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HyperX SO-DIMM メモリキット

BIOS で周波数やタイミングの調整を行えないノート PC やネットブックでも、ユーザーが Kingston に期待するパフォーマンス向上を BIOS 調整と同じレベルで実現する新しいソリューションが登場しました。 Kingston HyperX SO-DIMM メモリキットをご使用のノート PC に設置するだけで、システムがすべてのパラメータや設定の自動調整を行い、最大限のパフォーマンスを達成します。 このメモリキットが実現する電光石火の応答速度で、余分な電力を消費することなく、より高速でのプログラム稼動が可能です。



KHX image
HyperX SO-DIMM DDR3 の機能と特長：
  1. キット取り付け後は、ご使用のシステムが最適パフォーマンス達成のために必要なパラメータの自動調整を行うため、追加調整作業は不要
  2. 標準的な DDR3 メモリモジュールと同様の 1.5V 電圧動作で、システムの標準バッテリ寿命が短くなる心配は不要
  3. スリムなアルミ製ヒートシンクを装備し、空間的制約があるノート PC 内でも最適な冷却効率を達成
  4. 通常のメモリキットと比較して超低レイテンシータイミング（28.6% （CL5：CL7））
  5. ノート PC での最適パフォーマンスを追及するユーザーに適したメモリ製品


HyperX DDR3 メモリキット：
Kingston
製品番号		 説明 容量 レイテン
シータイ
ミング		 電圧  
KHX8500S3ULK2/4GX DDR3-1066, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM, Intel X.M.P 4GB, Kit of 2 - 2GB 5-5-5-15 1.5V(Datasheet)
KHX8500S3ULK2/4G DDR3-1066, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM 4GB, Kit of 2 - 2GB 5-5-5-15 1.5V(Datasheet)



KHX image
SO-DIMM デュアルチャンネル DDR2 features の機能と特長：
  1. キット取り付け後は、ご使用のシステムが最適パフォーマンス達成のために必要なパラメータの自動調整を行うため、追加調整作業は不要
  2. 標準的な DDR3 メモリモジュールと同様の 1.8V 電圧動作で、システムの標準バッテリ寿命が短くなる心配は不要
  3. 通常のメモリキットよりも短時間で読み出し/書き込み処理が可能な超低レイテンシータイミング


デュアルチャンネル DDR メモリキット：
Kingston
製品番号		 説明 容量 レイテン
シータイ
ミング		 電圧  
KHX6400S2ULK2/4G DDR2-800, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM 4GB, Kit of 2 - 2GB 4-4-4-12 1.8V(Datasheet)
KHX6400S2ULK2/2G DDR2-800, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM 2GB, Kit of 2 - 1GB 4-4-4-12 1.8V(Datasheet)
KHX6400S2LLK2/4G DDR2-800, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM 4GB, Kit of 2 - 2GB 5-5-5-15 1.8V(Datasheet)
KHX6400S2LLK2/2G DDR2-800, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM 2GB, Kit of 2 - 1GB 5-5-5-15 1.8V(Datasheet)
KHX5300S2LLK2/4G DDR2-667, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM 4GB, Kit of 2 - 2GB 4-4-4-12 1.8V(Datasheet)
KHX5300S2LLK2/2G DDR2-667, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM 2GB, Kit of 2 - 1GB 4-4-4-12 1.8V(Datasheet)



タイミングの定義：
    レイテンシータイミングは、実際の使用における HyperX のパフォーマンスを表す重要な指標です。 以下の表は、各タイミングとその内容を理解するために、各定義を簡単に説明したものです。 簡単に言うと、タイミングの数値が小さいほど、メモリキットがデータの読み出し/書き込み処理をより高速で完了し、指定の処理を次のアドレスで実行できることになり、パフォーマンス向上につながります。

レイテンシータイミング 8-8-8-24 の KHX14400D3T1K2/2G 使用例での各タイミングの意味：
タイミング 定義 略語 意味
8 CAS Latency （CASレイテンシー） CL データのアレイ位置確認から RAS（Row Addressing Strobe）が特定列アドレスにアクセスするまでにかかる遅延時間、およびデータが所定アレイ位置からバスに移動するのに必要なクロックサイクル数
8 RAS to CAS：RASからCASへの切り換え遅延（Row to Column delay：行アドレスから列アドレスへの切り換え遅延） rRCD 行アドレスから列アドレスへの移動に必要な遅延クロックサイクル数
8 Row Precharge Delay：行プリチャージ遅延（RAS Precharge Delay：RASプリチャージ遅延） tRP/tRCP 特定行アドレスを閉じて別の行を活性化するのに必要なクロックサイクル数
24 Row Active Delay：行活性化遅延 （またはRAS活性化遅延、準備時間） tRA/tRD/tRAS 処理完了時に行の再活性化に必要な遅延クロックサイクル数



タイミングが増大するにつれて周波数が上がる理由
    システムが同じ周波数で動作する限り、タイミングはできるだけ低く抑えることが理想的ですが、新しい高帯域幅のメモリ製品では、低帯域幅の製品と比較してタイミングのパラメータが高い傾向が見られます。 以下の表は、速度の違いを例示したものです。

Kingston
製品番号		 メモリ仕様 実際のクロック 単位時間 CL 実際の CL 実際のレイテンシー（合計）
KHX8500D2/1G DDR2-1066 533MHz 1.876ns 5 9.38ns 56.28ns
(5-5-5-15)
KHX6400D2LL/1G DDR2-800 400MHz 2.5ns 4 10ns 60ns
(4-4-4-12)
標準 DDR2-1066 DDR2-1066 533MHz 1.876ns 7 13.132ns 78.792
(7-7-7-21)
標準 DDR2-800 DDR2-800 400MHz 2.5ns 5 12.5ns 75ns
(5-5-5-15)
標準 DDR2-667 DDR2-667 333MHz 3ns 4 12ns 72ns
(4-4-4-12)



DDR2-800 と DDR2-667 を比較すると、タイミング値の違いは 1 ですが、実際の CL の違いはわずか 0.5ns であるため、レイテンシーの違いは無視できる程度ということになります。 ただし、同じ周波数におけるデータ転送速度では、当然 DDR2-800 が DDR2-667 を上回ることになり、これは HyperX の主要な長所のひとつとなっています。 高周波数や低レイテンシータイミングにかかわらず、Kingston のメモリキットはシステムのレイテンシータイムを短縮し、同じ動作電圧でより優れたパフォーマンスとスピードを提供します。


※注記：
  1. Kingston では、製品ラベルに記載のパラメータ通りに設定されていることを確認するために、HyperX メモリキット全製品に対して厳正なテストを実施しています。 ただし、マザーボードやシステムによっては、ファームウェアが古いことが原因で、製品が動作しない場合があります。
  2. Kingston は、ご使用のコンピュータを公表値を超える周波数およびタイミングで動作させることを推奨していません。 不適切なパラメータ設定により、ご使用のハードウェアの損傷をまねくおそれがあります。


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