DDR4 の概要

より高いパフォーマンスと帯域幅の増大が求められている今日、DDR3 の対応力が上限に達しつつある中で、新しい世代の DDR SDRAM が実現しました。DDR4 は、より高いパフォーマンス、より大きな DIMM 容量、データの整合性の向上、および消費電力の低下という特徴があります。

1 ピンあたり 2Gbps 以上、また DDR3L (低電圧タイプの DDR3) よりも低い消費電力を達成した DDR4 は、パフォーマンスと帯域幅の能力が最大で 50% 向上します。一方、コンピューティング環境全体の消費電力は低減します。したがって従来のメモリテクノロジーを遥かに超えた結果と、40% の節電効果がもたらされます。

このように最適化されたパフォーマンスならびに環境にやさしい低コストのコンピューティングに加え、DDR4 にはデータの信頼性を向上させる CRC (循環冗長検査)、リンクを介したコマンドとアドレス転送の完全性を検証するためのオンチップ・パリティ検出、信号の整合性拡充、その他の強力な RAS 機能が搭載されています。

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テクノロジー一覧
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DDR4 詳細

DDR3 モジュールと DDR4 モジュールの間にわずかな違いがあります。

キーノッチの違い

DDR4 モジュールのキーノッチは DDR3 モジュールの場合と位置が異なっています。いずれのノッチも挿入エッジにありますが、DDR4 での位置はわずかに異なっています。これは互換性のない基板やプラットフォームにモジュールが組み込まれないようにするためです。

厚さ増大

より多くの信号レイヤ数に対応するため、DDR4 モジュールは DDR3 モジュールよりも幾分厚くなっています。

カーブエッジ

DDR4 のカーブエッジは挿入しやすいデザインであるほか、メモリの組み込み時に PCB へのストレスを緩和します。

仕様一覧
説明 DDR3 DDR4 メリット
チップ密度 512Mb-8Gb 4Gb-16Gb DIMM 容量の増大
データレート 800Mb/秒~2133Mb/秒 1600Mb/秒~3200Mb/秒 高速 I/O への移行
電圧 1,5V 1,2V メモリの電力消費を節減
低電圧規格 Yes (DDR3L at 1.35V) 1.1V での予測 メモリ電力の節減
内部バンク 8 16 その他のバンク
バンクグループ (BG) 0 4 バーストアクセスの高速化
VREF 入力 2 – DQ および CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR VREFDQ Now Internal
tCK – DLL 有効 300MHz – 800MHz 667MHz – 1,6GHz より高いデータレート
tCK – DLL 無効 10MHz~125MHz (オプション) 未定義~125MHz DLL-オフを完全サポート
DLL-オフを完全サポート AL + CL AL + CL 拡張値
書き込みレーテンシ AL + CWL AL + CWL 拡張値
DQ ドライバ (ALT) 40 Ω 48 Ω PtP アプリケーションに最適
DQ バス SSTL15 POD12 I/O ノイズと電力を低減
RTT 値 (Ω) 120, 60, 40, 30, 20 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 より高いデータレートをサポート
RTT 不可 読み取りバースト 読み取りバースト中に無効化 使いやすい
ODT モード 公称、ダイナミック 公称、ダイナミック、パーク その他のコントロールモード、OTF 値の変更
ODT コントロール ODT シグナリング要 ODT シグナリング要求なし 簡単な ODT コントロール、非 ODT ルーティング、PtP アプリケーション可能
多目的レジスタ レジスタ 4 個 – 定義済み 1、RFU 3 レジスタ 4 個 – 定義済み 1、RFU 1 さらなる特殊リードアウトを提供
DIMM のタイプ RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
DIMM ピン 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS ECC CRC、パリティ、対応力、GDM さらなる RAS 機能を追加、データ整合性の向上
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