal J de perfil pequeno

É uma forma comum de invólucro DRAM montado em superfície. Um SOJ é um invólucro retangular com terminais em forma de J nos dois lados compridos. SSFDC: Consulte SmartMedia.

s TSOP ou invólucro de perfil pequeno e fino

É um tipo de invólucro de chip similar a TSOP, mas com a metade do tamanho. Seu perfil compacto permite aos projetistas de módulos adicionar mais chips de memória no mesmo espaço.

Placa PC

A PCMCIA: Associação Internacional de Placas de Memória para Computadores Pessoais é um padrão que permite o intercâmbio de diferentes componentes do computador, no mesmo conector. O padrão PCMCIA suporta dispositivos de entrada/saída, incluindo memória, fax/modem, ou porta SCSI e produtos para redes.

Tecnologia de linha de transmissão

É a tecnologia que suporta o barramento inverso nos sistemas Direct Rambus. A informação é rapidamente colocada em tubos e em pacotes simultâneos. Através desta tecnologia, o controlador de memória volta a montar os pacotes para a transferência do barramento frontal e a comunicação com o processador.

Tempo de acesso

É o tempo médio (em nanossegundos) para que RAM complete um acesso. O tempo de acesso é composto pelo tempo e pela latência de início de endereço (ou seja, o tempo que leva para iniciar uma solicitação de dados e preparar o acesso a estes.)

TSOP ou invólucro de perfil pequeno e fino

É um invólucro DRAM que usa terminais de forma de asas de pelicano em ambos os lados. A TSOP DRAM é montada diretamente sobre a superfície de uma placa de circuito impresso. O invólucro TSOP tem um terço da espessura do SOJ. Geralmente, os componentes TSOP são encontrados num DIMM de perfil pequeno e nas memórias das cartão de crédito.

Velocidade de atualização

É o número de linhas dos componentes DRAM que devem ser atualizadas. As três velocidades comuns de atualização são, 2K, 4K e 8K.

VRAM ou memória de acesso aleatório de vídeo

É a memória de duas portas (duas portas de dados separadas) que normalmente ficam numa placa de vídeo ou de gráficos. Um porta é dedicada ao CRT e atualiza a imagem. A segunda porta é para a CPU ou o controlador de gráficos e troca dados de imagem na memória.