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Ultimate Memory Guide

용어집

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가속 그래픽 포트(Accelerated Graphics Port)
(AGP) - (AGP) - 인텔이 개발한 인터페이스로서 고속 그래픽을 가능하게 합니다. 그래픽 데이터가 비디오메모리에서 캐시되었던것과 달리, PC의 그래픽 컨트롤러와 컴퓨터 메모리 사이를 직접 이동합니다.


액세스 시간(Access Time)
RAM이 하나의 액세스를 완수하는데 걸리는 평균시간(단위:나노초). 액세스 시간은 주소설정시간과 대기시간(데이터를 요청하고 액세스를 준비를 시작하는데 걸리는 시간)으로 이루어집니다.


ANSI
(American National Standards Institute) - (미국표준협회) - 정보기술 표준을 설정할 책임이 있는 미국 조직.


ASCII
(American Standard Code for Information Interchange) - (미국 정보교환 표준코드) -텍스트를 2진 값으로 암호화하는 방법. ASCII 코드 시스템은 가능한 모든 키 스트로크를 표현하기 위해 7비트나 8비트의 2진법 숫자로 이루어진 256개의 조합을 포함하고 있습니다.




후방 버스(Backside Bus)
(BSB) - CPU와 L2캐시 사이에서 운영되는 데이터 통로.


대역폭(Bandwidth)
초당 버스와 같은 전자라인을 이동하는 데이터의 양. 대역폭은 일반적으로 초당 비트, 초당 바이트, 초당 주기(헤르츠)로 측정됩니다.


뱅크
메모리뱅크(기억장치) 참고


뱅크구조(Bank Schema)
메모리 구성을 도표로 만드는 방법. 뱅크 구조 시스템은 시스템의 메모리 소켓을 나타내는 열과 컬럼으로 구성되어 있습니다. 열은 독립적인 소켓을 표시하고 컬럼은 뱅크를 표시합니다.


베이스 램버스(Base Rambus)
1995년에 처음 취급된 1세대 램버스 테크놀로지.


BGA
(Ball Grid Array) -(볼 그리드 어레이) - 설치를 위해 아래쪽에 납땜 볼을 가지고 있는 칩 패키지입니다. BGA는 패키지 크기의 감소와 더 나은 열 방출, 그리고 더 큰 모듈밀도를 가능하게 해줍니다.


2진법(Binary)
데이터를 나타내기 위해 0과 1의 조합을 사용하는 숫자 시스템. 베이스2라고도 알려져 있습니다.


BIOS
(Basic Input-Output System) - (기본 입출력 시스템) - 컴퓨터가 작동을 위해 준비하는 루틴을 개시합니다.


비트(Bit)
컴퓨터가 처리하는 정보의 가장 작은 단위. 비트는 1이나 0입니다.


버퍼(Buffer)
다른 속도나 다른 목적으로 작동되는 디바이스에 의해 공유되는 데이터를 유지하는 공간. 버퍼는 디바이스가 다른 디바이스의 간섭으로 지연되지 않고 작동할 수 있도록 해줍니다.


버퍼드 메모리(Buffered Memory)
버퍼를 포함하는 메모리 모듈. 버퍼는 메모리칩을 통해 신호를 재가동하며 모듈이 더 많은 메모리칩을 포함할 수 있도록 해줍니다. 버퍼된 메모리와 버퍼되지 않은 메모리는 섞일 수 없습니다. 컴퓨터 메모리 컨트롤러의 디자인은 메모리가 버퍼되어야하는지 버퍼되지 않아야하는지에 대해 알려줍니다.


버스트 EDO RAM
(BEDO) - 한번의 버스트로 네 개의 메모리주소를 처리할 수 있는 EDO 메모리. 버스 스피드는 50MHz 에서 66MHz의 범위입니다. (EDO의 33MHz와 고속페이지모드의 25MHz에 비교).


버스트 모드(Burst Mode)
프로세서가 단독 주소를 요청했을 때 데이터 블록(연속적인 주소들의 시리즈)의 고속 전송.


버스(Bus)
CPU, 메모리, 입력/출력 디바이스를 연결하는 다양한 병렬 와이어로 이루어진 컴퓨터의 데이터 통로.


버스 주기(Bus Cycle)
메인 메모리와 CPU간의 단일 트랜잭션


바이트(Byte)
8개 비트의 정보. 바이트는 컴퓨터 처리에 기본적인 단위입니다. 거의 모든 컴퓨터의 성능 및 사양이 바이트나 바이트의 배수로 측정됩니다. 킬로바이트,메가바이트 참고.




캐시 메모리(Cache Memory)
CPU에 가까이 위치한 소형(일반적으로 1MB이하) 고속 메모리. 캐시메모리는 가장 자주 요청되는 데이터와 명령을 프로세서에 공급합니다. 레벨1 캐시(주요 캐시)는 프로세서에서 가장 가까운 캐시입니다. 레벨2캐시(제2의캐시)는 프로세서에서 두번째로 가까운 캐시이며 보통 머더보드에 있습니다.


CAS
(행 주소 스트로브) - 열-행의 주형에서 특정 위치의 행 주소를 래치(latch)하는 메모리 칩 신호.


CAS 지연시간(CAS Latency)
행 액세스 시간과 클럭 주기 시간 사이의 비율. CAS지연시간 2 (CL2)는 CAS Latency 3 (CL3)에 비해 다소의 성능 증가를 제공합니다.


ccNUMA
(Cache-Coherent, Non-uniform Memory Access) - (캐시-간섭성의, 비균등 메모리 액세스) - 모듈러, 낮은 비용의 구성요소를 사용하는 융통성있는 아키텍쳐로서 고급 서버에 다차원의 크기 조정 가능성을 제공합니다.


칩 세트(Chipset)
CPU를 지원하는 마이크로칩. 칩세트는 정보가 어떻게 프로세서와 다른 구성요소간을 오가는지를 통제하는 다양한 컨트롤러를 포함하고 있습니다.


칩-스케일 패키지(Chip-Scale Package)
(CSP) - 전기적 커넥션이 주로 볼 그리드 어레이에 의해 이루어지는 얇은 칩 패키징. 칩-스케일 패키징은 RDRAM과 플래시메모리에서 사용됩니다.


콤팩트플래시(CompactFlash)
분리성 카드를 위한 작고 가벼운 폼 팩터. 콤팩트플래시 카드는 영속성이 있고, 낮은 전압에서 작동하며, 전원이 꺼졌을때도 데이터를 유지합니다. 디지털카메라, 휴대전화기, 포켓용컴퓨터, 호출기, 오디오 레코더와 같은 곳에 사용됩니다.


콤퍼지트(Composite)
이전의 테크놀로지를 사용하며 더 많은 저밀도 칩을 포함하고 있는 메모리 모듈에 대한 애플컴퓨터의 용어.


컨커런트 램버스(Concurrent Rambus)
차세대 램버스 테크놀로지. 컨커런트 램버스는 그래픽에 기반을 둔 컴퓨터, 디지털 텔레비전, 비디오게임 응용기기(1997년부터 Nintendo 64)에 사용되어왔습니다.


연속 RIMM
(C-RIMM) - 메모리 칩을 포함하고 있지 않은 다이렉트 램버스 메모리 모듈. C-RIMM은 신호에 대한 지속적인 채널을 제공합니다.다이렉트 램버스 시스템에서, 개방 커넥터들은 반드시 C-RIMM을 포함해야 합니다.


중앙처리장치(CPU)
(중앙처리장치) - 명령을 해석하고 프로그램을 실행할 일차적인 의무를 갖는 컴퓨터 칩. CPU는 프로세서나 마이크로프로세서로 알려져있기도 합니다.


크레딧 카드 메모리(Credit Card Memory)
주로 랩탑과 노트북컴퓨터에 사용되는 메모리의 유형. 크레딧카드 메모리는 크레딧카드의 크기입니다.




DDR SDRAM
(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory) - (더블 데이터율 동기적 동적 랜덤 액세스 메모리) - SDRAM 테크놀로지의 최신 모델입니다. 데이터가 컴퓨터 클럭의 상승및 하강 단면 모두에서 읽힘으로 표준 SDRAM의 두배에 달하는 대역폭을 제공합니다. DDR SDRAM의 메모리 속도는 클럭 주파수를 증가시키지 않아도 두배로 증가합니다.


DIMM(듀얼 인 라인 메모리 모듈)
(Dual In-line Memory Module) -(듀얼 인 라인 메모리 모듈)- 금 접점 및 메모리장치가 있는 인쇄회로기판. DIMM은 SIMM과 유사하지만 다음과 같은 차이점이 있습니다. SIMM의 양쪽에 전기적으로 "같이 묶여"있는 금속 리드와는 달리 DIMM의 양쪽에 있는 리드는 전기적으로 독립적입니다.


다이렉트 램버스(Direct Rambus)
램버스 테크놀로지의 제3세대이며 고성능 PC에 완전히 새로운 DRAM 아키텍쳐를 제공합니다. 통용되는 SDRAM이 넓은 64비트 버스에서 100MHz로 작동하는것과 비교하여, 이 데이터는 좁은16비트 채널을 통해 최대 800MHz의 속도로 전송됩니다.


DIP(듀얼 인 라인 패키지)
(Dual In-line Package) -(듀얼 인 라인 패키지) - DRAM 부품 패키지. DIP는 소켓에 설치되거나 인쇄회로기판의 구멍에 영구적으로 납땜할 수 있습니다. 메모리가 머더보드에 직접 설치되었을 때에는 DIP 패키지가 매우 널리 사용되었습니다.


DRAM
(Dynamic Random-Access Memory) - (동적 임의 액세스 메모리) - RAM의 가장 일반적인 형태입니다. DRAM은 짧은 시간동안만 데이터를 유지할 수 있습니다. 데이터를 유지하기 위해서 DRAM은 주기적으로 리프레시되어야 합니다. 셀(cell)을 리프레시하지 않으면 데이터를 잃게됩니다.


듀얼 뱅크(Dual-Banked)
두 개의 뱅크를 가지고 있는 메모리 모듈.


듀얼 채널(Dual Channel)
듀얼 채널 시스템 보드 디자인에 기반을 두고, 메모리 모듈들이 두개의 분리된 채널에 설치되어 있으며, 각자 메모리 컨트롤로 향하는 고유의 액세스 루트를 가지고 있습니다. 듀얼 메모리 채널 디자인은 단독 메모리 체널 대역폭의 최고점을 배가시킵니다. 모듈이 동일함을 확인하는 담합된 쌍의 메모리 키트가 사용될 때 최고의 결과를 얻을 수 있습니다.


듀얼 독립 버스(Dual Independent Bus)
(DIB) - (DIB) - 인텔이 개발한 버스 아키텍쳐로서 프로세서 액세스에 두 개의 분리된 버스(전방과 후방)를 가짐으로써 훨씬 큰 대역폭을 제공합니다. DIB는 펜티엄 II 컴퓨터에 사용되었습니다.




ECC
(Error Correction Code) -(에러수정코드) - DRAM의 데이터 무결성을 검사하는 방법. ECC 는 패리티보다 더 정교한 에러탐지를 제공합니다. ECC는 배수의 비트 에러를 감지할 수 있고 단독의 비트 에러를 수정할 수 있습니다.


EDO
(Extended Data-Out) - (확장 데이터 출력) - DRAM 테크놀로지의 한 양식으로 메모리와 CPU간의 읽기 주기를 단축함. 이를 지원하는 컴퓨터 시스템에서 EDO 메모리는 CPU가 고속페이지모드 메모리보다 10-20% 빨리 메모리를 액세스할 수 있게 해줍니다.


EDRAM
(Enhanced DRAM) - (강화된 DRAM) - 강화된 메모리 시스템. 소량의 SRAM을 포함하는DRAM.


EEPROM
(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) - (전기적 소거 및 프로그램 가능 읽기 전용 메모리) - 전력이 차단된 후 데이터 컨텐츠를 보유하는 메모리 칩. EEPROM은 컴퓨터 내부나 외부에서 소거되고 다시 프로그램될 수 있습니다.


EISA
(Extended ISA) - (연장 ISA) - 16비트의 ISA버스를 32비트로 연장하는 버스 아키텍쳐. EISA은 8MHz에서 작동되며 초당 33MB의 최고 데이터 전송율을 보유하고 있습니다. EISA는 IBM의 독점적인 마이크로 채널 버스의 열린 대안으로 1988년에 소개되었습니다.


EOS
(ECC on SIMM) - (SIMM의 ECC) - IBM 데이터 무결성 검사 테크놀로지로서 SIMM에 내장된 ECC 데이터 무결성 검사를 특징으로 합니다.


EPROM
(Erasable Programmable Read-Only Memory) - (소거 및 프로그램 가능 읽기용 메모리) - 자외선에서 말소될때까지 컨텐츠를 유지하는 프로그램과 재사용가능 칩. 특별 장비가 EPROM을 소거하고 다시 프로그랩합니다.


ESDRAM
(Enhanced Synchronous DRAM) - (강화된 동기식 DRAM) - Enhanced Memory Systems,Inc.에 의해 개발된 SDRAM의 종류. ESDRAM은 시스템에 내장된 고가의 SRAM을 대체하고, 더 적은 전력소비와 낮은 비용으로 이에 필적하는 스피드를 제공합니다.


짝수 패리티(Even Parity)
패리티 비트가 1의 개수가 짝수인지를 검사하는 데이터 무결성 검사의 유형




Fast-Cycle RAM
(FCRAM) - (FCRAM) - FCRAM은 현재 도시바와 후지쯔에의해 개발되고 있는 메모리 테크놀로지 입니다. FCRAM은 PC 메인 메모리용이 아니고 고성능 서버, 프린터, 텔레커뮤니케이션 스위칭 시스템과 같은 특정 응용기기에 사용될 것입니다.


고속페이지 모드(Fast-Page Mode)
DRAM의 이전 형식인 고속페이지 모드가 이전의 페이지모드 메모리 테크놀로지에 비해 뛰어난 점은 같은 열의 데이터를 더 빨리 액세스하는 것입니다.


플래시메모리
솔리드 스테이트, 비휘발성, 재기록형 메모리고서 RAM과 하드 디스크의 조합과 같은 기능을 수행합니다. 플래시메모리는 영구적이고, 낮은 접압에서 작동하며 전원이 차단되었을 때도 데이터를 유지합니다. 플래시메모리카드는 디지털카메라, 휴대전화기, 프린터, 포켓용 컴퓨터, 호출기, 오디오레코더에 사용됩니다.


폼 팩터
하드웨어를 설명하는데 사용되는 사이즈, 구성 및 기타 명세사항. 메모리 폼 팩터의 예로는 SIMM, DIMM, RIMM, 30-핀, 72-핀,168-핀을 들수 있습니다.


전방 버스(Frontside Bus)
(FSB) - CPU와 메인메모리(RAM)사이를 오가는 데이터의 통로.




기가비트(Gigabit)
약 10억비트. 정확하게 1비트 x 1,0243 (1,073,741,824) 비트.


기가바이트(Gigabyte)
약 10억바이트. 정확하게 1 바이트 x 1,0243 (1,073,741,824) 바이트.




히트 스프레더(Heat Spreader)
보통 알루미늄으로 만들어져 있으며 전자 디바이스를 감싸고 열을 방산시키는 외장입니다.


히트 싱크(Heat Sink)
주로 아연합금으로 만들어진 구성요소이며 열을 방산합니다. CPU는 히트싱크를 필요로 합니다.




IC
(Integrated Circuit) - (집적회로) - 반도체 칩에 들어 있는 전기 회로. 이 회로는 구성요소 및 커넥터를 포함합니다. 반도체칩은 일반적으로 플라스틱이나 세라믹 케이스 안에 들어있으며 외부 커넥터핀을 가지고 있습니다.


인터리빙(Interleaving)
메모리 속도를 증가시키기 위한 기술. 예를 들어, 짝수와 홀수 주소에 대한 분리된 메모리 뱅크에서, 현재의 바이트가 리프레시되는동안 다음의 메모리바이트가 액세스될 수 있습니다.




JEDEC
(Joint Electron Device Engineering Council) - (전자장치 기술 위원회 연합) - 반도체 엔지니어링 기준을 설정하는 전자산업협회(EIA)단체.




킬로비트(Kilobit)
약 1천비트. 정확하게 1 비트 x 210 (1,024) 비트.


킬로바이트(Kilobyte)
약 1천바이트. 정확하게 1 바이트 x 210 (1,024) 바이트.




레벨1 캐시(Level 1 Cache)
(L1) - 주요캐시라고도 알려져있는 L1캐시는 프로세서에 매우 가까이 위치하고 있는 소량의 고속메모리입니다. L1캐시는 가장 빈도 높게 요청된 데이터와 명령을 프로세서에 공급합니다.


레벨2 캐시(Level 2 Cache)
(L2) - 제2의캐시라고도 알려진 L2캐시는 주로 머더보드 위의 CPU에 가까운 곳에 위치하는 소량의 고속 메모리입니다. L2캐시는 가장 빈도가 높게 요청되었던 데이터와 명령을 프로세서에 공급합니다. 머더보드에 따라 L2 캐시는 업그레이드될 수 있습니다.


로직 보드(Logic Board)
마더보드 참고




메가비트(Megabit)
약 1백만 비트. 정확하게 1 비트 x 1,0242 (1,048,576) 비트.


메가바이트(Megabyte)
메모리모듈의 용량을 표시하기위해 가장 일반적으로 사용됩니다. 1메가바이트는 약 1백만 바이트와 같습니다. 정확하게 1 바이트 x 1,0242 (1,048,576)바이트.


메모리(Memory)
컴퓨터의 랜덤 액세스 메모리. 메모리는 CPU의 데이터와 명령을 임시적으로 보관합니다. RAM을 참고하십시오.


기억장치(Memory Bank)
컴퓨터에 있는 메모리의 논리적인 단위이며 컴퓨터의 CPU에 의해 크기가 결정됩니다. 예를 들어, 32비트 CPU는 한번에 32비트의 정보를 제공하는 기억장치를 필요로합니다. 장치는 하나 이상의 메모리 모듈로 구성될 수 있습니다.


메모리 버스(Memory Bus)
CPU에서 메모리 확장 슬롯까지 작동하는 버스.


메모리 컨트롤러 허브(Memory Controller Hub)
(MCH) - 인텔의 820이나 840 칩세트를 사용하는, 머더보드의 프로세서, AGP, RDRAM간의 인터페이스.


메모리 전송 허브(Memory Translator Hub)
(MTH) - 인텔의 820 칩세트를 사용하는 머더보드의 다이렉트 램버스 채널에서 SDRAM 메모리가 지원될 수 있도록하는 인터페이스.


마이크로 BGA
(μBGA) - 테세라(Tessera, Inc). BGA 칩 패키징 기술은 다이패키지 사이즈의 감소, 향상된 열 방산, 더 커진 모듈 밀도를 가능하게 합니다.


마이크로DIMM
(마이크로 듀얼 인 라인 메모리 모듈) - SODIMM보다 작은 MicroDIMM은 주로 서브노트북 컴퓨터에 사용됩니다. MicroDIMM은 144-핌 SDRAM과 172-핀 DDR에서 사용할 수 있습니다.


마더보드(Motherboard)
로직보드, 메인보드, 컴프터보드로도 알려진 마더보드는 컴퓨터의 메인보드이며 대부분의 경우 모든 CPU, 메모리 및 입출력 기능을 갖고있거나 이를 지원하는 확장슬롯을 가지고 있습니다.




나노초(Nanosecond)
(ns) - 일초의 10억분의1. 메모리 데이터 액세스 시간은 나노초로 측정됩니다. 예를들어, 30핀 및 72핀 SIMM 모듈의 메모리 액세스 시간은 60에서 100 나노초입니다.


니블(Nibble)
8비트 바이트의 절반. 혹은 4비트.


논-컴퍼지트(Non-Composite)
새로운 기술과 소량이지만 고밀도의 칩을 포함하고 있는 애플컴퓨터의 메모리 모듈 용어입니다. 비집적 모듈은 집적 모듈에 비해 더욱 신뢰성이 높고 저렴했습니다.




홀수 패리티(Odd Parity)
패리티 비트가 1의 개수가 홀수인지를 검사하는 데이터 무결성 검사의 유형.




패리티(Parity)
데이터의 바이트마다 단일 비트를 추가하는 데이터 무결성 검사. 패리티 비트는 나머지 8 비트에 에러가 있는지 검사하는데 사용됩니다.


인쇄회로기판(PCB)
(Printed Circuit Board) - (인쇄회로기판) - 전기 트레이스를 가진 섬유유리로 만들어진 납작한 멀티레이어 보드입니다. 표면과 서브레이어는 칩과 다른 부품들에 전기적 연결을 제공하기 위해 구리 트레이스를 사용합니다. PCB의 예로는 머더보드, SIMM, 크레딧카드메모리가 있습니다.


PC 카드
(PCMCIA: Personal Computer Memory Card International Association) (PCMCIA: 퍼스널 컴퓨터 메모리 카드 국제 협회) - 동일한 커넥터에 다양한 전산 구성요소의 교환 가능성을 허용하는 기준. PCMCIA 기준은 메모리, 팩스/모뎀, SCSI, 네트워크 제품을 포함한 입출력 장치를 지원합니다.


PCI
(Peripheral Component Interconnect) - (주변요소 상호접속) - 32나 64비트의 데이터를 동시에 전송할 수 있는 주변 버스. PCI는 플러그 앤 플레이 기능을 제공합니다.


파이프라인 버스트 캐시(Pipeline Burst Cache)
파이프라이닝과 버스팅 기능을 사용하여 대기 상태를 감소하고 메모리 액세스를 가속화한 캐시.


파이프라이닝(Pipelining)
메모리가 요청된 메모리 컨텐츠를 SRAM을 구성하는 작은 캐시로 로드한 후, 즉시 다음의 메모리 컨텐츠를 끌어오기 시작하는 기술.이는 두개의 스테이지 파이프라인을 만들어내는데, 하나의 스테이지에서는 데이터가 SRAM에게 읽히거나 쓰이고, 또 다른 스테이지에서는 데이터가 메모리에게 읽히거나 쓰입니다.


특허 메모리(Proprietary Memory)
특정 컴퓨터를 위해 맞춤 디자인된 메모리.




RAM
(Random-Access Memory) - (임의 액세스 메모리) - 컴퓨터의 CPU(중앙처리장치)가 처리할 데이터릴 가지고 있는 셀(cell)의 구성. '임의'는 CPU가 RAM 내에 있는 어떠한 개별위치, 즉 어떠한 주소에서도 데이터를 가져올 수 있음을 의미합니다.


램버스(Rambus)
(1) Rambus, Inc는 고성능 메모리 로직과 회로디자인 테크놀로지를 개발하고 인가 받았으며, 제품 디자인, 레이아웃, 테스트정보와 함께 이 면허를 제공합니다. (2) 다이렉트 램버스는 데이터를 800MHz에서 전송하기 위해 좁은 16비트 버스(램버스 채널)을 사용합니다. 램버스 채널을 참고하십시오.


램버스 채널
램버스 시스템의 데이터 통로. 좁은 데이터 넓이(2바이트)로 인하여, 램버스 모듈은 최고 800MGHz에서 데이터를 전송합니다.


RAS
행렬 모형에서 특정 위치의 열 주소를 래치하는 메모리 칩 신호.


리프레시(Refresh)
리프레싱은 데이터가 DRAM 안에 저장되는 것을 유지시킵니다. DRAM 구성요소에 있는 전기적 셀(cell)을 리프레시하는 과정은 배터리를 충전하는것과 유사합니다. 다른 DRAM 구성요소들은 다른 리프레시 방법을 필요로합니다.


리프레시 비율(Refresh Rate)
리프레시되어야할 DRAM 구성요소 열의 숫자. 세가지 일반적인 리프레시 비율은 2K, 4K, 8K 입니다.


레지스터드 메모리(Registered Memory)
모듈에 직접 레지스터를 포함하는 SDRAM. 레지스터는 메모리칩을 통해 신호를 재작동시키며 모듈이 좀 더 많은 메모리칩으로 구성될 수 있도록 합니다. 레지스터된것과 버퍼되지 않은 메모리는 섞일 수 없습니다. 컴퓨터 메모리 컨트롤러의 디자인은 컴퓨터가 요구하는 메모리의 종류를 알려줍니다.


RIMM™
다이렉트 램버스 메모리 모듈의 등록상표. RIMM™ 은 DIMM 폼 팩터와 한번에 16비트의 데이터 전송을 따릅니다.


RIMM 커넥터
다이렉트 램버스 메모리 소켓.




SDRAM
(Synchronous DRAM) - (동기식 DRAM) - 클럭을 사용하여 메모리 칩의 입출력 신호를 동기화 하는 DRAM 기술. 클럭은 CPU 클럭과 공동작용하여 메모리 칩의 타이밍과 CPU의 타이밍이 싱크(synch) 되도록 합니다. 동기식 DRAM은 명령어의 실행 및 데이터 전송 시간을 절약하여 컴퓨터 전체 성능을 향상시킵니다. SDRAM 메모리는 CPU가 EDO 메모리보다 약 25 % 빠르게 메모리를 액세스할 수 있도록 해줍니다.


자가 리프레시(Self-Refresh)
DRAM이 스스로 리프레시할 수 있도록하고 CPU나 외부 리프레시 회로로부터 독립적일 수 있도록 하는 메모리 테크놀로지. 자가 리프레시 테크놀로지는 DRAM 칩 자체에 내장되어 전력소모를 급격히 감소시킵니다. 노트북과 랩탑 컴퓨터에서 이 기술을 사용합니다.


직렬 프레즌스 검출(Serial Presence Detect)
메모리 모듈의 사이즈, 속도뿐만 아니라 기타 명세사항과 제조업체의 정보를 포함하고 있는 EEPROM 칩.


SGRAM
(Synchronous Graphics Random-Access Memory) - (동기식 그래픽 랜덤 액세스 메모리) - 그래픽 전문 읽기/쓰기 기능을 포함하고 있는 비디오 메모리. SGRAM은 데이터가 개별적이 아닌 블록 단위로 검색되고 변경될 수 있도록 해줍니다. 블록으로 만드는것은 메모리가 수행해야 할 읽기와 쓰기의 수를 감소시키며 그래픽 컨트롤러의 성능을 증가시킵니다.


SIMM
(Single In-line Memory Module) - (싱글 인 라인 메모리 모듈) - 금 또는 주석/납 접점 및 메모리 장치가 있는 인쇄회로보드. SIMM은 컴퓨터 메모리 확장 소켓에 끼워집니다. SIMM의 두가지 주요 장점은 설치의 용이성과 최소의 수평 표면적 사용입니다. 수직 장착된 SIMM은 수평 장착된 DRAM이 필요로 하는 공간의 극히 일부만을 필요로 합니다. SIMM은 적게는 30 핀, 많게는 200 핀까지 가질 수 있습니다. SIMM 양쪽의 금속 리드는 전기적으로 "같이 묶여져" 있습니다.


SIMM 소켓
단일 SIMM을 보관하는 머더보드 구성요소.


싱글 뱅크(Single-Banked)
단 하나의 뱅크나 열을 가지고 있는 모듈.


SLDRAM
(Synclink) - (싱크링크) - 오늘날에는 쓰이지 않지만, SLDRAM은 다이렉트 램버스 테크놀로지의 대안으로서 12개의 DRAM 제조업체들의 연합에 의해 개발된 메인 메모리 테크놀로지였습니다.


스마트카드(SMART CARD)
크레딧카드의 크기와 유사하며 보안을 강화하면서 데이터와 프로그램을 저장할 수 있는 전자장치. 용도는 동일성 감정, 대량 수송, 뱅킹을 포함합니다.


SO DIMM
(Small-Outline Dual In-line Memory Module) - (소형 아웃라인 듀얼 인 라인 메모리 모듈) - 표준 DIMM의 향상된 버전. 72핀 소형 아웃라인 DIMM은 72핀 SIMM의 약 절반 길이입니다. 오늘날의 SO DIMM으로서는 144-핀과 200-핀 모듈이 가장 일반적입니다.


SO-RIMM™
노트북 컴퓨터 내의 다이렉트 램버스 메모리 모듈을 위한 등록상표. SO-RIMM™은 데스크탑 메모리 구성에 버금가는 메모리 대역폭을 제공합니다.


SOJ
(Small-Outline J-lead) - (소형 아웃라인 J-리드) - 서피스-마운트 DRAM 패키지의 일반적인 형식. SOJ는 장치의 두 긴 면에 J 모양의 리드가 있는 사각형 패키지입니다.


정정 RAM
(SRAM) - (SRAM) - 컨텐츠를 보유하기위해 전력을 필요로하는 메모리. SRAM은 DRAM보다 빠르지만 비싸고 부피가 큽니다. SRAM의 전형적인 사용은 캐시메모리입니다.


스토리지(Storage)
하드 디스크 또는 CD-ROM과 같이 데이터를 저장하는 장치.


스와핑(Swapping)
RAM이 가득찼을때 하드 드라이브의 일부를 메모리로 사용함. 가상메모리 참고.


시스템 보드(System Board)
마더보드 참고.




전송선로 테크놀로지(Transmission Line Technology)
다이렉트 램버스 시스템의 후방 버스를 지원하는 테크놀로지. 정보는 동시 패킷에서 빠른 속도로 파이프라인 됩니다. 메모리 컨트롤러는 전방 버스 전송용 패킷과 유사하며 프로세서와 의사소통합니다.


TSOP
(Thin Small-Outline Package) - (얇은 소형 아웃라인 패키지) - 양쪽에 갈매기 날개 모양의 리드를 사용하는 DRAM 패키지의 유형. TSOP DRAM 모듈은 인쇄회로보드의 표면에 직접 설치됩니다. TSOP 패키지의 두께는 SOJ 패키지의 3분의 1입니다. TSOP 부품은 일반적으로 소형 아웃라인 DIMM 및 크레딧 카드 메모리에 나타납니다.




버퍼되지 않은 메모리(Unbuffered Memory)
모듈에 버퍼나 레지스터를 포함하지 않은 메모리. 대신, 이러한 장치들은 머더보드상에 위치합니다.




VESA 로컬 버스
(VL-Bus) - CPU와 주변장치를 최대 40MHz의 속도로 오가는 32-비트의 로컬 버스.


가상 채널 메모리(Virtual Channel Memory)
(VCM) - VCM은 NEC에 의해 개발된 아키텍쳐입니다. VCM은 다른 블록의 메모리가 고유의 버퍼로 컨트롤러에 인터페이스할 수 있도록 해줍니다. 이러한 방법을 통해, 시스템 태스크는 고유한 가상 채널을 할당할 수 있게됩니다. 하나의 기능에 관련된 정보는 동시에 작동되는 다른 태스크과 버퍼 공간을 공유하지 않음으로 전체적인 작동을 좀 더 효과적으로 해줍니다.


가상메모리(Virtual Memory)
가짜 메모리. RAM이 가득찼을때, 컴퓨터는 필요에 의해 데이터를 하드 디스크로 교환합니다. 스와핑(swapping)을 참고하십시오.


VRAM
(Video Random-Access Memory) - (비디오 랜덤 액세스 메모리) - 주로 비디오나 그래픽카드에 사용되는 듀얼-포트(2개의 분리된 데이터 포트) 메모리.하나의 포트는 CRT를 위한것이고 이미지를 리프레시하고 업데이트합니다. 또 다른 포트는 CPU나 그래픽 컨트롤러를 위한것이며 메모리 내의 이미지를 변경합니다.




대기상태(Wait State)
프로세서가 작동하지 않는 기간. 대기상태는 프로세서와 메모리의 다른 클럭 스피드에 의해 비롯되며, 주로 후자가 더 느립니다.


윈도우 랜덤 액세스 메모리(Window Random Access Memory)
(WRAM) - 주로 비디오나 그래픽카드에 사용되는 삼성전자의 듀얼 포트(2개의 분리된 데이터 포트) 메모리. WRAM은 VRAM에 비해 25% 더 놓은 대역폭을 가지고 있지만, 더욱 저렴합니다.

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