Panoramica sui moduli DDR4

Mentre lo standard DDR3 si approssima al raggiungimento dei propri limiti, in un contesto sempre più esigente in fatto di prestazioni ed ampiezza di banda, dall’altro possiamo oramai dire che la nuova generazione di memorie SDRAM DDR è oramai arrivata. Le memorie DDR4 garantiscono prestazioni più elevate, capacità DIMM ampie, maggiore integrità dei dati ed un ridotto consumo energetico.

Arrivando ad oltre 2Gbps per pin e potendo assorbire meno energia delle memorie DDR3L, (DDR3 Low Voltage), le memorie DDR4 assicurano un incremento nelle prestazioni e nell’ampiezza di banda che può arrivare fino al 50%, riducendo allo stesso tempo il consumo energetico, a vantaggio dell’efficienza dell’intero sistema di elaborazione. Ciò si traduce in un significativo passo avanti rispetto alle precedenti tecnologie delle memorie, oltre che in un risparmio energetico vicino al 40%.

Ma l’incremento prestazionale ed il risparmio energetico non sono gli unici vantaggi offerti dalle memorie DDR4, che introducono anche i controlli CRC (Cyclic Redundancy Checks) per una maggiore affidabilità dei dati, il rilevamento della parità on-chip per la verifica dell’integrità dei trasferimenti over link di comandi e indirizzi, una maggiore integrità di segnale ed altre importanti funzionalità RAS.

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Panoramica sulla tecnologia
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Informazioni sulle memorie DDR4

Esistono alcune sottili differenze tra i moduli DDR3 e DDR4.

Differente posizione della tacca

La tacca di un modulo DDR4 si trova in una posizione diversa rispetto a quella presente in un modulo DDR3. In entrambi i moduli la tacca si trova sul bordo di inserimento, ma quella del modulo DDR4 si trova in una posizione leggermente diversa per evitare che il modulo possa essere inserito in schede o piattaforme non compatibili.

Maggiore spessore

I moduli DDR4 sono leggermente più spessi dei moduli DDR3, per poter ospitare più livelli di segnale.

Bordo curvo

I moduli DDR4 sono caratterizzati da un bordo curvo che facilita l’inserimento e riduce la pressione sul PCB durante l’operazione di installazione della memoria.

Panoramica sulle specifiche
Descrizione DDR3 DDR4 Vantaggio
Densità chip Da 512Mb a 8Gb Da 4Gb a 16Gb Capacità DIMM maggiorate
Velocità dati Da 800Mb/s a 2133Mb/s Da 1600Mb/s a 3200Mb/s Migrazione a I/O più veloci
Voltaggio 1,5V 1,2V Minor esigenza di energia della memoria
Standard “Low Voltage” Sì (DDR3L a 1,35V) Anticipato a 1,1V Minor consumo energetico della memoria
Banchi interni 8 16 Più banchi
Gruppi di Banchi (BG) 0 4 Accessi di trasferimento più rapidi
Input VREF 2 – DQ e CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR VREFDQ interno
tCK – DLL Enabled Da 300MHz a 800MHz Da 667MHz a 1,6GHz Maggiore velocità dei dati
tCK – DLL Disabled Da 10MHz a 125MHz (optional) Da indefinita a 125MHz Supporto completo DLL-off
Latenza di lettura AL + CL AL + CL Valori estesi
Latenza in scrittura AL + CWL AL + CWL Valori estesi
DQ Driver (ALT) 40 Ω 48 Ω Ottimizzato per applicazioni PtP
Bus DQ SSTL15 POD12 Minor consumo e rumore I/O
Valori RTT (in Ω) 120, 60, 40, 30, 20 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 Supporto per maggiore velocità dei dati
RTT non consentito READ Bursts Disattivato durante Read Burst Facilità d’uso
Modalità ODT Nominale, Dinamica Nominale, Dinamica, Park Modalità di controllo aggiuntiva; modifica valori OTF
Controllo ODT Signaling ODT necessario Signaling ODT NON necessario Controllo ODT semplificato; supporto Non-ODT Routing, PtP App
Registro multifunzione Quattro registri – 1 definito, 3 RFU Quattro registri – 3 definiti, 1 RFU Ulteriori opzioni di readout
Tipi DIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
Pin DIMM 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS ECC CRC, Parity, Addressability, GDM Ulteriori funzioni RAS; maggiore integrità di dati
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