Обзор памяти DDR4

Память DDR3 уже приближается к пределу своих возможностей в условиях, когда требуется более высокая производительность и пропускная способность, поэтому участники отрасли разработали новое поколение памяти DDR SDRAM. DDR4 обеспечивает повышенную производительность, увеличенную емкость DIMM, улучшенную целостность данных и пониженное энергопотребление.

DDR4 достигает скорости до 2Гбит/с на контакт и потребляет меньше энергии, чем DDR3L (DDR3 с пониженным напряжением), обеспечивая до 50% роста производительности и скорости, а также снижая энергопотребление всей вычислительной среды. Она имеет ряд усовершенствований по сравнению с более старыми технологиями памяти и позволяет экономить до 40% энергии.

В дополнение к оптимизированной производительности и более низкому энергопотреблению DDR4 также выполняет циклические проверки с избыточностью (CRC) для обеспечения повышенной надежности хранения данных, имеет встроенную функцию контроля нарушения четности для проверки целостности передачи команд и адресов, обеспечивает повышенную целостность сигнала и другие функции RAS.

not found
Краткое описание новой технологии
not found
Подробная описание модулей памяти DDR4

Следует учесть, что существуют незначительные различия между модулями DDR3 и DDR4.

Разница в установочных пазах

Расположение паза модуля DDR4 отличается от расположения паза модуля DDR3. Оба паза расположены на стороне вставки модуля, но расположение паза DDR4 немного отличается, чтобы предотвратить установку в несовместимую плату или платформу.

Увеличенная толщина

Модули DDR4 немного толще DDR3, потому что содержат больше сигнальных слоев.

Изогнутый край

Модули DDR4 имеют изогнутый край, что упрощает процесс установки модуля и снижает давление на печатную плату при вставке модулей памяти.

Краткое описание технических характеристик
Описание DDR3 DDR4 Advantage
Плотность размещения микросхем 512Мбит-8Гбит 4Гбит-16Гбит Повышенная емкость DIMM
Скорость передачи данных 800Мбит/с–2133Мбит/с 1600Мбит/с –3200Мбит/с Переход к повышенной скорости ввода-вывода
Напряжение 1,5B 1,2B Пониженное энергопотребление памяти
Стандарт низкого напряжения Да (DDR3L при 1,35В) Ожидается 1,1В Снижение мощности памяти
Внутренние банки 8 16 Другие банки
Группы банков (BG) 0 4 Более быстрый произвольный доступ
Входы VREF 2 – DQ и CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR Внутренний VREFDQ
tCK – с функцией DLL 300МГц – 800МГц 667МГц – 1,6ГГц Повышенная скорость передачи данных
tCK – без DLL 10МГц – 125МГц (дополнительно) 10МГц – 125МГц (дополнительно) Полная поддержка работы без DLL
Задержка чтения AL + CL AL + CL Увеличенные значения
Задержка записи AL + CWL AL + CWL Увеличенные значения
Драйвер DQ (ALT) 40 Ω 48 Ω Оптимально подходит для применения в PtP
Шина DQ SSTL15 POD12 Пониженный шум и мощность ввода-вывода
Значения RTT (Ом) 120, 60, 40, 30, 20 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 Поддержка повышенной скорости передачи
RTT не допускается Произвольное чтение Отключается при произвольном чтении Простота использования
Режимы ODT Номинальный, динамический Номинальный, динамический, парковка Дополнительный режим управления; изменение значения OTF
Управление ODT Требуется передача сигналов ODT НЕ требуется передача сигналов ODT Простота управления ODT; допускается маршрутизация без ODT, применение для PtP
Многоцелевой регистр Четыре регистра – 1 заданный, 3 RFU Четыре регистра – 3 заданных, 1 RFU Обеспечивает дополнительное специальное чтение
Типы DIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
Контакты DIMM 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS ECC CRC, четность, адресуемость, GDM Дополнительные функции RAS; увеличенная целостность данных
        Back To Top