Présentation de DDR4

Alors que le marché mondial exige des performances toujours croissantes et des bandes passantes plus généreuses, et que la technologie DDR3 approche de ses limites, une nouvelle génération de mémoires DDR SDRAM est arrivée. Les mémoires DDR4 apportent des performances supérieures, des capacités DIMM élargies, une intégrité de données renforcée et une consommation d'énergie plus faible.

Avec plus de 2Gbps par broche et consommant moins que les DDR3L, (DDR3 Basse tension), les DDR4 apportent 50% de performance en plus, des capacités de bande passante améliorées, et réduisent la consommation d'énergie dans votre environnement informatique. De telles caractéristiques constituent des avantages importants par rapport aux mémoires précédentes, avec une économie d'énergie allant jusqu'à 40%.

Outre les performances optimisées et les économies d'énergie favorables à l'environnement, les mémoires DDR4 intègrent des contrôles de redondance cycliques (CRC) pour une meilleure fiabilité des données, la détection de parité sur puce, qui vérifie l'intégrité des transferts de commandes et d'adresses sur les liaisons, l'intégrité avancée des signaux et d'autres fonctions RAS robustes.

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Aperçu technologique
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Détails DDR4

Remarque : de subtiles différences existent entre les modules DDR3 et DDR4.

Différence du détrompeur

La position du détrompeur DDR4 est différente de celle du DDR3. Dans les deux cas, le détrompeur est situé sur le bord d'insertion, mais une petite différence sur la DDR4 évite de l'installer sur une carte ou plateforme incompatible.

Épaisseur accrue

Les modules DDR4 sont légèrement plus épais que les DDR3, pour accueillir un plus grand nombre de couches de signaux.

Arête courbe

Les DDR4 se caractérisent par une arête courbe qui facilite l'insertion et réduit la contrainte exercée sur les cartes pendant les installations.

Spécifications en un coup d'œil
Description DDR3 DDR4 Advantages
Densités de puces 512Mb-8Gb 4Gb-16Gb Capacités DIMM élevées
Débit de données 800Mb/s – 2133Mb/s 1600Mb/s – 3200Mb/s Migration vers des E/S à plus hauts débits
Tension 1,5V 1,2V Consommation d'énergie réduite
Basse tension standard Oui (DDR3L à 1,35V) Prévue à 1,1V Réduction de l'alimentation des mémoires
Blocs internes 8 16 Plus de blocs
Groupes de blocs (BG) 0 4 Accès en rafale accélérés
Entrées VREF 2 – DQs et CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR VREFDQ maintenant interne
tCK – DLL Activé 300MHz – 800MHz 667MHz – 1,6GHz Débits de données améliorés
tCK – DLL Désactivé 10MHz – 125MHz (opcional) Indéfini jusqu'à 125MHz DLL-off maintenant totalement pris en charge
Latence de lecture AL + CL AL + CL Valeurs étendues
Latence d'écriture AL + CWL AL + CWL Valeurs étendues
DQ Driver (ALT) 40 Ω 48 Ω Optimal pour les applications PtP
DQ Bus SSTL15 POD12 Alimentation et bruit E/S réduits
Valeurs RTT (en Ω) 120, 60, 40, 30, 20 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 Support pour débits de données améliorés
RTT Non autorisé Lectures en rafales Désactive pendant les lectures en rafales Facilité d'utilisation
Modes ODT Lectures en rafales Désactive pendant les lectures en rafales Mode de contrôle supplémentaire ; Changement de valeur OTF
Contrôle ODT Signalisation ODT requise Signalisation ODT non-requise Facilité du contrôle ODT ; Autorise le routage non-ODT, Applis PtP
Registre tous usages Quatre registres – 1 défini, 3 RFU Quatre registres – 3 définis, 1 RFU Fournit des relevés spécialisés supplémentaires
Types de DIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
Broches de DIMM 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS ECC CRC, Parité, Addressabilité, GDM Autres caractéristiques RAS ; intégrité améliorée des données
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