Kingston Technology Company - Kingston KHX HyperX DDR3

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HyperX DDR3 Memory 드디어 출시!

KHX:DDR3 - 드디어 출시 - DDR 메모리 기술의 차세대 혁신 제품, HyperX DDR3 메모리. 모든 Kingston HyperX 제품과 마찬가지로, HyperX DDR3 모듈도 PC 매니어의 까다로운 요구 사항을 충족시키기 위해 특별한 설계로 제조되었습니다. HyperX DDR3은 빠른 속도, 낮은 지연 시간, 높은 데이터 대역폭, 낮은 전력 소비를 특징으로 합니다. HyperX는 싱글 채널 및 듀얼 채널 메모리 키트 두 가지로 제공됩니다.

HyperX DDR3* 특징:

1.7V 작동
반사 신호 전송 오류를 방지하기 위해 메모리 칩 내에서 메모리 신호 종료(“On-Die Termination”)
작동 측면에서의 개선을 통해 메모리 성능, 효율성 및 타이밍 마진을 증대
CAS 지연 시간: 5 (Ultra Low 지연 시간) 및 7 (Low 지연 시간)
현재 최대 속도 1.5GHz와 최대 용량 2GB 키트 구입 가능
모듈 연결(핀의 수), 전압 및 DRAM 기술이 호환되지 않기 때문에, DDR3 메모리 모듈은 DDR2 및 DDR 기반의 마더보드로 역호환이 되지 않습니다. DDR3 메모리 모듈의 키나 소켓은 동일한 크기의 DDR 및 DDR2 모듈과 달라서 이들의 메모리 소켓에 끼울 수 없습니다. HyperX는 싱글 채널 및 듀얼 채널 메모리 키트 두 가지로 제공됩니다.

SINGLE-CHANNEL MEMORY MODULES
Kingston 부품 번호	설명	† 지연 시간	전압

KHX14400D3/1G	1GB 1800MHz DDR3 Non-ECC Low Latency CL8	8-8-8-24	1.9V	(Datasheet)

KHX13000D3LL/1G	1GB 1625MHz DDR3 Non-ECC Low Latency CL7	7-7-7-20	1.9V	(Datasheet)

KHX12800D3/1G	1GB DDR3 1600MHz Non-ECC CL9	9-9-9-27	1.9V	(Datasheet)

KHX12800D3/2G	2GB DDR3 1600MHz Non-ECC CL9	9-9-9-27	1.9V	(Datasheet)

KHX11000D3LL/1G	1GB DDR3 1375MHz Non-ECC CL7	7-7-7-20	1.7V	(Datasheet)

KHX11000D3UL/1G	1GB DDR3 1375MHz Non-ECC CL5	5-7-5-15	1.8V	(Datasheet)

DUAL-CHANNEL MEMORY KITS
Kingston 부품 번호	설명	† 지연 시간	전압

KHX14400D3K2/2G	2GB 1800MHz DDR3 Non-ECC CL8 (kit of 2 - 1GB)	8-8-8-24	1.9V	(Datasheet)

KHX14400D3K2/2GN	2GB DDR3 1800MHz Non-ECC CL8 (kit of 2 – 2GB) Nvidia SLi Certified	8-8-8-24	1.9V	(Datasheet)

KHX14400D3K2/2GX	2GB DDR3 1800MHz Non-ECC CL8 (kit of 2 – 2GB) Intel XMP Certified	8-8-8-24	1.9V	(Datasheet)

KHX13000D3LLK2/2G	2GB 1625MHz DDR3 Non-ECC Low Latency CL7 (kit of 2 - 1GB)	7-7-7-20	1.9V	(Datasheet)

KHX13000D3LLK2/2GN	2GB DDR3 1625MHz Non-ECC CL8 (kit of 2 1GB) Nvidia SLi Certified	8-7-7-20	1.8V	(Datasheet)

KHX13000D3LLK2/2GX	2GB 1625MHz DDR3 Non-ECC Low Latency CL7 XMP Certified (kit of 2 - 1GB)	7-7-7-20	1.9V	(Datasheet)

KHX12800D3K2/2G	2GB DDR3 1600MHz Non-ECC CL9 (kit of 2 – 1GB)	9-9-9-27	1.9V	(Datasheet)

KHX12800D3K2/4G	4GB DDR3 1600MHz Non-ECC CL9 (kit of 2 – 2GB)	9-9-9-27	1.9V	(Datasheet)

KHX11000D3LLK2/2G	2GB kit DDR3 1375MHz Non-ECC CL7 (kit of 2 - 1GB)	7-7-7-20	1.7V	(Datasheet)

KHX11000D3ULK2/2G	2GB kit DDR3 1375MHz Non-ECC CL5 (kit of 2 - 1GB)	5-7-5-15	1.8V	(Datasheet)

TRIPLE-CHANNEL MEMORY KITS
Kingston 부품 번호	설명	† 지연 시간	전압

KHX11000D3LLK3/3GX	3GB 1375MHz DDR3 Non-ECC Low Latency CL7 (kit of 3-1GB)	7-7-7-20	1.65V	(Datasheet)

KHX12800D3LLK3/3GX	3GB 1600MHz DDR3 Non-ECC Low Latency CL8 (kit of 3-1GB)	8-8-8-24	1.65V	(Datasheet)

KHX14400D3K3/3GX	3GB 1800MHz DDR3 Non-ECC CL9 (kit of 3-1GB)	9-9-9-27	1.65V	(Datasheet)

KHX14900D3K3/3GX	3GB 1866MHz DDR3 Non-ECC CL9 (kit of 3-1GB)	9-9-9-27	1.65V	(Datasheet)

KHX16000D3K3/3GX	3GB 2000MHz DDR3 Non-ECC CL9 (kit of 3-1GB)	9-9-9	1.65V	(Datasheet)

* 모듈 연결(핀의 수), 전압 및 DRAM 기술이 호환되지 않기 때문에, DDR3 메모리 모듈은 DDR2 기반의 마더보드와 역호환되지 않습니다. DDR3 메모리 모듈의 키나 소켓은 동일한 크기의 DDR2 모듈과 달라서 이들의 메모리 소켓에 끼울 수 없습니다. HyperX는 싱글 채널 및 듀얼 채널 메모리 키트 두 가지로 제공됩니다.

† 아래의 정보는 마더보드 BIOS에서 최적의 성능을 위해 메모리 타이밍을 조정할 때 적절한 설정을 찾는 데 도움이 됩니다. 이 설정은 마더보드 제조업체/모델 또는 BIOS 업데이트에 따라 달라질 수 있습니다.

샘플:

부품 번호	타이밍
KHX3200A/512	2-3-2-6-1

타이밍	정의	약어	기능 설명
2	CAS 지연 시간	CL	행 활성화와 행 읽기 사이의 지연
3	RAS to CAS (또는 Row to Column Delay)	tRCD	Activates row
2	Row Precharge Delay (또는 RAS Precharge Delay)	tRP/tRCP	Deactivates row
6	Row Active Delay (또는 RAS Active Delay, 또는 준비 시간)	tRA/tRD/tRAS	행 활성화와 행 읽기 사이의 클럭 사이클 수
1	Command Rate	CMD Rate	칩 선택과 명령 사이의 지연

참고: 모든 Kingston 제품은 발표된 사양을 충족시키기 위해 테스트를 거칩니다. 일부 시스템이나 마더보드 구성에서는 발표된 HyperX 메모리 속도와 타이밍 설정으로 작동하지 않을 수 있습니다. Kingston은 사용자가 발표된 속도 이상으로 컴퓨터를 실행하지 않을 것을 권장합니다. 오버클러킹이 발생하거나 시스템 타이밍을 수정하면 컴퓨터 컴포넌트가 손상될 수 있습니다.

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