Kingston 메모리 부품 번호 디코더

Kingston FURY®, Server Premier®, ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2, 및 DDR 메모리 제품군을 포함하여 Kingston® 메모리 부품 번호를 읽는 방법에 대해 알아보고 사양별로 확인하실 수 있습니다.

부품 번호: KF560C36BBE2AK2-32

KF = 제품군

KF – Kingston FURY

5 = 기술

5 – DDR5

60 = 속도 (MT/s{{Footnote.A65242}})

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400
68 – 6800
72 – 7200
76 – 7600
80 – 8000

C = 모듈 유형

C – UDIMM (비 ECC 언버퍼)
S – SODIMM (비 ECC 언버퍼)
R – EC8 RDIMM (x80)

36 = CAS 지연 시간

30 – CL30
32 – CL32
36 – CL36
38 – CL38
40 – CL40

B = 시리즈

B – Beast
I – Impact
R – Renegade

B = 히트 스프레더

B – 검정색
S – 银色
W – 흰색

E = 프로파일 유형

공백 - Intel XMP / 플러그 앤 플레이
E - AMD EXPO

2 = 차 수정

공백 – 1차 수정
2 – 2차 수정
3 – 3차 수정

A = RGB

공백 - 비 RGB
A – RGB

K2 = 키트 + 개수

공백 – 싱글 모듈
K2 – 2개 모듈의 키트
K4 - 모듈 4개의 키트
K8 - 모듈 8개의 키트

32 = 총 용량

8 – 8GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB
192 – 192GB
256 – 256GB

Part Number: KSM48R40BD4TMP-64HMR

KSM = 제품군

KSM - Kingston Server Premier

48 = 속도 (MT/s{{Footnote.A65242}})

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600

R = 모듈 유형

E – EC4 UDIMM (x72)
P – EC4 RDIMM (x72)
R – EC8 RDIMM (x80)
T – EC4 SODIMM (x72)

40B = CAS 지연 시간

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45

D = 등급

S – 싱글
D – 듀얼
Q – 쿼드

4 = DRAM 유형

4 – x4
8 – x8

T = PMIC

I – Renesas
K – RichTek
M – Montage
P – MPS
T – TI

M = SPD 허브

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus

P = 열 센서

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
R – Rambus

64 = 총 용량

16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB

H = DRAM 제조업체

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

M = DRAM 다이 수정

A – A 다이
B – B 다이
C – C 다이
D – D 다이
E – E 다이
M – M 다이

R = 레지스터

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus

부품 번호: KVR48U40BS8K2-32X

KVR = 제품군

KVR – Kingston ValueRAM

48 = 속도 (MT/s{{Footnote.A65242}})

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400

U = 모듈 유형

U – DIMM(비ECC 언버퍼)
S – SO-DIMM(비ECC 언버퍼)

40B = CAS 지연 시간

40B – CL40
42B – CL42
46B – CL46

S = 랭크

S – 싱글 랭크
D – 듀얼 랭크

8 = DRAM 유형

8 – x8
6 – x16

K2 = 키트 + 개수

공백 – 싱글 모듈
K2 – 2개 모듈의 키트
K4 – 4개 모듈의 키트

32 = 총 용량

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB
192 – 192GB
256 – 256GB

X = 사용자 정의

공백 – 표준 팩
BK – 벌크 팩

부품 번호: KF432C16BB12AK2/32

KF = 제품군

KF - Kingston FURY

4 = 기술

3 - DDR3
4 - DDR4

32 = 속도 (MT/s{{Footnote.A65242}})

16 - 1600 (1.5V)
16L - 1600 (1.35V)
18 - 1866 (1.5V)
18L - 1866 (1.35V)
26 - 2666
32 - 3200
36 - 3600
37 - 3733
40 - 4000
42 - 4266
46 - 4600
48 - 4800
50 - 5000
51 - 5133
53 - 5333

C = 모듈 유형

C – UDIMM(비 ECC 언버퍼)
S – SODIMM(비 ECC 언버퍼)

16 = CAS 지연 시간

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
13 - CL13
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

B = 시리즈

B - Beast
R - Renegade
I - Impact

B = 히트 스프레더

공백 - 파란색
B - 검정색
R - 빨간색
W – 흰색

1 = 16GB 모듈 구성

공백 – 2Gx8
영형의 1 – 1Gx8

2 = 수정

공백 - 1차 수정
2 - 2차 수정
3 - 3차 수정
4 – 4차 개정

A = RGB

공백 - 비 RGB
A - RGB

K2 = 키트 + 개수

공백 – 싱글 모듈
K2 - 모듈 2개의 키트
K4 - 모듈 4개의 키트
K8 - 모듈 8개의 키트

32 = 총 용량

4 - 4GB
8 - 8GB
16 - 16GB
32 - 32GB
64 - 64GB
128 - 128GB
256 - 256GB

부품 번호: KSM26RD4L/32HAI

KSM = 제품군

KSM: Kingston Server Premier

26 = 속도 (MT/s{{Footnote.A65242}})

24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = 모듈 유형

E – 언버퍼 DIMM(ECC)
L – 부하 절감 DIMM
R – 레지스터드 DIMM
SE – 언버퍼 SODIMM(ECC)

D = 랭크

S – 싱글 랭크
D – 듀얼 랭크
Q – 쿼드 랭크

4 = DRAM 유형

4 – x4
8 – x8

L = 프로파일

L – 초저 프로파일 DIMM

32 = 총 용량

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB
256 – 256GB

H = DRAM 제조업체

H – SK 하이닉스
M – Micron

A = DRAM 다이 수정

A – A 다이
B – B 다이
E – E 다이

I = 제조업체 등록

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus

부품 번호: KVR21LR15D8LK2/4HBI

KVR = Product Line

KVR – Kingston ValueRAM

21 = 속도 (MT/s{{Footnote.A65242}})

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

L = 저전압

공백 – 1.2V
L – 미정

R = 모듈 유형

E – 버퍼링되지 않은 DIMM(ECC)
L – 부하 감소 DIMM
N – DIMM(Non-ECC Unbuffered)
R – 등록된 DIMM
S – SODIMM(Non-ECC Unbuffered)

15 = CAS 지연 시간

15 – CL15
19 – CL19
22 – CL22

D = 랭크

S – 싱글 랭크
D – 듀얼 랭크
Q – 쿼드 랭크
O – 옥탈 랭크

8 = DRAM 유형

4 – x4
8 – x8
6 – x16

L = 프로파일

공백 – 모든 높이
H – 31.25mm
L – 18.75mm (VLP)

K2 = Kit + 개수

공백 – 싱글 모듈
K2 – 2개 모듈 키트
K3 – 3개 모듈 키트

4 = 용량

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

H = DRAM 제조업체

H – SK 하이닉스
K – Kingston
M – Micron
S – Samsung

B = 수정

B – 수정

I = Intel 인증

I – Intel 인증

부품 번호: CBD48S40BD8MA-32

CBD = 제품군

CBD – Kingston Design-In DRAM 모듈

48 = 속도(MT/s{{Footnote.A65242}})

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600

S = 모듈 유형

U – DIMM(Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM(Non-ECC Unbuffered)

40B = CAS 지연 시간

40B – CL40-39-39
42 – CL42-42-42
46B – CL46-45-45

D = 등급

S – 싱글 랭크
D – 듀얼 랭크

8 = DRAM 유형

8 – x8
6 – x16

M = DRAM 제조업체

H – SK 하이닉스
M – Micron
S – 삼성

A = DRAM 다이 수정

A – A 다이
B – B 다이
M – M 다이

32 = 총 용량

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

부품 번호: CBD26D4U9D8HJV-16

CBD = 제품군

CBD – Kingston Design-In DRAM 모듈

26 = 속도(MT/s{{Footnote.A65242}})

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
32 – 3200

D4 = 기술

D4 – DDR4

U = 모듈 유형

U – DIMM(Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM(Non-ECC Unbuffered)

9 = CAS 지연 시간

5 – CL15-15-15
7 – CL17-17-17
9 – CL19-19-19
2 – CL22-22-22

D = 등급

S – 싱글 랭크
D – 듀얼 랭크

8 = DRAM 제조업체

8 – x8
1 – x16

H = 記憶體製造商

H – SK 하이닉스
K – Kingston
M – Micron
N – Nanya
S – 삼성

J = DRAM 다이 수정

A – A 다이
B – B 다이
C – C 다이
D – D 다이
E – E 다이
F – F 다이
H – H 다이
J – J 다이
R – R 다이

V = PCB 유형

Black – 플래시 골드
H – 하드 골드
V – 초저 프로파일

16 = 총 용량

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

부품 번호: CBD16D3LFU1KBG/2G

CBD = 제품군

CBD – Kingston Design-In DRAM 모듈

16 = 속도 (MT/s{{Footnote.A65242}})

16 – 1600

D3L = 기술

D3 – DDR3 (1.5V)
D3L – DDR3L(1.35V/1.5V)

F = DRAM 유형

Blank – x8
F – x16

U = 모듈 유형

U – DIMM(Non-ECC Unbuffered)
S – SODIMM(Non-ECC Unbuffered)

1 = CAS 지연 시간

1 – CL11-11-11

K = DRAM 제조업체

K – Kingston
S – 삼성

B = DRAM 다이 수정

B – B 다이
D – D 다이
E – E 다이

G = PCB 유형

L – 초저 프로파일
G – 그린(RoHS 컴플라이언트)
H – 하드 골드

2G = 총 용량

2G – 2GB
4G – 4GB
8G – 8GB

부품 번호: HX429C15PB3AK4/32

HX = 제품군

HX - HyperX (Legacy)

4 = 기술

3 - DDR3
4 - DDR4

29 = 속도 (MT/s{{Footnote.A65242}})

13 - 1333
16 - 1600
18 - 1866
21 - 2133
24 - 2400
26 - 2666
28 - 2800
29 - 2933
30 - 3000
32 - 3200
33 - 3333
34 - 3466
36 - 3600
37 - 3733
40 - 4000
41 - 4133
42 - 4266
46 - 4600
48 - 4800
50 - 5000
51 - 5133
53 - 5333

C = DIMM 유형

C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)

15 = CAS 지연 시간

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
12 - CL12
13 - CL13
14 - CL14
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

P = 시리즈

F - FURY
B - Beast
S - Savage
P - Predator
I - Impact

B = 히트 스프레더

공백 - 파란색
B - 검정색
R - 빨간색
W - 흰색

3 = 수정

2 - 2차 수정
3 - 3차 수정
4 - 4차 수정

A = RGB

공백 - 비 RGB
A - RGB

K4 = 키트 + 키트의 번호

공백 - 싱글 모듈
K2 - 모듈 2개의 키트
K4 - 모듈 4개의 키트
K8 - 모듈 8개의 키트

32 = 총 용량

4 - 4GB
8 - 8GB
16 - 16GB
32 - 32GB
64 - 64GB
128 - 128GB
256 - 256GB

부품 번호: KVR16LR11D8LK2/4HB

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

16 = 속도 (MT/s{{Footnote.A65242}})

16: 1600
13: 1333
10: 1066

L = 저전압

공백: 1.5V
L: 1.35V
U: 1.25V

R = 모듈 유형

E: 언버퍼 DIMM(ECC)
N: 언버퍼 DIMM(비ECC)
R: 레지스터드 DIMM
L: 부하 절감 DIMM(LRDIMM)
S: SO-DIMM

11 = CAS 지연 시간

11: CAS 지연 시간

D = 랭크

S: 싱글 랭크
D: 듀얼 랭크
Q: 쿼드 랭크

8 = DRAM 유형

4: x4 DRAM 칩
8: x8 DRAM 칩

L = 프로파일

L: 18.75mm (VLP)
H: 30mm

K2 = 키트 + 개수

K2: 2개 모듈 키트
K3: 3개 모듈 키트
K4: 4개 모듈 키트

4 = 용량

4: 4GB
8: 8GB
12: 12GB
16: 16GB
24: 24GB
32: 32GB
48: 48GB
64: 64GB

H = DRAM 제조업체/인증

H: 하이닉스
E: Elpida
I: Intel 인증

B = 다이 수정

B: 다이 수정

부품 번호: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

KVR
1066
D3
L
D
8
R
7
S
L
K2
/
4G
H
B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

1066 = 속도 (MT/s{{Footnote.A65242}})

1066: 속도

D3 = 기술

D2: DDR2
D3: DDR3

L = 저전압

공백: 1.5V
L: 1.35V
U: 1.25V

D = 랭크

S: 싱글 랭크
D: 듀얼 랭크
Q: 쿼드 랭크

8 = DRAM 유형

4:x4 DRAM 칩
8: x8 DRAM 칩

R = 모듈 유형

P: 레지스터 패리티(레지스터드 모듈 전용)
E: 언버퍼 DIMM(ECC)
F: FB DIMM
M: Mini-DIMM
N: 언버퍼 DIMM(비ECC)
R: 레지스터드 DIMM과 주소/명령 패리티 기능
S: SO-DIMM
U: Micro-DIMM

7 = CAS 지연 시간

7: CAS 지연 시간

S = 열 센서

공백: 열 센서 제외
S: 열 센서 포함

L = 프로파일

공백: 모든 높이
L: 18.75mm (VLP)
H: 30mm

K2 = 키트 + 개수

공백: 싱글 모듈
K2: 2개 모듈 키트
K3: 3개 모듈 키트

4G = 용량

4G: 용량

H = DRAM 제조업체

H: DRAM 제조업체

B = 다이 수정

B: 다이 수정

부품 번호: KVR400X72RC3AK2/1G

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

400 = 속도 (MT/s{{Footnote.A65242}})

X72 = X72 ECC

X72: X72 ECC

R = 레지스터드

R: 레지스터드

C3 = CAS 지연 시간

C3: CAS 지연 시간

A = DDR400 3-3-3

A: DDR400 3-3-3

K2 = Kit + 개수

K2: 2개 모듈 키트

1G = 용량

1G: 용량

지연 시간

아래의 정보는 최적의 성능을 위해 마더보드 BIOS에서 메모리 타이밍을 설정할 때 조정할 수 있는 다양한 설정을 적절하게 설명합니다. 이러한 설정은 마더보드 제조업체/모델 또는 BIOS 펌웨어 버전에 따라 다를 수 있습니다.

샘플

tRCD

tRP/tRCP

tRA/tRD/tRAS

CAS 지연 시간(CL): 행 활성화 후 행을 읽을 때까지의 지연.

RAS to CAS(RAS 대 CAS) 또는 RAS to Column Delay(RAS 대 열 간 지연)(tRCD): 행을 활성화합니다

Row Precharge Delay(행 프리차지 지연) 또는 RAS Precharge Delay(RAS 프리차지 지연)(tRP/tRCP): 행을 비활성화합니다

Row Active Delay(행 활성 지연) 또는 RAS Active Delay(RAS 활성 지연) 또는 준비 시간 (tRA/tRD/tRAS): 행 활성화/비활성화 사이의 클럭 사이클 수입니다.

책임 부인: 모든 Kingston 제품은 발표한 사양을 충족하도록 테스트를 거칩니다. 일부 시스템 또는 마더보드 구성은 발표된 Kingston 메모리 속도와 타이밍 설정으로 작동하지 않을 수 있습니다. Kingston은 사용자가 발표한 속도 이상으로 컴퓨터 실행을 시도하는 것을 권장하지 않습니다. 오버클로킹하거나 시스템 타이밍을 수정하면 컴퓨터 구성부품이 손상될 수 있습니다.

Kingston 메모리 부품 번호 디코더

Kingston FURY™ DDR5

Kingston Server Premier DDR5

Kingston ValueRAM DDR5

Kingston FURY™ DDR4/DDR3 부품 번호 디코더

Kingston Server Premier DDR4

Kingston ValueRAM DDR4

Kingston Design-In DRAM 모듈 DDR5

Kingston Design-In DRAM 모듈 DDR4

Kingston Design-In DRAM 모듈 DDR3

HyperX® 부품 번호 디코더

DDR3

DDR3 & DDR2

DDR

지연 시간

샘플