หน่วยความจำ
ไดรฟ์โซลิดสเตต
ไดรฟ์ USB
แฟลชการ์ด
การสนับสนุน
ค้นหาหน่วยความจำ

หน่วยความจำ HyperX

ตัวถอดรหัสชิ้นส่วน

ข้อมูลต่อไปนี้จัดทำขึ้นเพื่อช่วยคุณในการตรวจสอบโมดูลหน่วยความจำ Kingston® HyperX® ตามส่วนประกอบทางเทคนิค

คำศัพท์

ความจุ

จำนวนเซลล์หน่วยความจำในโมดูลที่มีหน่วยเป็นเมกะไบต์หรือกิกะไบต์ สำหรับผลิตภัณฑ์ที่จำหน่ายเป็นชุด ความจุที่แจ้งเป็นความจุรวมของโมดูลทั้งหมดที่จัดจำหน่ายในชุดเดียวกัน

ค่าหน่วงเวลา CAS

ค่าหน่วงเวลา (รอ) ตัวหนึ่งที่มีความสำคัญที่สุด (ระบุเป็นรอบสัญญาณนาฬิกา) เมื่อมีการเรียกค้นข้อมูลในโมดูลหน่วยความจำ หลังจากมีการโหลดคำสั่งเขียนหรืออ่านข้อมูลและที่อยู่ของแถว/คอลัมน์ ค่าหน่วงเวลา CAS ใช้ระบุเวลารอสุดท้ายจนกว่าข้อมูลจะพร้อมสำหรับอ่านหรือเขียน

DDR3

หน่วยความจำ Double Data Rate (DDR) SDRAM รุ่นที่สาม คล้ายกับ DDR2 ตรงที่พัฒนาต่อเนื่องมาจากระบบ DDR ที่ทำงานได้ภายใต้ความเร็วสูง (สูงสุด 1600MHz) สิ้นเปลืองพลังงานและเกิดความร้อนต่ำ ถือเป็นหน่วยความจำที่เหมาะอย่างยิ่งสำหรับระบบที่ต้องใช้แบนด์วิธสูงที่ใช้โปรเซสเซอร์สองหรือสี่คอร์ประมวลผล โดยไม่สิ้นเปลืองพลังงานมากเกินไป สามารถใช้งานได้กับเซิร์ฟเวอร์หรือแม้แต่แพลตฟอร์มพกพา

DDR2

เทคโนโลยีหน่วยความจำ DDR รุ่นที่สอง โมดูลหน่วยความจำ DDR2 ไม่รองรับ DDR เนื่องจากใช้แรงดันไฟน้อยกว่า จำนวนขาต่อไม่เท่ากันและเทคโนโลยีชิปหน่วยความจำที่ต่างกัน

ชุดผลิตภัณฑ์

ชุดผลิตภัณฑ์เดี่ยวที่บรรจุโมดูลหน่วยความจำหลายตัว เช่น K2 = 2 ตัวต่อหนึ่งชุด

ชิป Register

โมดูลหน่วยความจำที่ใช้ชิป Register สำหรับส่งต่อและซิงค์ที่อยู่และสัญญาณควบคุมจากส่วนควบคุมหน่วยความจำของเมนบอร์ด นอกจากนี้ยังใช้ชิป Phase Locked Loop (PLL) เพื่อส่งต่อสัญญาณนาฬิกาของเมนบอร์ดไปยังชิป DRAM ทั้งหมด

ความเร็ว

อัตราความเร็วข้อมูลหรือความเร็วสัญญาณนาฬิกาใช้งานที่โมดูลหน่วยความรองรับ

LATENCY TIMING

ข้อมูลต่อไปนี้จัดทำขึ้นเพื่อช่วยคุณในการตรวจสอบโมดูลหน่วยความจำ Kingston HyperX ตามส่วนประกอบทางเทคนิค


ตัวย่อ

ความหมาย

การทำงาน

CL

ค่าหน่วงเวลา CAS

ระยะหน่วงระหว่างการเปิดใช้งานแถวและการอ่านแถวข้อมูล

tRCD

RAS to CAS (หรือ Row to Column Delay)

เปิดใช้งานแถวข้อมูล

trp หรือ tRCP

Row Precharge Delay (หรือ RAS Precharge Delay)

ปิดใช้งานแถวข้อมูล

tra หรือ trd หรือ tRAS

Row Active Delay (หรือ RAS Active Delay หรือ time to ready)

จำนวนรอบสัญญาณนาฬิการะหว่างการเปิดและปิดใช้งานแถวข้อมูล

CMD Rate

Command rate

ระยะหน่วงระหว่างการเลือกชิปและคำสั่ง

หมายเหตุ: ผลิตภัณฑ์จาก Kingston ทั้งหมดได้รับการทดสอบว่ามีคุณสมบัติทางเทคนิคที่แจ้งไว้ เครื่องหรือเมนบอร์ดบางตัวอาจไม่สามารถรองรับการทำงานตามความเร็วและการตั้งค่าที่กำหนดสำหรับ HyperX ที่แจ้งไว้ Kingston ไม่แนะนำให้ผู้ใช้ปรับการทำงานของคอมพิวเตอร์ให้เร็วกว่าความเร็วที่แจ้งไว้ การโอเวอร์คล็อกหรือปรับแต่งค่าเวลาการทำงานของระบบอาจทำให้ส่วนประกอบของคอมพิวเตอร์เกิดความเสียหาย