Go to Kingston.com Homepage KOREA  
Kingston Tools


Ultimate Memory Guide

들어봤음직한 기타의 메모리 테크놀로지

강화된 SDRAM (ESDRAM)
표준 메모리 모듈의 속도와 능률을 향상시키기 위하여, 일부 제조업자들은 칩에 직접 소량의 SRAM을 통합하여, 효과적으로 온칩의 캐시를 만들어냈습니다. ESDRAM은 본질적으로 SDRAM에 소량의 SRAM 캐시를 더한것으로서, 200MHz까지의 버스트 운영이 가능하도록 해줍니다. 외부 캐시메모리와 마찬가지로, 캐시DRAM의 목적은 가장 자주 사용되는 데이터를 SRAM 캐시에 저장하여 DRAM을 느리게하는 액세스를 최소화하는 것입니다. 온칩SRAM의 장점은 SRAM과 DRAM사이에 더 넓은 버스가 가능하도록하여 DRAM의 대역폭과 속도를 효과적으로 증가시키는 것입니다.

고속주기 RAM (FCRAM)
도시바와 후지쯔가 공동 개발한 FCRAM은 고성능 서버, 프린터, 전기통신 전환시스템과 같은 전문 응용기기를 위한것입니다. 이는 메모리 배열 구분과 내부 파이프라이닝을 포함하여 랜덤 액세스의 속도를 더하며 전력소모를 줄입니다.

싱크링크DRAM (SLDRAM)
오늘날에는 시대에 뒤진것으로 여겨지지만, SLDRAM은 1990년대 후반 램버스 테크놀로지의 대안으로서 DRAM 제조업체들의 협력으로 개발된 것입니다.

가상 채널 메모리(VCM)
NEC에 의해 개발된 VCM은 다른 "블록"의 메모리들이 고유 버퍼로 독립적으로 메모리 컨트롤러에 인터페이스할 수 있게 합니다. 이러한 방법으로, 다른 시스템 태스크들은 고유한 "가상채널"로 지정될 수 있으며 하나의 기능에 관련된 정보는 동시에 나타나는 다른 태스크와 버퍼 공간을 공유하지 않음으로써 운영을 좀 더 능률적으로 합니다.

에러 확인
메모리 안에 저장되어있는 데이터의 무결성을 확인하는 것은 메모리 디자인에 있어서 중요한 양상입니다. 이를 완수하기 위한 두 가지 주요 방법은 패리티와 에러수정코드(ECC)입니다.

역사적으로, 패리티는 가장 널리 사용된 데이터 무결성 방법이었습니다. 패리티는 단독 비트의 에러를 탐지할 수는 있지만 수정할수는 없습니다. 에러수정코드(ECC)는 단독 비트의 에러를 탐지 및 수정할 수 있는 좀 더 포괄적인 데이터 무결성 확인 방법입니다.

극소수의 PC제조업자들만이 그들의 디자인에 데이터 무결성 확인을 지원하고 있습니다. 이는 몇가지 요인에서 비롯됩니다. 첫째, 표준 메모리보다 비싼 패리티 메모리에 대한 지원을 삭제함으로써 제조업자들은 컴퓨터의 가격을 낮출 수 있게됩니다. 다행스럽게도, 이러한 경향은 두번째 요인으로 보충됩니다. 이것은 바로 특정 제조업자들로부터 제공되는 증가된 품질의 메모리로 인하여 메모리 에러가 비교적 적은 빈도로 발생한다는 것입니다.

데이터 무결성 확인의 종류는 주어진 컴퓨터 시스템이 어떻게 사용되느냐에 따라 달라집니다. 만약 컴퓨터가 서버와 같은 중요한 역할을 담당한다면, 데이터 무결성 확인을 지원하는 컴퓨터를 선택하는것이 이상적입니다. 일반적으로:

  • 대부분의 컴퓨터들은 ECC 메모리를 지원하는 고성능 서버로 사용되기 위해 디자인되었습니다.
  • 대부분의 저비용 컴퓨터들은 패리티 메모리 없이 가정이나 작은 규모의 비즈니스에서 사용되도록 디자인되었습니다.
패리티(PARITY)
패리티가 컴퓨터 시스템에 사용될 때, 1 패리티 비트는 모든 데이터의 8비트(1바이트)와 함께 DRAM에 저장됩니다. 두 종류의 패리티 프로토콜-홀수 패리티와 짝수 패리티-은 유사하게 작용합니다.

보통 패리티에서 8비트의 데이터가 DRAM에 쓰여졌을 때, 이에 상응하는 패리티 비트가 동시에 쓰여집니다. 패리티 비트(1이나0)의 값은 DRAM에 바이트가 쓰여졌을 때 1의 짝수나 홀수의 양에의해 결정됩니다. 일부 제조업자들은 저렴한 "모조 패리티" 칩을 사용합니다. 이 칩은 메모리 컨트롤러에 순응하기 위해 데이터가 CPU로 전송되었을 때 간단히 1이나0을 산출합니다. (예를 들어, 만약 컴퓨터가 홀수패리티를 사용한다면, 1의 짝수를 포함한 데이터의 바이트가 CPU로 전송되었을 때 모조패리티칩은 1을 산출할 것입니다. 만약 바이트가 1의 홀수를 포함하고 있다면, 모조패리티칩은 0을 산출할 것입니다). 문제는 모조 패리티 칩은 어떤 경우에도 "OK" 신호를 보낸다는 것입니다. 이러한 방법으로, 패리티 비트를 기다리고 있는 컴퓨터는 실제로 발생하고 있지 않은 패리티 검사가 발생하고 있다고 "속게" 됩니다. 결론적으로,모조패리티는 유효하지 않은 데이터 비트를 탐지할 수 없습니다.

아래의 표는 어떻게 홀수패리티와 짝수패리티가 작동하는지를 나타냅니다. 프로세스는 같지만 속성은 반대입니다.

홀수 패리티 짝수 패리티
1단계 대응하는 데이터의 바이트에 있는 짝수의 1을 포함하고 있으면 패리티 비트는 강제로 1("on")이 된다. 바이트가 짝수개의 1을 포함하고 있다면 패리티 비트는 강제로 0이 됩니다.
I만약 바이트가 홀수의 1을 포함한다면, 패리티는 강제로 0("off")이 된다. 대응하는 데이터의 바이트에 포함된 1이 홀수개이면 패리티비트는 강제로 1이 됩니다.
2단계 패리티비트와 상응하는 데이터의 8비트를 DRAM에 쓴다. (홀수 패리티와 같음)
3단계   데이터가 CPU로 전송되기 직전에 패리티회로에 의해 빼앗긴다. (홀수 패리티와 같음)
패리티회로는 1의 개수가 홀수이면 데이터가 유효하다고 봅니다. 패리티 비트는 데이터에서 삭제되고 8개의 데이터 비트는 CPU로 전달됩니다. 패리티회로가 1의 개수가 짝수라는것을 탐지하면 데이터는 유용한것으로 간주됩니다.
패리티회로는 1의 개수가 짝수이면 데이터가 유효하지 않다고 보고 패리티 에러를 발생시킵니다. 패리티회로가 1의 개수가 홀수라는것을 탐지하면 데이터는 유효하지 않습니다.


패리티에도 한계가 있습니다. 예를 들어, 패리티는 에러를 탐지할 수 있지만 수정할수는 없습니다. 이는 패리티 테크놀로지가 8개의 데이터 비트중 어느것이 유효하지 않은지 결정할 수 없기때문입니다.

또한, 복수의 비트가 유효하지 않을경우, 패리티회로가 검사하는 홀수 또는 짝수 패리티 조건과 데이터가 일치하면 패리티 회로는 문제를 발견하지 못할것입니다. 예를 들어, 유효한 0이 유효하지 않은 1이되고, 유효한 1이 유효하지 않은 0이된다면, 두 개의 불량 비트는 서로를 취소하게되고, 패리티 회로는 결과적 에러를 놓치게됩니다. 다행스럽게도, 이러한 경우는 매우 드물게 발생합니다.

ECC

에러수정코드(Error Correction Code)는 주로 고급 PC와 파일서버에서 사용되는 데이터 무결성 확인방법입니다. ECC와 패리티의 중요한 차이점은 ECC는 단일 비트 에러를 탐지하고 수정할 수 있다는 것입니다. ECC를 사용하게되면, 단일 비트 에러 수정은 사용자가 오류가 발생했는지도 모르게 이루어집니다. 메모리 컨트롤러와 컴퓨터 사용의 종류에따라 EFF는 드문 2 비트 메모리 에러도 발견할 수 있습니다. ECC가 복수 비트 에러를 발견할 수는 있지만 수정할수는 없습니다. 그러나 복수 비트의 에러도 수정할 수 있는 좀 더 복잡한 형태의 ECC도 있습니다.

특별한 수학상의 순서, 알고리즘을 사용하고 메모리 컨트롤러와 함께 작업하여, ECC회로는 데이터 비트에 ECC 회로를 첨부하여 같이 메모리에 저장합니다. CPU가 메모리로부터 데이터를 요청하면, 메모리 컨트롤러는 ECC 비트를 해독하여 한개 이상의 데이터 비트가 훼손되었는지를 결정합니다. 단일 비트 에러가 있다면, ECC 회로는 그 비트를 수정합니다. 드문 경우이지만 복수 비트의 에러가 발생했을 경우, ECC회로는 패리티에러를 보고합니다.

메모리 정화(Memory Scrubbing)

메모리 정화는 ECC DIMM이 처음 사용가능하게 되었을 때 대부분의 주요 서버 OEM들에 의해 이용되었던 특성입니다. 메모리 정화는 컴퓨터의 전원은 켜져있으나 작동하지 않을때 메모리의 에러를 찾아 수정하기 위해 활동적으로 읽는 과정을 말합니다. 그러므로, 정화 프로세스가 반복적으로 실행됨과 함께 전체적인 메모리 하부조직이 정기적으로 확인되고 청소되는것입니다. 만약 수정할수 없는 메모리 에러가 발견되면 서버관리시스템은 어느 DIMM이 에러를 발생시켰는지 경고할 것입니다.

Chipkill

Chipkill은매우 발달된 에러 수정방법이며 표준 ECC수정보다 훨씬 효과적입니다. Chipkill은 DIMM당 네개의 비트까지의 에러수정을 제공합니다.만약 너무 많은 메모리 에러가 발견되었다면, chipkill 테크놀로지는 서버가 에러가 발생하는것을 억제하기위해 계속 작동하고 있는동안에도 작용하지 않는 칩을 가져올 수 있습니다. Chipkill 지원은 메모리 컨트롤러와 표준 ECC DIMM을 사용하는 도구에 제공되므로 OS에는 투과성입니다.

기타 사항

폼 팩터, 메모리 테크놀로지, 에러확인방법과 더불어 메모리 제품을 이해하고 선택하는데 있어서 중요한 여러가지 기타 사항들이 있습니다.

스피드

메모리 구성요소와 모듈의 스피드는 메모리 구성을 최고로 활용하기위해 가장 중요한 요소중의 하나입니다.사실상, 모든 컴퓨터 시스템들이 메모리 구성요소 스피드를 명기합니다. 메모리 호환성을 확인하는 것은 이 사항에 순응하는 것을 필요로합니다. 이 부분에서는 메모리 구성요소와 모듈 스피드의 세가지 측정을 다루었습니다. : 액세스 시간, 메가헤르츠, 초당 바이트

액세스 시간

SDRAM에 앞서, 메모리 속도는 나노초(ns)로 측정된 액세스 시간으로 표현되었습니다. 메모리 모듈의 액세스 시간은 데이터의 요청에서 모듈이 전달하는데 걸린 시간을 표시합니다. 그러므로, 작은 숫자는 더 빠른 액세스 시간을 의미합니다. 전형적인 속도는 80ns, 70ns, 60ns였습니다. 아주 종종 칩의 부품번호로 모듈의 속도를 알아낼수 있습니다. "-6"으로 끝나는 번호는 60ns를, "-7"로 끝나는것은 70ns를 의미합니다.

대부분의 경우 요구되는 속도나 그보다 빠르게 등급이 매겨진 모듈로 컴퓨터 시스템의 메모리 명세사항에 맞게할 수 있습니다. 예를들어, 시스템이 70ns 메모리를 요구한다면, 아무런 문제 없이 70ns와 60ns 메모리를 사용할 수 있습니다. 그러나 일부 오래된 시스템은 시스템을 시작할때 모듈 ID의 등급을 확인하여, 정확한 속도를 인식했을때만 시작합니다. 예를들어,시스템이 80ns 속도를 가지고 있다면, 속도가 더 빠르다고 해도 80ns가 아닌것은 받아들이지 않습니다. 많은 경우, 모듈은 더 빠른 메모리칩을 가지고 이러한 시스템을 위해 만들어지지만, 모듈의 ID는 시스템과의 호환성을 위해 더 느린 속도로 설정될 것입니다. 이것이 바로 메모리칩에 표시된 속도를 보고 모듈에 등급이 매겨진 속도를 확신할 수 없는 이유입니다.

메가헤르츠

SDRAM 테크놀로지의 발달과 함께 메모리 모듈 속도의 측정은 메가헤르츠(MHz)로 이루어져왔습니다. 메모리칩 자체에 표시되어있는 속도는 아직 나노초입니다. 더이상 나노초가 액세스 시간을 측정하는데 사용되지 않는 대신 클럭 주기 사이의 나노초의 숫자를 측정하는데 사용되고 있기 때문에 이는 혼란을 가져올 수도 있습니다. 예를 들어, 66MHz, 100MHz, 133MHz의 속도를 가지고 있는 SDRAM칩에 상응하는 칩의 표시는 순서대로 -15, -10, -8가 될것입니다.

다음의 표는 MHz와 ns 등급 사이의 속도 동치를 결정하기위한 방법을 나타냅니다.

1 단계 2 단계 3 단계 4 단계
MHz = 1초당 1백만 클럭주기 1초당 전체 클럭주기를 얻기위해 1백만을 곱함 상수: 1초당 10억 나노초 초당 나노초(3단계에서)를 초당 클럭주기(2단계에서)로 나누어서 클럭주기별 나노초의 값을 얻음.
66 66,000,000 1,000,000,000 15
100 100,000,000 1,000,000,000 10
133 133,000,000 1,000,000,000 7.5


초당 나노초 1,000,000,000ns nanoseconds
 = 
 = 
초당 클럭주기 clock cycles clock cycle


위에서 언급한바와같이, 일반적으로 프로세서의 속도와 메모리버스의 속도는 같지 않습니다. 메모리의 속도는 프로세스에서 가장 느린 링크인 메모리버스의 속도에의해 제한됩니다.

초당 바이트

처음에는 메가헤르츠(MHz)에서 바이트(byte)로 전환하는것이 어려울 수 있습니다. 전환하기위해서 필요한 두가지의 중요한 내용은 버스의 속도(단위:MHz)와 넓이(단위:bits)입니다.

버스 넓이: 8비트 버스를 가지고 있다면, 한번에 8비트 또는 1바이트의 정보가 버스에서 이동할 수 있습니다. 64비트 버스를 가지고 있다면, 한번에 64비트 또는 8바이트의 정보가 이동할 수 있습니다.

버스 속도: 메모리 버스 속도가 100MHz라면, 이는 초당 1억 클럭 주기를 측정할 수 있습니다. 전형적으로, 각 클럭주기당 1패킷의 정보가 이동할 수 있습니다. 100MHz 버스가 1바이트 넓이라면, 데이터는 초당 100 메가바이트로 이동할 수 있습니다. 100MHz, 64비트 버스에서 데이터는 초당 800 메가바이트로 이동합니다.

램버스 모듈은 초당 MHz로 측정될때도 있고 메가바이트로 측정될 때도 있습니다. 램버스 모듈의 한 종류는 400MHz 버스에서 작동하지만, 램버스 모듈이 클럭 주기당 하나가 아닌 두개의 정보를 전송할 수 있으므로, 이 모듈은 800MHz로 등급이 매겨집니다. 간혹 이는 PC-800로 일컬어집니다. 램버스 버스 넓이가 16비트, 혹은 2바이트이면 데이터는 초당 1600MB 또는 초당 1.6GB로 이동합니다. 같은 원리로, PC-600 램버스는 초당 1.2 기가바이트로 데이터를 전송합니다.

레지스터와 버퍼

레지스터와 버퍼는 메모리칩의 컨트롤 신호를 "재추진"함으로써 메모리 작동을 향상시킵니다. 이들은 메모리 모듈의 외부에 있거나 모듈 자체에 위치될 수 있습니다. 레지스터와 버퍼를 메모리 모듈에 직접 설치하면 시스템이 더 많은 양의 모듈을 지원할 수 있게됩니다. 그러므로, 이러한 종류의 모듈은 서버와 고성능 워크스테이션에서 발견할 수 있습니다. 업그레이드시 버퍼되지 않고 버퍼된(또는 레지스터된) 모듈들은 섞일 수 없다는것을 참고하십시오.

버퍼링 (EDO와 FPM): EDO와 고속페이지 모듈에서 신호를 재추진하는 과정을 버퍼링이라고 합니다. 버퍼링때문에 성능이 감소하지 않습니다.

레지스터링(SDRAM): SDRAM에서의 신호추진과정을 레지스터링이라고 합니다. 레지스터링은 시스템 클럭에 의해 데이터가 레지스터의 클럭인과 아웃인것만 제외하면 버퍼링과 유사합니다. 레지스터된 모듈은 레지스터링 프로세스를 하는데 1클럭 주기가 걸리므로 레지스터되지 않은 모듈에 비해 다소 느립니다.



버퍼된것과 버퍼되지 않은 모듈의 예시. 서로의 자리에서 사용될 수 없음을 확인하기위해 다르게 맞추어졌습니다.

멀티플 뱅크 모듈

멀티플 뱅크 모듈은 칩이 사용되는 형식에 좀 더 융통성을 제공합니다. 멀티플 뱅킹은 메모리 디자이너들이 모듈을 뱅크로 나눌 수 있도록 해주며, 이는 컴퓨터 시스템에 하나 이상의 모듈로 나타날 수 있음을 의미합니다. 이 디자인은 컴퓨터 안의 메모리 소켓의 뱅크와 같습니다.: 시스템은 정확히 몇개의 메모리 소켓이 뱅크를 구성하는지의 여부에 상관없이 한번에 1뱅크의 메모리를 액세스합니다.

일부 사람들은 "더블 사이드(double sided)"와 "듀얼 뱅크(dual-banked)"의 용어를 혼란스러워합니다. 이를 명확히 하자면 다음과 같습니다. 더블 사이드는 칩들이 메모리 모듈의 두 부분에 배열되어 있는것을 의미하는 물리적 용어입니다. 듀얼 뱅크는 모듈이 두개의 메모리 뱅크로 전자적으로 나뉘어지는것을 의미하는 전자적 용어입니다.

주석과 금의 비교

메모리 모듈은 주석리드(커넥터) 또는 금리드로 제조됩니다. 금은 주석보다 나은 전도체입니다. 그러나 주석이 금보다 훨씬 저렴하므로, 컴퓨터 제조업체들은 비용을 절감하고자 1990년대 초반부터 시스템 보드에 주석 소켓을 사용하기 시작했습니다. 만약 선택할 수 있는 메모리를 구입하고자한다면-즉, 호환성있는 모듈에 주석과 금이 모두 있다면-설치하고자하는 소켓의 금속에 맞는 모듈의 금속을 선택하는것이 가장 좋습니다. 금속을 맞춤으로써 부식을 피하는데 도움이 됩니다.

킹스톤의 정책은 언제나 금속을 맞추는것이었으므로, 킹스톤 부품번호들은 소켓 금속을 기술한 각 컴퓨터 시스템에 할당되었습니다.

리프레시 비율

리프레시 는 메모리 칩 안에 있는 "메모리 셀"을 재충전하거나 재장전하는 과정입니다. 내부적으로, 컴퓨터 메모리는 메모리셀의 행과 열의 행렬로 배열되어있으며- 체스판의 정사각형과 유사 - 각각의 행은 메모리칩의 I/O넓이로 더욱 분할되어 있습니다. 행렬의 전체적인 조직은 DRAM 어레이라고 불립니다. DRAM은 "동적" RAM이라고 불리는데, 왜냐하면 데이터를 보존하기 위해서 초당 천번의 리프레시와 재장전을 해야하기 때문입니다. 이의 메모리셀은 전기전하를 저장하는 작은 축전기 주변에 설계되었기때문에 리프레시되어야 합니다. 이러한 축전기는 재충전되지 않는다면 저장된 전하를 잃어버리는 매우 작은 배터리처럼 작동합니다. 또한, 메모리 어레이로부터 데이터를 읽는 과정은 전하를 소모하므로, 메모리셀은 데이터를 읽기 전에 미리 충전되어야 합니다.

셀은 한번에 한 열씩 리프레시 됩니다(주로 리프레시 주기당 한 열). 리프레시 등급이라는 용어는 메모리를 리프레시하는데 걸리는 시간을 의미하는것이 아니고 전체 DRAM 어레이를 리프레시하는데 사용된 열의 전체 수를 의미합니다. 예를들어, 리프레시 등급 2K는 어레이를 리프레시하는데 2,048 열이 사용되었음을 표시합니다. 이와 마찬가지로 4K는 4,096 열을 나타냅니다.

일반적으로, 시스템의 메모리 컨트롤러는 리프레시 작동을 시작합니다. 하지만 몇몇 칩들은 "자가 리프레시"가 가능합니다. 이는 DRAM칩이 고유의 리프레시 회로를 가지고 있으며 CPU나 외부 메모리 컨트롤러로부터의 개입을 필요로하지 않음을 의미합니다. 자가 리프레시 모듈은 전력소모를 극도로 감소해주며 휴대용 컴퓨터에 자주 사용됩니다.

CAS 지연시간

CAS 지연시간은 DRAM 칩에 행이 지정되기 전까지 걸리는 클럭주기의 수를 의미합니다. 지연시간은 지체되는것을 측정하므로 "CL2" CAS 지연시간은 2 클럭 주기의 지연을, "CL3" 지연시간은 3 클럭 주기의 지연을 나타냅니다. SDRAM이 처음 출시되었을때 CL2만큼 낮은 CAS 지연 요소를 생산하는것이 어려웠습니다. 몇몇 명세사항이 CL2라고 불리웠지만, 많은 모듈들은 CL3의 CAS 지연시간에서 정상적으로 작동했습니다.

히트 스프레더와 히트 싱크

많은 메모리 구성요소들이 빨리짐에따라 칩의 밀도는 커지고, 작아진 보드에 더 많은 회로가 압착되었습니다. 과다한 열의 방술이 더 중요한 문제가 되었습니다. 여러해동안 프로세서는 팬을 사용해왔습니다. 새로운 메모리 모듈 디자인은 안전한 작동 온도를 유지하기 위하여 히트 싱크나 히트 스프레더를 사용합니다.

직렬 프레즌스 검출(SPD)과 병렬 프레즌스 검출(PPD)

컴퓨터 시스템이 시작될때, 정상적으로 가동하기 위해 메모리 모듈의 구성을 "검출"해야 합니다. 병렬 프레즌스 검출(PPD)은 저항기를 사용하여 필요로하는 정보를 교체하는 전통적인 방법입니다. PPD는 SIMM과 일부 DIMM이 자가확인을 위해 사용하는 방법입니다. 병렬 프레즌스 검출은 모듈에 대한 정보를 저장하는데 EEPROM(전기적 소거 및 프로그램 가능 읽기 전용 기억 장치)를 사용합니다.

EEPROM 칩(E2PROM이라고도함)은 변경을 위해서 컴퓨터로부터 제거될 필요가 없다는점에서 EPROM과 다릅니다. 그러나, 선택적으로가 아닌, 전체적으로 소거되고 프로그램을 다시 만들어야합니다. 또한 제한된 수명을 가지고 있어서 다시 프로그램을 만들 수 있는 횟수가 제한되어있습니다.

클럭 라인의 숫자 (2-클럭과 4-클럭 비교)

SDRAM 메모리는 클럭 라인이 시스템 클럭에서 메모리 모듈로 작동할 것을 요구합니다. "2-클럭" 은 모듈로 두개의 클럭 라인이 가동되는 것이고, "4-클럭"은 모듈로 네개의 클럭 라인이 가동되는것을 의미합니다. 처음의 인텔 디자인은 모듈에 8개의 칩만 있었기 때문에 2-클럭이었습니다. 차후 4-클럭 디자인의 개발은 클럭 라인당 칩의 수를 감소할 수 있게 해주어 각 라인의 로드를 감소시킴으로써 더 빠른 데이터 인터페이스를 가능하게 해주었습니다.

전압

메모리 모듈의 전압은 DRAM의 메모리셀이 점점 가까워질수록, 열이 좀 더 중요한 문제가 될수록 감소합니다. 대부분의 컴퓨터 시스템은 5볼트의 표준에서 작동했습니다. 콤팩트 노트북 컴퓨터에서 처음으로 3.3 볼트 칩이 사용되었습니다. 이는 열의 문제때문만은 아니었습니다. 낮은 전압의 칩이 적은 전력을 소모하므로, 이를 사용함으로써 배터리의 수명을 연장시킬 수 있습니다. 오늘날에는 대부분의 데스크탑이 3.3 볼트 메모리에 기준을 구고 있지만, 제품이 지속적으로 작아지고 구성요소가 가까이 위치함에따라 빠른 속도로 2.5 전압 칩으로 교체되고 있습니다.

콤퍼지트(COMPOSITE)와 논-콤퍼지트(NON-COMPOSITE) 비교

콤퍼지트와 논-콤퍼지트는 다른 수의 칩이 사용된 같은 용량의 모듈간의 차이를 설명하기 위해 애플컴퓨터에의해 처음 사용되었습니다. 예증하자면, 업체가 하나의 칩 밀도에서 다른것으로 변화를 줄때, 보통 귀하가 조립할 수 있는 스테이지가 있습니다. 8개의 새로운 밀도칩의 메모리 모듈, 혹은 32개의 오래된 밀도 칩의 메모리 모듈을 예로 들수 있습니다. 애플은 최신 기술을 사용하고 더 적은 칩의 모듈을 "논-콤퍼지트"라고하며, 이전의 기술을 사용하고 더 많은 수의 칩을 사용하는 버전을 "콤퍼지트"라고 합니다. 모듈에 32개의 칩이 있는것은 열과 간격의 문제를 발생시킬 수 있으므로, 애플은 논-콤퍼지트 모듈을 구입할 것을 권합니다.


© 2008 Kingston Technology Corporation - All Rights Reserved