DDR4 概述

由于 DDR3 已经到达其性能和带宽的上限,为了继续满足人们对更高性能和增加带宽的需求,新一代 DDR SDRAM 应运而生。DDR4 的性能更高、DIMM 容量更大、数据完整性更强且能耗更低。

DDR4 每引脚速度超过 2Gbps 且功耗低于 DDR3L(DDR3 低电压),能够在提升性能和带宽 50% 的同时降低总体计算环境的能耗。这代表着对以前内存技术的重大改进,并且能源节省高达 40%。

除性能优化、更加环保、低成本计算外,DDR4 还提供用于提高数据可靠性的循环冗余校验 (CRC),并可对链路上传输的“命令和地址”进行完整性验证的芯片奇偶检测。此外,它还具有更强的信号完整性及其他强大的 RAS 功能。

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技术概览
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DDR4 详情

请注意 DDR3 与 DDR4 模组之间的细微差别。

卡槽差异

DDR4 模组上的卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置不同。两者的卡槽都位于插入侧,但 DDR4 卡槽的位置稍有差异,以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。

增加厚度

为了容纳更多信号层,DDR4 模组比 DDR3 稍厚。

曲线边

DDR4 模组提供曲线边以方便插入和缓解内存安装期间对 PCB 的压力。

规格概览
说明 DDR3 DDR4 优势
芯片密度 512Mb-8Gb 4Gb-16Gb 更大的 DIMM 容量
数据速率 800Mb/s – 2133Mb/s 1600Mb/s – 3200Mb/s 迁移至更高速度 I/O
迁移至更高速度 I/O 1,5V 预计为 1.2V 降低内存功耗需求
低电压标准 是(DDR3L 为 1.35V) 预计为 1.1V 内存功耗降低
内部芯片区 8 16 更多芯片区
芯片区组 (BG) 0 4 更快地突发访问
VREF 输入 2 – DQ 和 CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR VREFDQ 现在内部
tCK – DLL 启用 300MHz – 800MHz 667MHz – 1,6GHz 更高数据速率
tCK – DLL 禁用 10MHz – 125MHz(可选) 未定义至 125MHz 现在完全支持 DLL-off
读取延迟 AL + CL AL + CL 扩展值
写入延迟 AL + CWL AL + CWL 扩展值
DQ 驱动程序 (ALT) 40 Ω 48 Ω 适用于 PtP 应用程序
DQ 总线 SSTL15 POD12 减少 I/O 噪音和功耗
RTT 值(单位 Ω) 120, 60, 40, 30, 20 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 支持更高的数据速率
RTT 不允许 读取突发 读取突发期间禁用 易于使用
ODT 模式 标称、动态 标称、动态、静态 Add’l 控制模式;OTF 值更改
ODT 控制 需要 ODT 信号 不需要 ODT 信号 简化 ODT 控制;允许非 ODT 路由、PtP 应用程序
多功能寄存器 四个寄存器 – 1 个已定义、3 个 RFU 四个寄存器 – 3 个已定义、1 个 RFU 提供其他特性读数
DIMM 类型 RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
DIMM 金手指 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS ECC CRC、奇偶、可寻址、GDM 更多 RAS 功能;改进的数据完整性
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