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Glossaire

Capacité

Nombre total de cellules mémoire sur un module, exprimé en méga-octets ou giga-octets. Pour les kits, la capacité affichée correspond à la capacité combinée de tous les modules du kit.

Latence CAS

L'un des plus importants temps de latence (exprimé en cycles d'horloge) concernant l'accès des données sur un module de mémoire. Une fois que la commande d'écriture ou de lecture des données et/ou les adresses des colonnes/lignes ont été chargées, la latence CAS représente le délai final qui s'écoule avant que les données ne soient prêtes à être écrites ou lues.

DDR3

Mémoire SDRAM DDR (Double Data Rate) de troisième génération. Tout comme la DDR2, elle est le fruit de l'évolution continue de la technologie de mémoire DDR. Elle allie vitesses supérieures (jusqu'à 1 600 MHz), faible consommation d'énergie et dissipation thermique. Cette mémoire est idéale pour les systèmes gourmands en bande passante qui sont équipés de processeurs à deux et quatre cœurs. En outre, la consommation d'énergie réduite est parfaite pour les plates-formes mobiles et les serveurs.

DDR2

Mémoire DDR de deuxième génération. Les modules de mémoire DDR2 ne sont pas rétrocompatibles avec la technologie DDR en raison d'une tension inférieure, de différences au niveau de la configuration des broches et d'une technologie de puce mémoire incompatible.

Kit

Pack contenant plusieurs modules de mémoire : K2 = 2 modules dans un kit.

Mémoire à registres

Module de mémoire contenant une ou plusieurs puces de registres qui servent à relayer et synchroniser les signaux de contrôle et d'adresse émis par le contrôleur mémoire de la carte mère ainsi qu'une puce PLL (Phase Locked Loop, boucle à verrouillage de phase) utilisée pour relayer le signal d'horloge de la carte mère à toutes les puces DRAM.

Vitesse

Débit de données ou vitesse d'horloge effective pris en charge par un module de mémoire.