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金士顿内存工具 |
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基础内存指南
THE GLOSSARY
- Accelerated Graphics Port
- Intel所发展的高速图像界面。图像资料在计算机中的图像控制器以及内存之间直接通讯而不需先通过影像内存。
- Access Time
- 由内存将资料传递至处理器或是由处理器传递至内存所需要的时间
- ANSI
- 美国所设之设立资讯科技工业标准组织
- ASCII
- 将文字转换成二进位数字的换算方式之一。ASCII转换系统包括256种7位与8位的二进位数字组合以代表键盘上的每个按键输入。
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- Backside Bus
- (BSB) - 连接中央处理器与L2 cache的资料路径。.
- Bandwidth
- 每秒在电路线,例如汇流排,上流通的资料数量，常以位元/秒、位元组/秒或是时钟周期/秒(Herz)来计算。
- Bank
- See memory bank.
- Bank Schema
- 表示内存配置的图示方法。Bank Schema包括代表主机板上内存插槽的行与列图示，列代表独立内存插槽,行代表Memory Banks。
- Base Rambus
- 第一代Rambus技术，於1995年推出。
- BGA
- 种底面带有锡制固定用球体的晶片封装技术。BGA能够缩小晶片尺寸,改善散热功能,以及达到更大的模组密度。
- Binary
- 一种使用0与1来表示数据的数字系统，也称为二进位编码。
- BIOS
- (Basic Input-Output System) - BIOS是放在唯读内存中的一段程式码，负责在开机时进行自我测试工作以及读取硬体设定资料。
- Bit
- 计算机所处理资讯的最小单位，可以是0或1。
- Buffer
- 不同速度或不同优先性运作的元件所共同使用的资料的暂时储存区。Buffer使元件运作能够不受其他元件的延迟影响。
- Buffered Memory
- 含有Buffer的内存模组。Buffer将信号在内存晶片中重新驱动,使模组能够容纳更多内存晶片。含有Buffer以及不含Buffer的模组不能混合使用。计算机内存控制器的设计决定所需的内存模组是否必须配备Buffer。
- Burst EDO RAM
- 能够在一个Burst内处理四个内存位址的EDO内存。汇流排速度范围为50MHz到60MHz (相较於EDO的33MHz以及FPM的25MHz)。
- Burst Mode
- 处理器要求资料位址时高速传送一组(一系列连续位址)资料的动作。
- Bus
- 计算机中的资料通路，包括连接中央处理器,内存以及输入/输出元件的不同平行电路线。
- Bus Cycle
- 主内存与中央处理器间的一次通讯。
- Byte
- 8Bits数量的资讯。Byte是计算机处理资料的基本单位,几乎所有计算机中的标准以及效能测量单位都使用Byte或其倍数，例如KB或MB。
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- Cache Memory
- 位置靠近中央处理器或是在中央处理器上的低容量(通常小於1MB)高速内存，提供中央处理器最常使用的资料或指令。Level 1 Cache是最接近中央处理器的Cache内存，Level 2 Cache是第二接近中央处理器的Cache内存且通常位於主机板上。
- CAS
- 用来寻找行列矩阵中特定行位的内存晶片讯号。
- CAS Latency
- 行存取时间以及时钟周期时间的比率。CAS Latency 2 (CL2)表示相较於CAS Latency 3 (CL3)的小幅效能增进。
- ccNUMA
- 一种有弹性的使用组合式低价位元件的架构,提供高阶服务器更高的运算效能。
- Chipset
- 支援中央处理器运作的一组或多组以上微晶片。通常包括管理处理器以及其他元件间资讯传输的数个控制器。
- Chip-Scale Package
- (CSP) - 以Ball Grid Array做为电子连结的晶片封装技术，使用於RDRAM以及快闪内存。
- CompactFlash
- 一种小而轻的可移除式储存卡型式，具有耐久、能够以低电压运作，以及在电源关闭后仍能保留资料的特性。使用於数位相机、行动电话、列印机、掌上型计算机、呼叫器以及录音设备中。
- Composite
- 苹果计算机公司称呼使用较旧的技术以及较多低密度晶片的模组所使用名词。
- Concurrent Rambus
- 第二代Rambus技术，已被应用於以图像处理为主的计算机、数位电视、以及电视游乐器应用(例如从1997起的任天堂64)。
- Continuity RIMM
- (C-RIMM) - 不含晶片的Direct Rambus模组，提供讯号传输的连续管道。在Direct Rambus系统中，空置插槽必须以C-RIMM填满。
- CPU
- (Central Processing Unit) - 负责执行指令及程式，以及运算计算机作业中各项数据的计算机晶片，也称为处理器或微处理器。
- Credit Card Memory
- 一种常用於膝上型以及笔记型计算机中的内存，尺寸为信用卡大小。
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- DDR SDRAM
- 最新一代的SDRAM技术，能够在时脉讯号的上升缘及下降元读取资料并提供标准SDRAM的两倍频宽。SDRAM在不增加时钟频率的情况下加倍内存速度。
- DIMM
- (Dual In-line Memory Module) -配有金制连接点与内存元件的印刷电路板。DIMM与SIMM相似，但最大不同点在於:SIMM上两面的金属连接点是相连而成同一个电路的,而DIMM两面的连接点各有其独立电路。
- Direct Rambus
- 第三代的Rambus技术,提供高效能PC全新的DRAM结购。相较於目前的SDRAM以100MHz以及64bit宽汇流排运作，资料以高达800MHz的速度透过较窄的16bit汇流排传送。
- DIP
- (Dual In-line Package) - 随机存取内存最常见的型式。DRAM只能够储存资料一小段时间，并必须定时重新充电，否则资料就会流失。
- DRAM
- 随机存取内存最常见的型式。DRAM只能够储存资料一小段时间，并必须定时重新充电，否则资料就会流失。
- Dual-Banked
- 含有两个Bank的内存模组。
- Dual Independent Bus
- (DIB) -Intel所研发的汇流排架构，藉著两个汇流排(Frontside与Backside)分别连接处理器以达到更大频宽，应用於Pentium II计算机。
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- ECC
- (Error Correction Code) -检查DRAM中资料完整性的方式。ECC的侦错功能较Parity详尽，能够侦测多位元错误以及侦测并修正单位元错误。
- EDO
- 藉著内存前次读取动作的位址以缩短内存与中央处理器间读取周期的DRAM技术。在支援EDO的计算机中,此技术能够让中央处理器以较同级FPM内存快10~20%的速度存取内存。
- EDRAM
- Enhanced Memory Systems, Inc。包含少量SRAM的DRAM。
- EEPROM
- (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) -能够在电源关闭后保存资料的内存，其中所含的资料能够在计算机内部或外部被清除及重设。
- EISA
- 由ISA加强之后所得到的工业标准。将16-bit ISA汇流排扩充为32-bit的汇流排架构，以8MHz的速度运作并提供每秒33MB的最大传输速率。EISA於1988年推出，以做为IBM专利的Micro Channel Bus的替代选择。
- EOS
- (ECC on SIMM) - IBM所使用将ECC资料完整性检测装置於SIMM模组上的资料完整性检测技术。
- EPROM
- (Erasable Programmable Read-Only Memory) - 能够重复使用及重设的晶片，所保存的资料必需以紫外线清除。清除及重设EPROM需要使用特殊设备。
- ESDRAM
- (Enhanced Synchronous DRAM) -由Enhanced Memory System所研发的一种SDRAM，能够代替埋置於系统中昂贵的SRAM并在较少能源消耗以及较低价值的情况下提供相等速度。
- Even Parity
- 利用检查偶数数目的1所进行的Parity资料完整性检查。
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- Fast-Cycle RAM
- (FCRAM) - Toshiba与Fujitsu目前正在研发的内存技术。FCRAM并不使用於PC主内存，而将被使用於特殊应用装置,例如高阶服务器，列印机，以及电讯交换系统。
- Fast-Page Mode
- 早期的DRAM型式，相较於更早期的page mode内存技术的优点为能够更快速读取位於同一列的资料。
- Flash Memory
- 一种固态,不易挥发,可复写的内存,其运作方式就像随机存取内存与硬碟的混合体。具有持久,能够在低电压状态下运作，以及能够在电源关闭后保存资料的特性;使用於数位相机、行动电话、列印机、掌上型计算机、呼叫器以及录音设备中。
- Form Factor
- 表示硬体的尺寸,配置以及其他特殊型式规格。内存的Form Factor例子有:SIMM、DIMM、RIMM、30-pin、72-pin以及168-pin。
- Frontside Bus
- (FSB) - 连接中央处理器与主内存的资料通路。
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- Gigabit
- 大约十亿bits,或 1bit x 10243(1,073,741,824) bits。
3
(1,073,741,824) bits.
- Gigabyte
- 大约十亿bytes,或 1byte x 10243(1,073,741,824) bytes。
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- Heat Spreader
- 包覆电子设备的散热层，常为铝制。
- Heat Sink
- 散热用元件，常为铝合金制。中央处理器需要配备Heat Sinks。
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- IC
- (Integrated Circuit) - 半导体晶片上含有的电路，包括元件与连接点。半导体晶片通常被封於带有连接pins的塑胶或陶瓷包装中。
- Interleaving
- 提高内存速度的技术。举例而言，在不同Memory Bank带有奇数与偶数位址时,下一byte的资讯便能在使用中的位元更新的同时读取。
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- JEDEC
- (Joint Electron Device Engineering Council) - 一个Electronic Industries Alliance (EIA)组织，由300多个从事计算机生产的会员公司所组成。主要将半导体设计标准化。
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- Kilobit
- 约1000bits,或 1bit x 210(1,024) bits
(1,024) bits.
- Kilobyte
- 约1000bytes,或 1bit x 210(1,024) bytes。
(1,024) bytes.
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- Level 1 Cache
- (L1) - 也称为Primary Cache。L1 Cache是位置靠近中央处理器或是在中央处理器上的低容量高速内存，提供中央处理器最常使用的资料或指令。
- Level 2 Cache
- (L2) - 也称为Secondary Cache。位置靠近中央处理器的低容量高速内存，通常置於主机板上，提供中央处理器最常使用的资料或指令。依主机板的不同,某些L2 Cache能够被升级。
- Logic Board
- 请参照Motherboard。
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- Megabit
- 大约一百万bits,或 1bit x 10242 (1,048,576) bits。
- Megabyte
- 大约一百万bytes,或 1bit x 10242 (1,048,576) bytes。
- Memory
- 计算机的随机存取内存，暂时储存中央处理器所需要的资料与指令。主要可分为唯读内存与随机存取内存两大类。请参考RAM。
- Memory Bank
- 由计算机中央处理器决定尺寸的内存单位。举例而言,32-bit中央处理器需要能够一次提供32bits的资料的Memory Bank。一个Bank由一个或多个内存模组组成。
- Memory Bus
- 连接中央处理器与内存扩充插槽的汇流排。
- Memory Controller Hub
- (MCH) - 在使用Intel 820或840晶片组主机板上，处理器，Accelerated Graphics Port以及RDRAM间的介面。
- Memory Translator Hub
- (MTH) - 在使用Intel 820晶片组主机板上使SDRAM内存能够被 Direct Rambus Channel支援的介面。
- Micro BGA
- (µBGA) - Tessera, Inc。BGA封装技术能够缩小晶片封装尺寸，改善散热，以及达到更高的模组密度。
- Motherboard
- 也称为Logic Board、Main Board，或是Computer Board。Motherboard指计算机中的主机板,在大多数状况下容纳中央处理器、内存以及I/O功能或其扩充槽并作为所容纳元件的连接与传输媒介。
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- Nanosecond
- (ns) -十亿分之一秒。内存资料读取速度以奈秒计，例如典型的30-pin与72-pin SIMM模组读取速度范围为60到100ns。
- Nibble
- 8-bit byte的一半,或4bits。
- Non-Composite
- 苹果计算机公司所用来称呼使用较新技术以及少量高密度晶片的内存模组。Non-Composite模较Composite模组可靠及昂贵。
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- Odd Parity
- 利用检查奇数数目的1所进行的Parity资料完整性检查。
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- Parity
- 在每byte资料中加入1bit的资料完整性检查功能。以加入的Parity Bit来侦测其他8 bits中的错误。
- PCB
- (Printed Circuit Board) - 以玻璃纤维所制带有电源通路的多层平板，表面以及各层带有做为晶片与其他元件间电路连结的电流通路；例如主机板,SIMM与Credit Card Memory。
- PC Card
- (PCMCIA: Personal Computer Memory Card International Association) -给予使用同一个连接点的不同计算机设备可交替性的通讯协定，支援输入-输出设备:包括内存、传真/数据机、SCSI、以及Network产品。
- PCI
- (Peripheral Component Interconnect) -由Intel所发展能够同时送出32bits与64bits的资料的区域汇流排，提供随插即用功能。
- Pipeline Burst Cache
- 使用Pipelining与Bursting功能以减少等待时间并加速内存读取的快取内存。
- Pipelining
- 内存将所要求的资讯载入由SRAM所组成的快取内存中然后立即开始寻求下一个要求的技术。制造出一个两段式Pipeline，在其中一个阶段资料从SRAM中读写；而在另一个阶段中资料从内存中读写。
- Proprietary Memory
- 为特殊计算机所设计的专用内存系统。
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- RAM
- (Random-Access Memory) - 储存供中央处理器运作所需的资料的内存单位。Random是指计算机能够随意从RAM中任何位址取得资料。请参考Memory。
- Rambus
- (1) Rambus公司所研发并授权的内存逻辑操作以及电路设计技术，并授权提供产品设计，配置以及测试资讯。
(2)Direct Rambus是使用较窄的16-bit汇流排(Rambus Channel)以高达800MHz的速度传输资料的高速内存技术。
- Rambus Channel
- Rambus系统所使用的资料通路。由於它较窄的带宽(2 bytes)，Rambus Channel能以高达800MHz的速度传输资料。
- RAS
- 为内存晶片信号，可以将行列矩阵中的列上特定位置锁定。
- Refresh
- Refresh的程序保存DRAM中所储存的资料。更新DRAM上的电子单位的过程类似於将电池重新充电。不同DRAM元件的更新方式也不同。
- Refresh Rate
- DRAM更新时必须同时被更新的DRAM行数，三种常见的Refresh Rate有2K,4K与8K。
- Registered Memory
- 模组上配有Register的SDRAM内存。Register将信号重新在内存晶片中驱动并使模组能够装配更多内存晶片。有Register及无buffers 的内存模组不能够混用。内存控制器的设计决定所需内存的种类。
- RIMM™
- Direct Rambus内存模组的注册品名，使用DIMM规格但以一次16 bit的方式传输资料。
- RIMM Connector
- Direct Rambus内存模组插槽。
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- SDRAM
- 使用时脉讯号将内存晶片上的输入及输出同步化的DRAM技术。所使用时脉讯号与中央处理器所使用的相对应以使内存计时与中央处理器计时同步，节省了执行指令与传送资料的时间并提高计算机的整体效能表现。SDRAM使中央处理器能够以高於EDO 25%的速度存取内存。
- Self-Refresh
- 使DRAM能够不依靠中央处理器或外部电路而自行更新的内存技术。Self-Refresh技术内建於DRAM晶片本身并减低电力消耗，用於笔记型与膝上型计算机。
- Serial Presence Detect
- 包含模组尺寸,速度以及其他特殊规格以及制造厂资讯的EEPROM晶片。
- SGRAM
- (Synchronous Graphics Random-Access Memory) - 包括特别为图像读写所设计的影片内存。SGRAM使资料能够被以区块而非单独的方式修改及读取，减少读写动作的次数并提高图像控制器的效能表现。
- SIMM
- (Single In-line Memory Module) - 包含内存元件以及金、锡或铅制连接点的印刷电路板，安插於计算机内存扩充插槽内。SIMM有两个主要的优点:安装简易以及节省主机板空间。垂直安插的SIMM模组只需要平面镶嵌的DRAM所占空间的数分之一。SIMM模组可能含有少至30个或多达200个连接Pins。SIMM两面上的连接点是电路上相连的。
- SIMM Socket
- 容纳单个SIMM模组的主机板元件。
- Single-Banked
- 只有一个bank或列的模组。
- SLDRAM
- (Synclink) - 虽然目前已经过时，SLDRAM为12个DRAM制造厂所共同研发的主要内存技术以取代Direct Rambus技术。
- SMART CARD
- 与信用卡尺寸相似的电子设备，能够以更高的安全性储存资料与程式，用於身份识别、大众运输以及金融业。
- SO DIMM
- (Small-Outline Dual In-line Memory Module) - 改良型式的标准DIMM模组，一个72-pin small-outline DIMM模组大约是72-pin SIMM模组的一半尺寸。
- SO-RIMM™
- 笔记型计算机用Direct Rambus内存模组的注册品名，提供相等於桌上型计算机内存频宽的内存配置。
- SOJ
- (Small-Outline J-lead) - 一种常见的表面黏著DRAM封装技术，型式为长边附有J字型连接点的长方形包装。
- Static RAM
- (SRAM) - 需求电力以保存资料的内存晶片，速度较DRAM快但是价格较高，占用空间也较大，主要用於快取内存。
- Storage
- 资料储存设备，例如硬碟或是光碟。
- Swapping
- 当随机存取内存填满后中央处理器以部分硬碟做为内存的动作。请参考Virtual Memory。
- System Board
- 请参照Motherboard
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- Transmission Line Technology
- 支援Direct Rambus系统中backside bus的技术。资讯被以封包的方式同步传送。内存控制器将资料重组以备与处理器通讯用。
- TSOP
- 两侧使用翼状连接点的晶片封装技术。TSOP包装的DRAM晶片直接镶嵌於印刷电路板表面，厚度只有SOJ的三分之一。常见於Small-Outline DIMM模组与 Credit Card Memory。
Return to Index
- Unbuffered Memory
- 不包含buffer或register的内存模组，这些元件位於主机板上。
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- VESA Local Bus
- (VL-Bus) - 由VESA协会所制定连接中央处理器与其他周边元件的32-bit Local Bus，速度高达40MHz。目前已被PCI介面所取代。
- Virtual Channel Memory
- VCM为NEC所开发的内存架构，使不同群组的内存(配有自己的buffer)能够与控制器分别通讯。如此系统作业便能配有单独的Virtual Channel。与某项功能相关的资讯便不与其他同时进行的作业分享buffer空间，藉以使整体运作更加有效率。
- Virtual Memory
- 虚拟的内存。随机存取内存空间已满时计算机便从硬碟存取资料。请参考Swapping。
- VRAM
- (Video Random-Access Memory) - 图像卡中常用的双资料接口内存。其中一个接口与阴极射线管连线并负责更新与重整画面，另一个则与中央处理器或图像处理器连结以更新内存中的图像资料。
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- Wait State
- 处理器无法动作的时间，为不同的处理器与内存时钟速度不同所致，后者通常较慢。
- Window Random Access Memory
- (WRAM) - Samsung Electronic所生产的双资料接口内存，通常用於影片以及图像卡。WRAM的频宽较VRAM大25%但是价格较低。
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