고성능과 대역폭 증가를 요구하는 세계에서 DDR3가 한계에 도달하면서, 차세대 DDR SDRAM이 등장했습니다. DDR4는 고성능, 높은 DIMM 용량, 향상된 데이터 무결성 및 낮은 전력 소비를 제공합니다.
핀당 2Gbps 이상 달성과 DDR3L(DDR3 저전압) 미만의 전력 소비로 DDR4는 최대 50% 증가한 성능과 대역폭을 제공하면서 동시에 전체 컴퓨팅 환경의 전력 소비를 줄입니다. 이는 이전 메모리 기술에 비해 상당히 개선된 것으로 전력 소비량을 40%나 줄일 수 있습니다.
최적화된 성능과 친환경적인 저비용 컴퓨팅과 더불어 DDR4는 또한 데이터 안정성 향상을 위한 CRC(Cyclic Redundancy Check), 링크상에서 '명령 및 주소' 전송의 무결성 확인을 위한 온칩 패리티 감지, 향상된 신호 무결성과 기타 강력한 RAS 기능을 제공합니다.
DDR3 및 DDR4 모듈 간에 미묘한 차이점이 있다는 점에 주목하십시오.
DDR4 모듈의 키 노치는 DDR3 모듈의 키 노치와 다른 위치에 있습니다. 두 노치 모두 삽입 에지에 위치해 있지만, DDR4에 있는 노치 위치는 비호환 보드 또는 플랫폼에 모듈이 설치되는 것을 방지하기 위해 약간 다릅니다.
DDR4 모듈은 DDR3보다 약간 두꺼우며 더 많은 신호 계층을 수용합니다.
DDR4 모듈은 메모리 설치 중 삽입을 지원하고 PCB에서 응력을 완화하도록 돕는 곡선 에지를 특징으로 합니다.
DDR4 모듈은 얼핏 보면 다를 것 없어 보여도 아주 미묘한 차이가 있습니다. DDR4 RAM은 DDR3 마더보드와 호환되지 않으며 그 반대의 경우도 호환되지 않습니다. 잘못된 유형의 메모리가 우발적으로 삽입되는 것을 방지하기 위해 노치의 위치가 변경되었습니다. 240 핀 대신, 288 핀의 각 모듈 기능. 강도와 전기 접촉을 향상시키기 위해 PCB의 바닥 모양이 약간 곡선 형태로 되어 있습니다.
기술상의 차이점은 다음과 같습니다: DDR4가 DDR3에선 최고급인 2133MHz부터 시작하여 더욱 빠른 속도를 제공하고 있습니다. 속도의 증가는 3200MHz를 훨씬 웃돌 것으로 예상됩니다.
DDR4는 DDR3보다 효율성이 뛰어나, 전력 소비를 최대 40%까지 절감하며 모듈마다 1.2V만이 요구됩니다. 이로써 배터리 수명이 더 길어지기 때문에 노트북에는 큰 이점이 될 수 있습니다.
DDR4는 단일 메모리 모듈을 최대 512GB 용량까지 허용할 수 있는 고밀도 칩 및 스태킹 기술을 지원합니다.
향상된 순환 중복 검사, "명령 및 주소" 전송의 온칩 패리티 감지 및 향상된 신호 무결성을 갖춘 DDR4야말로 가장 신뢰할 수 있는 DDR입니다.
| 설명 | DDR3 | DDR4 | 이점 |
|---|---|---|---|
| 칩 밀도 | 512Mb-8Gb | 4Gb-16Gb | 대규모 DIMM 용량 |
| 데이터 속도 | 800Mb/s – 2133Mb/s | 1600Mb/s – 3200Mb/s | 고속 I/O로 마이그레이션 |
| 전압 | 1.5V | 1.2V | 메모리 전력 수요 감소 |
| 저전압 표준 | 지원(1.35V DDR3L) | 1.05V 예상 | 메모리 전력 감소 |
| 내부 뱅크 | 8 | 16 | 더 많은 뱅크 |
| 뱅크 그룹(BG) | 0 | 4 | 보다 빠른 버스트 액세스 |
| VREF 입력 | 2 – DQ 및 CMD/ADDR | 1 – CMD/ADDR | VREFDQ Now Internal |
| tCK – DLL 지원 | 300MHz – 800MHz | 667MHz – 1.6GHz | 높은 데이터 속도 |
| tCK – DLL 비활성화됨 | 10MHz – 125MHz(옵션) | 미정의됨 - 125MHz | DLL-off 이제 완전 지원 |
| 읽기 지연 시간 | AL + CL | AL + CL | 확장값 |
| 쓰기 지연 시간 | AL + CWL | AL + CWL | 확장값 |
| DQ 드라이버(ALT) | 40 Ω | 48 Ω | PtP 응용 프로그램에 최적 |
| DQ 버스 | SSTL15 | POD12 | 낮은 I/O 노이즈 및 전력 |
| RTT 값(Ω) | 120, 60, 40, 30, 20 | 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 | 높은 데이터 속도 지원 |
| RTT는 지원하지 않음 | 읽기 버스트 | 읽기 버스트 중 비활성화 | 사용 용이성 |
| ODT 모드 | 정격, 동적 | 정격, 동적, 파크 | Add’l 제어 모드; OTF 값 변경 |
| ODT 제어 | ODT 신호 방식 필요 | ODT 신호 방식 필요 없음 | ODT 제어 용이함; 비 ODT 라우팅, PtP 앱 지원 |
| 다용도 레지스터 | 4개의 레지스터 – 1개의 정의, 3개의 RFU | 4개의 레지스터 – 3개의 정의, 1개의 RFU | 추가 특수 판독 제공 |
| DIMM 유형 | RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM | RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM | |
| DIMM 핀 | 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) | 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM) | |
| RAS | ECC | CRC, 패리티, 주소 지정 가능성, GDM | 더 많은 RAS 기능; 향상된 데이터 무결성 |
