2019 年第四季度初，DRAM 半导体供应商开始推出面向 DDR4 的新一代高密度 DRAM。这些新的芯片采用了全新的晶圆光刻技术（小于 20 纳米）。这意味着 DRAM 正在从 8Gbit 密度转向 16Gbit 密度，从而实现更高的每模组容量。
换句话说，这意味着，相比以往方法，使用半数芯片就能实现相同的容量。得益于内存模组采用新晶圆技术和更少组件，包括移动设备在内的各种类型设备的功耗下降。这将延长笔记本电脑的电池续航时间，并为数据中心以及家庭和办公用台式机实现电力成本节省。这项新的技术成果将有助于云计算、边缘数据中心和 5G 网络的发展。
8Gbit DRAM 逐步淘汰
随着 DRAM 制造商将大部分产能集中到高密度 16Gbit，基于 8Gbit 的内存模组将最终逐步淘汰，因此您应相应地规划自己的系统升级。只要能够获取芯片，金士顿将一直生产基于 8Gbit 的内存模组，但我们无法确定这会持续多久。如果您现在在规划系统，并且计算机使用寿命是优先考虑事项，那么，您应使用兼容 16Gbit DRAM 的组件。这将确保您的系统可以升级。
在本短视频中，我们将概要介绍这种过渡 – 这对于您意味着什么、它有什么优势，以及升级内存时应寻找什么产品。了解并体会差异：
- 密度翻番，实现更高 RAM 容量
- 提高系统和应用程序的效率
- 帮助降低功耗
- 为数据中心实现成本节省
