Información general sobre DDR4

Al alcanzar DDR3 sus límites en un mundo que exige un rendimiento más elevado y un mayor ancho de banda, una nueva generación de DDR SDRAM, ha llegado. DDR4 entrega mayor rendimiento, capacidades DIMM más elevadas, una mejora en la integridad de los datos y ofrece un menor consumo de energía.

Llegando a más de 2 Gbps por pin y con menor consumo de energía que DDR3L, (DDR3 de Bajo Voltaje), DDR4 proporciona aumento en el rendimiento y un ancho de banda de hasta 50%, mientras disminuye el consumo de energía de su entorno de informática en general. Esto representa una mejora significativa sobre las tecnologías de memoria anteriores y un ahorro de energía de hasta 40%.

Además de un rendimiento optimizado y más ecológico, computación de bajo costo, DDR4 también proporciona controles de redundancia cíclica (CRC) para mejorar la confiabilidad de los datos, detección de la paridad en el chip para la verificación de la integridad de transferencias de ‘comando y dirección sobre un enlace, una mayor integridad de la señal y otras robustas características RAS.

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Tecnología a tu alcance
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Detalles de DDR4

Por favor, tenga en cuenta que hay diferencias importantes entre los módulos DDR3 y DDR4.

Diferencia en la muesca

La muesca en un módulo DDR4 está en una ubicación diferente de la muesca en un módulo DDR3 . Ambas muescas están situadas en el borde de inserción pero la ubicación de la muesca en el DDR4 es ligeramente diferente, para evitar que el módulo sea instalado en una placa ó plataforma incompatible.

Aumento del grosor

Los módulos DDR4 son ligeramente más gruesos que los modulos DDR3, para dar cabida a más capas de señal.

Borde de inserción curvado

Los módulos DDR4 cuentan con un borde curvado para ayudar en la inserción y aliviar la tensión sobre la motherboard durante la instalación de la memoria.

Especificaciones a tu alcance
Descripción DDR3 DDR4 Beneficio
Densidades del chip 512Mb-8Gb 4Gb-16Gb Mayores capacidades en módulos DIMM
Data Rates 800Mb/s – 2133Mb/s 1600Mb/s – 3200Mb/s Migration to Higher-Speed I/O
Voltaje 1,5V 1,2V Reducción de la demanda de energía para la memoria
Norma de voltaje bajo Sí (DDR3L a 1.35V) Anticipado a 1.1V Reducciones de energía para la memoria
Bancos internos 8 16 Más bancos
Grupos de bancos (BG) 0 4 Accesos de ráfaga más rápidos
Entradas VREF 2 – DQs y CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR VREFDQ Ahora interno
tCK – habilitado con DLL 300MHz a 800MHz 667MHz a 1,6GHz Mayores velocidades de transmisión de datos
tCK – deshabilitado con DLL 10MHz – 125MHz (opcional) Indefinido para 125MHz DLL-off es ahora totalmente compatible
Latencia en lectura AL + CL AL + CL Valores ampliados
Latencia en escritura AL + CWL AL + CWL Valores ampliados
Controlador DQ (ALT) 40 Ω 48 Ω Óptimo para aplicaciones PtP
Bus DQ SSTL15 POD12 Menos ruido y energía de E/S
Valores RTT (en Ω) 120, 60, 40, 30, 20 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 Compatible con velocidades de transmisión de datos más elevadas
No se permite RTT No se permite RTT Desactiva durante ráfagas de lectura Facilidad de uso
Modos ODT Nominal, Dinámico Nominal, Dinámico, Estacionar Modo de control adicional; Cambio de Valor OTF
Control ODT Se requiere señalización ODT NO se requiere señalización ODT Facilidad de control ODT; Permite enrutamiento qye no es ODT, Aplicaciones PtP
Registro multi-propósito Cuatro registros - 1 Definido, 3 RFU Cuatro registros - 3 Definido, 1 RFU Proporciona lectura especializada adicional
Tipos de DIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
Contactos DIMM 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS ECC CRC, Paridad, Direccionabilidad, GDM Más características RAS; integridad de datos mejorada
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