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HyperX SO-DIMM記憶體模組

對於無法進行BIOS調整頻率與時序的筆記型電腦與小筆電，Kingston一樣可以提供充足的效能爆發力，只要換上HyperX SO-DIMM記憶體模組，全自動的參數設定，為您的筆記型電腦提供最佳的效能表現。高速反應的記憶體不但讓軟體執行得更快，更不會影響您筆記型電腦的續行力。



KHX image
HyperX SO-DIMM DDR3記憶體的特性：
  • 不需要額外調整，只要安裝好，系統就能自動調整最佳的效能參數。
  • 運作電壓與一般標準DDR3記憶體一樣是1.5V，可維續系統原有的續航力。
  • 鋁質的薄型散熱片，在狹小的筆電空間中，一樣可以維持良好的散熱性。
  • 超低的延遲時序，比一般的記憶體更減少了28.6%（CL5：CL7）的延遲。
  • 針對追求極致效能的筆記型電腦，提供最完美的記憶體配件。


HyperX DDR3記憶體模組
Kingston
產品型號		 規格 容量 延遲時序 電壓  
KHX8500S3ULK2/4GX DDR3-1066, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM, Intel X.M.P 4GB, Kit of 2 - 2GB 5-5-5-15 1.5V(Datasheet)
KHX8500S3ULK2/4G DDR3-1066, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM 4GB, Kit of 2 - 2GB 5-5-5-15 1.5V(Datasheet)



KHX image
SO-DIMM雙通道DDR2記憶體的特性：
  • 不需要額外調整，只要安裝好，系統就能自動調整最佳的效能參數。
  • 運作電壓與一般標準DDR3記憶體一樣是1.8V，可維續系統原有的續航力。
  • 超低的延遲時序，每個讀寫動作的延遲時間比一般的記憶體更短。


雙通道包裝記憶體模組：
Kingston
產品型號		 規格 容量 延遲時序 電壓  
KHX6400S2ULK2/4G DDR2-800, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM 4GB, Kit of 2 - 2GB 4-4-4-12 1.8V(Datasheet)
KHX6400S2ULK2/2G DDR2-800, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM 2GB, Kit of 2 - 1GB 4-4-4-12 1.8V(Datasheet)
KHX6400S2LLK2/4G DDR2-800, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM 4GB, Kit of 2 - 2GB 5-5-5-15 1.8V(Datasheet)
KHX6400S2LLK2/2G DDR2-800, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM 2GB, Kit of 2 - 1GB 5-5-5-15 1.8V(Datasheet)
KHX5300S2LLK2/4G DDR2-667, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM 4GB, Kit of 2 - 2GB 4-4-4-12 1.8V(Datasheet)
KHX5300S2LLK2/2G DDR2-667, Non-ECC, Unbuffered SO-DIMM 2GB, Kit of 2 - 1GB 4-4-4-12 1.8V(Datasheet)



時序定義：
    延遲時序是HyperX效能應用的重要指標，在下面的表格中，我們將每個項目的功能作簡單的說明，讓您更瞭解時序項目與每個時序的調整意義。簡單來說，這些數值越低，即代表記憶體將資料讀寫速度完成，並執行下一個定址的動作越快，效能也就越好。

時序 定義 縮寫 功能
8 CAS Latency CL 指確認資料行位後，列定址訊號送出到定址完成的時間，以及資料從儲存區移動到匯流排所需的時脈數。
8 RAS to CAS
(Row to Column delay) 		rRCD 列定址送出後，到行定址控制之間所需要的間隔時脈數。
8 Row Precharge Delay
(RAS Precharge Delay) 		tRP/tRCP 關閉定址中的一行，到開啟另外一行所需要的時脈數。
24 Row Active Delay
(or RAS Active Delay, or time to ready) 		tRA/tRD/tRAS完成動作後，重新進行行定址所需要的延遲時脈數。



為什麼頻率越快，時序越高？
    在相同的頻率下，時序值當然是越低越好，但是在高頻寬的新一代記憶體中，我們常發現時序值的參數大多高於以往低頻寬的產品，這之間的快慢之別，我們可以下面的例子來作簡單的說明：

Kingston
產品型號		 記憶體規格 實際時脈 單位時脈時間 CL 實際CL時間 實際延遲加總
KHX8500D2/1G DDR2-1066 533MHz 1.876ns5 9.38ns 56.28ns
(5-5-5-15)
KHX6400D2LL/1G DDR2-800 400MHz 2.5ns 4 10ns 60ns
(4-4-4-12)
Standard DDR2-1066 DDR2-1066 533MHz 1.876ns7 13.132ns78.792
(7-7-7-21)
Standard DDR2-800 DDR2-800 400MHz 2.5ns 5 12.5ns 75ns
(5-5-5-15)
Standard DDR2-667 DDR2-667 333MHz 3ns 4 12ns 72ns
(4-4-4-12)



以DDR2-800和DDR2-667的比較來說，雖然時序值有1的落差，但實際的CL時間，兩者其實只差了0.5ns，在延遲上所花的時間差異不大，需要相同時脈傳輸資料的速度，自然也是DDR2-800會比較快。這當然也是HyperX的重要價值，不論高頻率還是低時序，精選過的記憶體模組都可以縮短您記憶體在延遲上所花的時間，讓記憶體在原本的電壓下有更完美的效能，快速完成工作。


※請注意：
  • Kingston是針對HyperX記憶體標籤上所標示的運作參數進行嚴格測試，部分主機板或系統裝置有可能因為韌體更新不及，而無法運作。
  • Kingston不支援使用者以超過公佈規格的頻率或時序來進行運作，不當的參數設定將可能對您的硬體造成傷害。


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