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RECHERCHE DE MÉMOIRES

Mémoire certifiée Intel XMP

Décodeur de références produits

Les informations suivantes ont pour but de vous aider à identifier les modules de mémoire Kingston® HyperX® par spécification.

Glossaire

Capacité

Nombre total de cellules mémoire sur un module, exprimé en méga-octets ou giga-octets. Pour les kits, la capacité affichée correspond à la capacité combinée de tous les modules du kit.

Latence CAS

L'un des plus importants temps de latence (exprimé en cycles d'horloge) concernant l'accès des données sur un module de mémoire. Une fois que la commande d'écriture ou de lecture des données et/ou les adresses des colonnes/lignes ont été chargées, la latence CAS représente le délai final qui s'écoule avant que les données ne soient prêtes à être écrites ou lues.

DDR3

Mémoire SDRAM DDR (Double Data Rate) de troisième génération. Tout comme la DDR2, elle est le fruit de l'évolution continue de la technologie de mémoire DDR. Elle allie vitesses supérieures (jusqu'à 1 600 MHz), faible consommation d'énergie et dissipation thermique. Cette mémoire est idéale pour les systèmes gourmands en bande passante qui sont équipés de processeurs à deux et quatre cœurs. En outre, la consommation d'énergie réduite est parfaite pour les plates-formes mobiles et les serveurs.

DDR2

Mémoire DDR de deuxième génération. Les modules de mémoire DDR2 ne sont pas rétrocompatibles avec la technologie DDR en raison d'une tension inférieure, de différences au niveau de la configuration des broches et d'une technologie de puce mémoire incompatible.

Kit

Pack contenant plusieurs modules de mémoire : K2 = 2 modules dans un kit.

Registered

Module de mémoire contenant une ou plusieurs puces de registres qui servent à relayer et synchroniser les signaux de contrôle et d'adresse émis par le contrôleur mémoire de la carte mère ainsi qu'une puce PLL (Phase Locked Loop, boucle à verrouillage de phase) utilisée pour relayer le signal d'horloge de la carte mère à toutes les puces DRAM.

Vitesse

Débit de données ou vitesse d'horloge effective pris en charge par un module de mémoire.

LATENCY TIMING

Les informations ci-après vous aideront à mieux comprendre les paramètres à adopter lorsque vous modifiez les valeurs de synchronisation de la mémoire dans le BIOS de la carte mère pour optimiser les performances. Attention : ces paramètres peuvent varier selon le modèle ou la marque de la carte mère, ainsi que selon la version du BIOS.


Abréviations

Définition

Rôle

CL

CAS Latency

Délai entre l'activation et la lecture d'une rangée.

tRCD

RAS to CAS (Row to Column Delay ou délai entre l'activation de la colonne et de la rangée)

Active la rangée.

tRP/tRCP

Row Precharge Delay (ou RAS Precharge Delay ou délai de préchargement de rangée)

Désactive la rangée.

tRA/tRD/tRAS

Row Active Delay (ou RAS Active Delay, ou délai de disponibilité)

Nombre de cycles d'horloge entre l'activation et la désactivation d'une rangée.

CMD Rate

Command rate

Délai entre la sélection de puce et la commande.

Remarque : tous les produits Kingston sont testés en vue de satisfaire nos spécifications publiées. Il est possible que certaines configurations de la carte mère ou du système ne fonctionnent pas avec les vitesses et les paramètres de synchronisation publiés pour la mémoire HyperX. Kingston ne vous conseille pas de faire tourner votre ordinateur à une vitesse supérieure à celle publiée. Le surcadençage et la modification des paramètres de synchronisation de votre système peuvent endommager les composants de votre ordinateur.