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SPEICHERSUCHE

HyperX

Begriffsglossar

Kapazität

Gesamtanzahl der Speicherzellen eines Moduls, ausgedrückt in Megabyte (MB) oder Gigabyte (GB). Bei Kits entspricht die angegebene Kapazität der kombinierten Kapazität aller Module des Kits.

CAS-Latenz

Eine der wichtigsten Latenz- (Warte-) Zeiten (ausgedrückt in Taktzyklen) beim Zugriff auf Daten in einem Speichermodul. Sobald der Schreib- oder Lesebefehl für die Daten und die Zeilen-/Spaltenadressen geladen ist, entspricht die CAS-Latenz der verbleibenden Wartezeit, bis die Daten zum Lesen oder Schreiben bereit sind.

DDR3

Die dritte Generation von Double-Data-Rate- (DDR-) SDRAM-Speicher. Vergleichbar mit DDR2 stellt er eine Weiterentwicklung der DDR-Speichertechnologie dar, die höhere Geschwindigkeiten (bis zu 1.600 MHz), niedrigeren Energieverbrauch und Wärmeabgabe liefert. Er ist eine ideale Speicherlösung für Systeme mit Dual- und Quad-Core-Prozessoren, die eine große Bandbreite benötigen. Der geringere Energieverbrauch eignet sich perfekt für mobile und Serverplattformen.

DDR2

Die zweite Generation der DDR-Speichertechnologie. DDR2-Speichermodule sind nicht abwärtskompatibel mit DDR aufgrund niedrigerer Spannung, anderer Konfiguration der Kontaktstifte und inkompatibler Speicherchiptechnologie.

Kit

Ein Einzelpaket, das mehrere Speichermodule enthält: K2 = 2 Module in einem Kit.

Registriert

Ein Speichermodul, das (einen oder mehrere) Registerchips, die verwendet werden, um Adressen und Steuersignale der Speichersteuerungseinheit des Motherboards zu synchronisieren, und einen Phasenregelkreis- (Phase Locked Loop - PLL-) Chip, der das Taktsignal des Motherboards an alle DRAM-Chips überträgt, enthält.

Geschwindigkeit

Die Datenrate oder tatsächliche Taktgeschwindigkeit, die ein Speichermodul unterstützt.