Tutte le memorie NAND Flash integrate nei dispositivi di storage flash subiscono un degrado in termini di affidabilità nel mantenimento dei bit di dati in memoria. Tale degrado si verifica a ogni ciclo di programmazione o cancellazione (ciclo P/E) eseguito da una memoria NAND Flash, fino a quando tale memoria non è più in grado di garantire l'affidabilità di memorizzazione dei dati. A questo punto, la memoria deve essere rimossa dal pool di storage utilizzabile dall'utente e l'indirizzo logico a essa assegnata viene riallocato su un nuovo indirizzo di memoria fisico dell'array di storage della memoria NAND Flash.
Dato che le celle di memoria sono costantemente soggette a cicli di programmazione e cancellazione, anche il valore del BER tende a crescere in modo lineare; ed è per questo motivo che è necessario implementare una serie di complesse tecnologie di gestione sull'FSP del disco SSD, al fine di gestire in modo ottimale la capacità delle celle di memoria di conservare i dati durante l'intero ciclo di vita stimato del disco SSD. [6]
La resistenza ai cicli di P/E di una determinata memoria NAND Flash può variare notevolmente, in base al tipo di processo di produzione litografico corrente e al tipo di memoria NAND Flash prodotta.
| Tipo di memoria NAND Flash |
TLC |
MLC |
e-MLC |
SLC |
| Architettura |
3 bit per cella |
2 bit per cella |
2 bit per cella |
1 bit per cella |
| Capacità |
Massima capacità |
Alta capacità |
Alta capacità |
Capacità minima |
| Durata (P/E) |
Durata minima |
Durata media |
Lunga durata |
Massima durata |
| Costo |
€ |
€€ |
€€€ |
€€€€ |
| Tasso approssimativo di errori dei bit NAND (BER) |
10^4 |
10^7 |
10^8 |
10^9 |
Tabella 2 - Tipologie di memorie NAND Flash [6] [7] [8] [9]
Le memorie NAND Flash di tipo e-MLS (Multi Level Cell) per impieghi aziendali utilizzate sui dischi SSD E100 di classe aziendale di Kingston funzionano in modo simile alle memorie NAND Flash MLC di fascia commerciale, ma prevedono requisiti superiori in termini di controlli e caratteristiche di qualificazione dei componenti, al fine di garantire una maggiore durata in termini di cicli P/E e valori BER inferiori, rispetto alle memorie MLC standard utilizzate sugli SSD destinati a dispositivi client.
Dato che un disco SSD di classe aziendale deve essere in grado di sostenere intensi processi di scrittura, negli scenari tipici dei server utilizzati nei centri dati, con un impiego costante 24/7, a differenza degli SSD client, che vengono tipicamente utilizzati per 8 ore al giorno durante la settimana, le memorie di tipo e-MLC costituiscono la scelta perfetta per gli SSD a cui vengono richieste alte prestazioni, elevata capacità e massima durata.
Comprendere i fattori che determinano la resistenza di un SSD ai cicli di scrittura può rappresentare un'operazione complessa. Ecco perché il comitato del JEDEC ha anche proposto un metodo di misurazione della durata che utilizza un parametro basato sui TeraByte scritti (TBW), che indica la quantità di dati grezzi che può essere scritta su un disco SSD prima che la memoria NAND Flash contenuta nel disco SSD diventi inaffidabile e richieda la sostituzione del disco.
Utilizzando le procedure proposte dai documenti JEDEC, JESD218A "Testing methods" (Metodi di test) e ESD219 "Enterprise class workloads" (Carichi di lavoro per dispositivi di classe aziendale), diventa semplice interpretare i calcoli di durata effettuati dai produttori di dischi SSD attraverso il parametro TBW, per poi estrapolare e convertire i dati di durata in una forma maggiormente comprensibile, applicabile a qualunque centro dati.
Come indicato nei documenti JESD218 e JESD219, gli impieghi di carichi di lavoro relativi a classi di applicazioni differenti possono anche essere influenzati da un fattore di amplificazione di scrittura (WAF), con un ordine di grandezza superiore a quello delle operazioni di scrittura effettive inviate dal dispositivo host, che possono facilmente causare fenomeni non gestibili di usura delle memorie NAND Flash, elevati valori BER delle memorie NAND Flash a causa degli eccessivi cicli di scrittura nel tempo, nonché un rallentamento delle prestazioni determinato dalla presenza di elevate quantità di pagine non valide distribuite sul disco SSD. Il meccanismo di compressione in tempo reale utilizzato dal disco SSD E100 di Kingston dotato di tecnologia LSI® SandForce® DuraWrite™ riduce il WAF complessivo, estendendo la durata nominale della memoria NAND Flash con le applicazioni tipiche degli ambienti aziendali.
Sebbene il TBW sia un argomento importante in termini di comparazione tra gli SSD di classe aziendale e quelli destinati al segmento client, esso rappresenta unicamente un modello predittivo che indica il livello di durata di una determinata memoria NAND Flash, mentre il tempo medio fra i guasti (MBTF) può essere considerato come un modello predittivo indicante il livello di affidabilità e durata dei componenti basato sull'affidabilità dei componenti utilizzati dal dispositivo. Le aspettative relative ai componenti utilizzati sui dischi SSD di classe aziendale sono concentrate su elevata durata e alta resistenza nella gestione delle tensioni che attraversano la memoria NAND Flash, piuttosto che sulla durata del ciclo di vita stimata dei dischi SSD.
Le funzioni di monitoraggio e reporting S.M.A.R.T integrate nei dischi SSD di classe aziendale consentono, con la massima semplicità, di analizzare il dispositivo per valutare la presenza di sintomi che indichino un imminente malfunzionamento e di determinarne la durata stimata, sulla base del fattore di amplificazione in scrittura corrente e del livello di usura rilevato. Spesso questi dispositivi supportano anche le funzionalità di notifica predittiva relative ai malfunzionamenti che indicano guasti imminenti, come le perdite di potenza, gli errori dei bit presenti sull'interfaccia fisica o la presenza di una distribuzione dell'usura non uniforme.
Gli SSD di classe client offrono invece solamente le funzionalità S.M.A.R.T minime richieste per il monitoraggio dei drive durante il normale utilizzo, oppure dopo che il guasto si è verificato.
A seconda della classe dell'applicazione e della capacità dell'SSD è anche possibile allocare una maggiore quantità di memoria di riserva sulla memoria NAND Flash, da utilizzare come capacità di riserva avente funzioni di over provisioning (OP).
La capacità di over provisioning (OP) viene nascosta all'utente e all'accesso da parte del sistema operativo e può essere utilizzata come buffer di scrittura temporaneo per garantire performance elevate per tempi prolungati, nonché fungere da memoria sostitutiva per compensare eventuali celle di memoria Flash difettose, durante il ciclo di vita del disco SSD, al fine di ottimizzare l'affidabilità e la durata dello stesso.