Kingston Technology Company - <img src=/hyperx/products/image_files/titlebar_sodimm.gif> - HyperX memory is now available for notebooks!

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HyperX SO-DIMM記憶體模組

對於無法進行BIOS調整頻率與時序的筆記型電腦與小筆電，Kingston一樣可以提供充足的效能爆發力，只要換上HyperX SO-DIMM記憶體模組，全自動的參數設定，為您的筆記型電腦提供最佳的效能表現。高速反應的記憶體不但讓軟體執行得更快，更不會影響您筆記型電腦的續行力。

KHX image

HyperX SO-DIMM DDR3記憶體的特性：

不需要額外調整，只要安裝好，系統就能自動調整最佳的效能參數。
運作電壓與一般標準DDR3記憶體一樣是1.5V，可維續系統原有的續航力。
鋁質的薄型散熱片，在狹小的筆電空間中，一樣可以維持良好的散熱性。
超低的延遲時序，比一般的記憶體更減少了28.6%（CL5：CL7）的延遲。
針對追求極致效能的筆記型電腦，提供最完美的記憶體配件。

HyperX DDR3記憶體模組
Kingston 產品型號	規格	容量	延遲時序	電壓

KHX8500S3ULK2/4G	DDR3-1066 Non-ECC SO-DIMM, Ultra Low Latency	4GB Kit of 2 – 2GB	5-5-5-15	1.5V	(Datasheet)

KHX8500S3ULK2/4GX	DDR3-1066 Non-ECC SO-DIMM, Ultra Low Latency, Intel X.M.P Ready	4GB Kit of 2 – 2GB	5-5-5-15	1.5V	(Datasheet)

SO-DIMM雙通道DDR2記憶體的特性：

不需要額外調整，只要安裝好，系統就能自動調整最佳的效能參數。
運作電壓與一般標準DDR3記憶體一樣是1.8V，可維續系統原有的續航力。
超低的延遲時序，每個讀寫動作的延遲時間比一般的記憶體更短。

雙通道包裝記憶體模組：
Kingston 產品型號	規格	容量	延遲時序	電壓

KHX6400S2ULK2/4G	DDR2-800 Non-ECC SO-DIMM, Ultra low Latency	4GB Kit of 2 – 2GB	4-4-4-12	1.8V	(Datasheet)

KHX6400S2ULK2/2G	DDR2-800 Non-ECC SO-DIMM, Ultra low Latency	2GB Kit of 2 -1GB	4-4-4-12	1.8V	(Datasheet)

KHX6400S2LLK2/4G	DDR2-800 Non-ECC SO-DIMM, Low Latency	4GB Kit of 2 - 2GB	5-5-5-18	1.8V	(Datasheet)

KHX6400S2LLK2/4GB	DDR2-800 Non-ECC SO-DIMM, Low Latency	3GB 1-1GB, 1-2GB	5-5-5-18	1.8V	(Datasheet)

KHX6400S2LLK2/2G	DDR2-800 Non-ECC SO-DIMM, Low Latency	2GB Kit of 2 - 1GB	5-5-5-18	1.8V	(Datasheet)

時序定義：

延遲時序是HyperX效能應用的重要指標，在下面的表格中，我們將每個項目的功能作簡單的說明，讓您更瞭解時序項目與每個時序的調整意義。簡單來說，這些數值越低，即代表記憶體將資料讀寫速度完成，並執行下一個定址的動作越快，效能也就越好。

時序	定義	縮寫	功能
8	CAS Latency	CL	指確認資料行位後，列定址訊號送出到定址完成的時間，以及資料從儲存區移動到匯流排所需的時脈數。
8	RAS to CAS (Row to Column delay)	rRCD	列定址送出後，到行定址控制之間所需要的間隔時脈數。
8	Row Precharge Delay (RAS Precharge Delay)	tRP/tRCP	關閉定址中的一行，到開啟另外一行所需要的時脈數。
24	Row Active Delay (or RAS Active Delay, or time to ready)	tRA/tRD/tRAS	完成動作後，重新進行行定址所需要的延遲時脈數。

為什麼頻率越快，時序越高？

在相同的頻率下，時序值當然是越低越好，但是在高頻寬的新一代記憶體中，我們常發現時序值的參數大多高於以往低頻寬的產品，這之間的快慢之別，我們可以下面的例子來作簡單的說明：

Kingston 產品型號	記憶體規格	實際時脈	單位時脈時間	CL	實際CL時間	實際延遲加總

KHX8500D2/1G	DDR2-1066	533MHz	1.876ns	5	9.38ns	56.28ns (5-5-5-15)

KHX6400D2LL/1G	DDR2-800	400MHz	2.5ns	4	10ns	60ns (4-4-4-12)

Standard DDR2-1066	DDR2-1066	533MHz	1.876ns	7	13.132ns	78.792 (7-7-7-21)

Standard DDR2-800	DDR2-800	400MHz	2.5ns	5	12.5ns	75ns (5-5-5-15)

Standard DDR2-667	DDR2-667	333MHz	3ns	4	12ns	72ns (4-4-4-12)

以DDR2-800和DDR2-667的比較來說，雖然時序值有1的落差，但實際的CL時間，兩者其實只差了0.5ns，在延遲上所花的時間差異不大，需要相同時脈傳輸資料的速度，自然也是DDR2-800會比較快。這當然也是HyperX的重要價值，不論高頻率還是低時序，精選過的記憶體模組都可以縮短您記憶體在延遲上所花的時間，讓記憶體在原本的電壓下有更完美的效能，快速完成工作。

※請注意：

Kingston是針對HyperX記憶體標籤上所標示的運作參數進行嚴格測試，部分主機板或系統裝置有可能因為韌體更新不及，而無法運作。
Kingston不支援使用者以超過公佈規格的頻率或時序來進行運作，不當的參數設定將可能對您的硬體造成傷害。

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