より高いパフォーマンスと帯域幅の増大が求められている今日、DDR3 の対応力が上限に達しつつある中で、新しい世代の DDR SDRAM が実現しました。DDR4 は、より高いパフォーマンス、より大きな DIMM 容量、データの整合性の向上、および消費電力の低下という特徴があります。
1 ピンあたり 2Gbps 以上、また DDR3L (低電圧タイプの DDR3) よりも低い消費電力を達成した DDR4 は、パフォーマンスと帯域幅の能力が最大で 50% 向上します。一方、コンピューティング環境全体の消費電力は低減します。したがって従来のメモリテクノロジーを遥かに超えた結果と、40% の節電効果がもたらされます。
このように最適化されたパフォーマンスならびに環境にやさしい低コストのコンピューティングに加え、DDR4 にはデータの信頼性を向上させる CRC (循環冗長検査)、リンクを介したコマンドとアドレス転送の完全性を検証するためのオンチップ・パリティ検出、信号の整合性拡充、その他の強力な RAS 機能が搭載されています。
DDR3 モジュールと DDR4 モジュールの間にわずかな違いがあります。
DDR4 モジュールのキーノッチは DDR3 モジュールの場合と位置が異なっています。いずれのノッチも挿入エッジにありますが、DDR4 での位置はわずかに異なっています。これは互換性のない基板やプラットフォームにモジュールが組み込まれないようにするためです。
より多くの信号レイヤ数に対応するため、DDR4 モジュールは DDR3 モジュールよりも幾分厚くなっています。
DDR4 のカーブエッジは挿入しやすいデザインであるほか、メモリの組み込み時に PCB へのストレスを緩和します。
DDR4 モジュールには一見違いがないように見えますが、いくつか微妙な違いがあります。DDR4 RAM は DDR3 マザーボードと互換性がなく、逆もまた同様です。うっかり間違ったタイプのメモリに挿入しないように、ノッチ（刻み目）の場所を変えてあります。各モジュール機能には、240 ピンでなく 288 ピンが付けられています。強度と電気接点を改善するため、PCB下部の形がわずかに湾曲しています。
技術的な違いでは、DDR4 の方が速度が速く、最低でも 2133MHz ですが、これは DDR3 のハイエンドに相当します。設計上の速度向上では 3200MHz を大幅に超えることが可能です。
DDR4 は DDR3 より効率が高く、消費電力が最大 40% 減少し、モジュール当たり 1.2V しか必要としません。これによりバッテリ寿命が延長されるため、ノートパソコンには大きな利点となります。
DDR4 は高密度チップとスタッキング技術をサポートしているため、シングルメモリモジュールで最高 512GB の容量が可能です。
巡回冗長検査、「コマンドおよびアドレス」転送のオンチップパリティ検出、およびシグナルインテグリティの向上により、DDR4 はこれまででもっとも信頼性の高い DDR です。
| 説明 | DDR3 | DDR4 | メリット |
|---|---|---|---|
| チップ密度 | 512Mb-8Gb | 4Gb-16Gb | DIMM 容量の増大 |
| データレート | 800Mb/秒～2133Mb/秒 | 1600Mb/秒～3200Mb/秒 | 高速 I/O への移行 |
| 電圧 | 1,5V | 1,2V | メモリの電力消費を節減 |
| 低電圧規格 | Yes (DDR3L at 1.35V) | 1.1V での予測 | メモリ電力の節減 |
| 内部バンク | 8 | 16 | その他のバンク |
| バンクグループ (BG) | 0 | 4 | バーストアクセスの高速化 |
| VREF 入力 | 2 – DQ および CMD/ADDR | 1 – CMD/ADDR | VREFDQ Now Internal |
| tCK – DLL 有効 | 300MHz – 800MHz | 667MHz – 1,6GHz | より高いデータレート |
| tCK – DLL 無効 | 10MHz～125MHz (オプション) | 未定義～125MHz | DLL-オフを完全サポート |
| DLL-オフを完全サポート | AL + CL | AL + CL | 拡張値 |
| 書き込みレーテンシ | AL + CWL | AL + CWL | 拡張値 |
| DQ ドライバ (ALT) | 40 Ω | 48 Ω | PtP アプリケーションに最適 |
| DQ バス | SSTL15 | POD12 | I/O ノイズと電力を低減 |
| RTT 値 (Ω) | 120, 60, 40, 30, 20 | 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 | より高いデータレートをサポート |
| RTT 不可 | 読み取りバースト | 読み取りバースト中に無効化 | 使いやすい |
| ODT モード | 公称、ダイナミック | 公称、ダイナミック、パーク | その他のコントロールモード、OTF 値の変更 |
| ODT コントロール | ODT シグナリング要 | ODT シグナリング要求なし | 簡単な ODT コントロール、非 ODT ルーティング、PtP アプリケーション可能 |
| 多目的レジスタ | レジスタ 4 個 – 定義済み 1、RFU 3 | レジスタ 4 個 – 定義済み 1、RFU 1 | さらなる特殊リードアウトを提供 |
| DIMM のタイプ | RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM | RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM | |
| DIMM ピン | 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) | 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM) | |
| RAS | ECC | CRC、パリティ、対応力、GDM | さらなる RAS 機能を追加、データ整合性の向上 |
