Tổng quan về DDR4

Khi nhu cầu về hiệu năng và băng thông ngày càng cao và DDR3 đã đạt đến giới hạn của mình, một thế hệ DDR SDRAM mới đã xuất hiện. DDR4 mang đến hiệu năng cao hơn, dung lượng DIMM lớn hơn, nâng cao tính toàn vẹn dữ liệu và tiêu thụ điện năng ít hơn.

Với băng thông đạt hơn 2Gbps trên mỗi chân cắm và tiêu thụ điện năng ít hơn so với DDR3L (DDR3 Điện áp Thấp), DDR4 mang đến hiệu năng và dung lượng băng thông cao hơn 50% trong khi giảm mức tiêu thụ điện năng tổng thể của môi trường điện toán. Đây là mức cải tiến đáng kể so với các công nghệ bộ nhớ trước đây và bạn có thể tiết kiệm được đến 40% điện năng.

Ngoài việc tối ưu hóa hiệu năng, thân thiện hơn với môi trường và có chi phí thấp hơn, DDR4 còn trang bị tính năng kiểm tra phần dư tuần hoàn (CRC) để tăng độ tin cậy của dữ liệu, cải thiện khả năng phát hiện tính chẵn lẻ trên chip nhằm xác thực tính toàn vẹn của ‘việc truyền lệnh và địa chỉ qua một liên kết, nâng cao tính toàn vẹn của tín hiệu và các tính năng RAS mạnh mẽ khác.

not found
Khái lược về Công nghệ
not found
Chi tiết về DDR4

Xin lưu ý rằng sự khác biệt giữa các mô-đun DDR3 và DDR4 là rất nhỏ.

Sự khác biệt về rãnh khóa

Rãnh khóa trên mô-đun DDR4 nằm ở vị trí khác so với rãnh khóa trên mô-đun DDR3. Cả hai rãnh đều nằm trên cạnh để cắm vào nhưng vị trí rãnh trên DDR4 hơi khác một chút để ngăn không cho mô-đun này được lắp vào một bo mạch hoặc một nền tảng không tương thích.

Tăng độ dày

Mô-đun DDR4 dày hơn một chút so với DDR3 để chứa được nhiều lớp tín hiệu hơn.

Cạnh bo tròn

Mô-đun DDR4 có một cạnh bo tròn để giúp việc lắp đặt trở nên dễ dàng hơn và giảm thiểu áp lực lên PCB trong quá trình lắp đặt.

Thông số kỹ thuật cơ bản
Mô tả DDR3 DDR4 Lợi ích
Mật độ Chip 512Mb-8Gb 4Gb-16Gb Dung lượng DIMM lớn hơn
Data Rates 800Mb/s – 2133Mb/s 1600Mb/s – 3200Mb/s Migration to Higher-Speed I/O
Điện áp 1,5V 1,2V Giảm nhu cầu điện năng của bộ nhớ
Tiêu chuẩn điện áp thấp Có (DDR3L ở mức 1.35V) Kỳ vọng ở mức 1.1V Giảm mức tiêu thụ điện năng của bộ nhớ
Bank Bên trong 8 16 Thêm Bank
Nhóm Bank (BG) 0 4 Truy cập truyền loạt nhanh hơn
Đầu vào VREF 2 – DQs và CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR VREFDQ giờ đây nằm ở bên trong
tCK – DLL được kích hoạt 300MHz – 800MHz 667MHz – 1,6GHz Tốc độ dữ liệu cao hơn
tCK – DLL được tắt đi 10MHz – 125MHz (tùy chọn) Chưa định nghĩa đến 125MHz Giờ đây đã hỗ trợ hoàn toàn DLL-off
Độ trễ Đọc AL + CL AL + CL Giá trị Mở rộng
Độ trễ Ghi AL + CWL AL + CWL Giá trị Mở rộng
DQ Driver (ALT) 40 Ω 48 Ω Tối ưu cho các ứng dụng PtP
DQ Bus SSTL15 POD12 Tiếng ồn và điện năng I/O thấp hơn
Giá trị RTT (tính theo Ω) 120, 60, 40, 30, 20 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 Hỗ trợ tốc độ dữ liệu cao hơn
RTT không được phép Truyền loạt ĐỌC Tắt khi Truyền loạt Đọc Dễ sử dụng
Các chế độ ODT Nominal, Dynamic Nominal, Dynamic, Park Chế độ Điều khiển bổ sung; Thay đổi Giá trị OTF
Điều khiển ODT Yêu cầu Tín hiệu ODT KHÔNG Yêu cầu Tín hiệu ODT Điều khiển ODT dễ dàng; Cho phép định tuyến phi ODT, Ứng dụng PtP
Thanh ghi đa năng Bốn thanh ghi – 1 Được định nghĩa, 3 RFU Bốn thanh ghi – 3 Được định nghĩa, 1 RFU Cung cấp thông tin chuyên môn bổ sung
Các loại DIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
Số chân DIMM 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS ECC CRC, Tính chẵn lẻ, Khả năng cấp địa chỉ, GDM Thêm tính năng RAS; nâng cao tính toàn vẹn dữ liệu
        Back To Top