Guía de números de referencia
La siguiente información está pensada para ayudarle a identificar los módulos de memoria HyperX® de Kingston® según sus especificaciones.
Glosario de términos
Capacidad
Número total de células de memoria en un módulo, expresado en Megabytes o Gigabytes.
En el caso de los kits, la capacidad indicada indica la capacidad combinada de todos los módulos del kit.
Latencia CAS
Uno de los retrasos mas importantes (expresado en ciclos de reloj) de latencia (espera) que se produce al acceder a los datos de un módulo de memoria.
Una vez cargado el comando de leer o escribir datos y las direcciones de la fila/columna , la latencia CAS representa el tiempo de espera final hasta que los datos están listos para su lectura o escritura.
DDR3
Tercera generación de la tecnología SDRAM de doble tasa de transferencia de datos (DDR, por su sigla en inglés).
Al igual que DDR2, se trata de una evolución de la tecnología de memoria DDR que ofrece velocidades más altas (de hasta 1600 MHz), menor consumo de energía y disipación de calor.
Se trata de una solución de memoria ideal para los sistemas con un gran consumo de ancho de banda, equipados con procesadores de núcleo doble y cuádruple, mientras que su menor consumo de energía es un complemento perfecto tanto para servidores como para plataformas móviles.
DDR2
Segunda generación de la tecnología de memoria DDR.
Los módulos de memoria DDR2 no son compatibles con la tecnología DDR, debido a la menor tensión, las diferentes configuraciones de las patillas y la tecnología incompatible de los chips de memoria.
Kit
Un solo paquete que contiene varios módulos de memoria:
K2 = 2 módulos en un kit.
Registrado
Un módulo de memoria que contiene chips registrados y que se utiliza para transmitir y sincronizar direcciones y señales de control emitidas por el controlador de memoria de la placa madre y el chip de lazo de seguimiento de fase (PLL, por su sigla en inglés), utilizado para transmitir la señal del reloj de la placa madre a todos los chips DRAM.
Velocidad
La velocidad de lectura y escritura de datos, o la velocidad eficaz del reloj, que admite un módulo de memoria.
LATENCY TIMING
La información que se encuentra a continuación le ayudará a conocer cuáles son los ajustes apropiados al ajustar los tiempos de la memoria en el BIOS de la placa madre para lograr un óptimo rendimiento.
Tenga en cuenta que estos ajustes pueden variar dependiendo de la marca/modelo de la placa madre o de la actualización del BIOS.
|
Abreviatura
|
Definición de tiempo
|
Qué hace
|
|
CL
|
CAS Latency (Latencia CAS)
|
Retardo entre la activación y la lectura de una fila.
|
|
tRCD
|
De RAS a CAS (o retardo de fila a columna)
|
Activa una fila.
|
|
tRP o tRCP
|
Retardo de precarga de fila (o retardo de precarga RAS)
|
Desactiva una fila.
|
|
tRA o tRD o tRAS
|
Retardo de activación de fila (o retardo de activación RAS, o tiempo para estar listo)
|
Número de ciclos de reloj entre la activación y la desactivación de una fila.
|
|
CMD Rate
|
Tasa de comando
|
Retardo entre la selección del chip y el comando.
|
Aviso:
todos los productos Kingston se someten a pruebas para alcanzar nuestras especificaciones publicadas.
Es posible que algunos sistemas o configuraciones de placas madre no admitan los ajustes de tiempo y las velocidades publicados para la memoria HyperX.
Kingston no recomienda a los usuarios que intenten hacer funcionar sus ordenadores con mayor rapidez de lo que dictan las velocidades publicadas.
El overclocking o modificar los tiempos de su sistema puede resultar perjudicial para los componentes del ordenador.