Kingston Guía de números de referencia de memorias

Aprenda a entender los números de referencia de las memorias de Kingston®, incluyendo las líneas de productos Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2 y DDR. De este modo podrá identificar los módulos por especificación.

Kingston FURY™ DDR5

La información a continuación está diseñada para ayudarle a identificar los módulos de memoria Kingston FURY, por especificación.

Número de parte: KF560C36BBE2AK2-32

  • KF
  • 5
  • 60
  • C
  • 36
  • B
  • B
  • E
  • 2
  • A
  • K2
  • -
  • 32
KF = Línea de productos
  • KF – Kingston FURY
5 = Tecnología
  • 5 – DDR5
60 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
  • 64 – 6400
  • 68 – 6800
  • 72 – 7200
  • 76 – 7600
  • 80 – 8000
C = Tipo de módulo
  • C – UDIMM (No-ECC sin búfer)
  • S – SODIMM (No-ECC sin búfer)
  • R – EC8 RDIMM (x80)
36 = Latencia CAS
  • 30 – CL30
  • 32 – CL32
  • 36 – CL36
  • 38 – CL38
  • 40 – CL40
B = Serie
  • B – Beast
  • I – Impact
  • R – Renegade
B = Disipador térmico
  • B – Negro
  • S – Plata
  • W – Blanco
E = Tipo de Perfil
  • En blanco - Intel XMP / Plug N Play
  • E - AMD EXPO
2 = Revisión
  • En blanco – 1ra revisión
  • 2da revisión
  • 3ra revisión
A = RGB
  • En blanco - No RGB
  • A – RGB
K2 = Kit + número de piezas
  • En blanco – Módulo único
  • K2 – Kit de 2 módulos
  • K4 - Kit de 4 Módulos
  • K8 - Kit de 8 Módulos
32 = Capacidad total
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 24 – 24GB
  • 32 – 32GB
  • 48 – 48GB
  • 64 – 64GB
  • 96 – 96GB
  • 128 – 128GB
  • 192 – 192GB
  • 256 – 256GB

Memoria Premier DDR5 para servidores de Kingston

La siguiente información está pensada para ayudarle a identificar los módulos de memoria Premier para servidores de Kingston según sus especificaciones.

Part Number: KSM48R40BD4TMP-64HMR

  • KSM
  • 48
  • R
  • 40B
  • D
  • 4
  • T
  • M
  • P
  • -
  • 64
  • H
  • M
  • R
KSM = Línea de productos
  • KSM - Kingston Server Premier
48 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
R = Tipo de módulo
  • E – EC4 UDIMM (x72)
  • P – EC4 RDIMM (x72)
  • R – EC8 RDIMM (x80)
  • T – EC4 SODIMM (x72)
40B = Latencia CAS
  • 40B – CL40-39-39
  • 42B – CL42-42-42
  • 46B – CL46-45-45
D = Rangos
  • S – Individual
  • D – Doble
  • Q – Cuádruple
4 = Tipo de DRAM
  • 4 – x4
  • 8 – x8
T = PMIC
  • I – Renesas
  • K – RichTek
  • M – Montage
  • P – MPS
  • T – TI
M = Concentrador SPD
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • R – Rambus
P = Sensor térmico
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • P – MPS
  • R – Rambus
64 = Capacidad total
  • 16 – 16GB
  • 24 – 24GB
  • 32 – 32GB
  • 48 – 48GB
  • 64 – 64GB
  • 96 – 96GB
  • 128 – 128GB
H = Fabricante de DRAM
  • H – SK Hynix
  • M – Micron
  • S – Samsung
M = Revisión de circuitos integrados de la DRAM
  • A – A Die
  • B – B Die
  • C – C Die
  • D – D Die
  • E – E Die
  • M – M Die
R = Registro
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • R – Rambus

Kingston ValueRAM DDR5

Número de referencia: KVR48U40BS8K2-32X

  • KVR
  • 48
  • U
  • 40B
  • S
  • 8
  • K2
  • -
  • 32
  • X
KVR = Línea de productos
  • KVR – Kingston ValueRAM
48 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000
  • 64 – 6400
U = Tipo de módulo
  • U – DIMM, sin búfer (no ECC)
  • S – SO-DIMM (no ECC, sin búfer)
40B = Latencia CAS
  • 40B – CL40
  • 42B – CL42
  • 46B – CL46
S = Rangos
  • S – Rango único
  • D – Doble rango
8 = Tipo de DRAM
  • 8 – x8
  • 6 – x16
K2 = Kit + número de piezas
  • En blanco – Módulo individual
  • K2 – Kit de 2 Módulos
  • K4 – Kit de 4 Módulos
32 = Capacidad total
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 48 – 48GB
  • 64 – 64GB
  • 96 – 96GB
  • 128 – 128GB
  • 192 – 192GB
  • 256 – 256GB
X = Personalización
  • En blanco – Paquete estándar
  • BK – Paquete a granel

Guía de números de referencia de Kingston FURY™ DDR4/DDR3

La siguiente información está pensada para ayudarle a identificar los módulos de memoria Kingston FURY según sus especificaciones.

Número de referencia: KF432C16BB12AK2/32

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 16
  • B
  • B
  • 1
  • 2
  • A
  • K2
  • /
  • 32
KF = Línea de productos
  • KF - Kingston FURY
4 = Tecnología
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
32 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 16 - 1600 (1.5V)
  • 16L - 1600 (1.35V)
  • 18 - 1866 (1.5V)
  • 18L - 1866 (1.35V)
  • 26 - 2666
  • 32 - 3200
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = Tipo de módulo
  • C – UDIMM (no ECC sin búfer)
  • S – SODIMM (no ECC sin búfer)
16 = Latencia CAS
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
B = Serie
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
B = Disipador térmico
  • En blanco - Azul
  • B - Negro
  • R - Rojo
  • W - Blanco
1 = Configuración del módulo de 16 GB
  • En blanco – 2Gx8
  • 1 – 1Gx8
2 = Revisión
  • En blanco - 1ra revisión
  • 2 - 2da revisión
  • 3 - 3ra revisión
  • 4 - 4th Revision
A = RGB
  • En blanco - No RGB
  • A - RGB
K2 = Kit + número de piezas
  • En blanco – Módulo único
  • K2 - kit de 2 módulos
  • K4 - kit de 4 módulos
  • K8 - kit de 8 módulos
32 = Capacidad total
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

Kingston Server Premier DDR4

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Número de referencia: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
KSM = Línea de productos
  • KSM – Kingston Server Premier
26 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 29 – 2933
  • 32 – 3200
R = Tipo de módulo
  • E – DIMM sin búfer (ECC)
  • R – DIMM sin registrar
  • L – DIMM de carga reducida
  • SE – SO-DIMM sin búfer (ECC)
D = Rangos
  • S – Individual
  • D – Doble
  • Q – Cuádruple
4 = Tipo de DRAM
  • 4 – x4
  • 8 – x8
L = Perfil
  • L – DIMM de muy bajo perfil
32 = Capacidad total
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
  • 64 – 64GB
  • 128 – 128GB
  • 256 – 256GB
H = Fabricante de DRAM
  • H – SK Hynix
  • M – Micron
A = DRAM Revisión final
  • A – Circuitos integrados A
  • B – Circuitos integrados B
  • E – Circuitos integrados E
I = Registrar fabricante
  • I – Renesas
  • M – Montage
  • R – Rambus

Kingston ValueRAM DDR4

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Número de referencia: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
KVR = Product Line
  • KVR: Kingston ValueRAM
21 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 21 – 2133
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 29 – 2933
  • 32 – 3200
L = Bajo voltaje
  • En blanco – 1.2V
  • L – TBD
R = Tipo de módulo
  • E – DIMM sin búfer (ECC)
  • L – DIMM de carga reducida
  • N – DIMM (no ECC sin búfer)
  • R – DIMM registrado
  • S – SODIMM (sin búfer ECC)
15 = Latencia CAS
  • 15 – CL15
  • 19 – CL19
  • 22 – CL22
D = Categorías
  • S – Cadena única
  • D – Cadena doble
  • Q – Cadena cuádruple
  • Q – Cadena óctuple
8 = Tipo de memoria DRAM
  • 4 – x4
  • 8 – x8
  • 6 – x16
L = Perfil
  • En blanco – Cualquier altura
  • H – 31.25mm
  • L – 18.75mm (VLP)
K2 = Kit + número de piezas
  • En blanco – Módulo individual
  • K2 – Kit de dos módulos
  • K3 – Kit de tres módulos
4 = Capacidad
  • 4 – 4GB
  • 8 – 8GB
  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB
H = DRAM MFGR
  • H – SK Hynix
  • K – Kingston
  • M – Micron
  • S – Samsung
B = Revisión
  • B – Revisión
I = Certificadas por Intel
  • I – Certificadas por Intel

Módulos de DRAM Design-In de Kingston DDR5

Número de referencia: CBD48S40BD8MA-32

  • CBD
  • 48
  • S
  • 40B
  • D
  • 8
  • M
  • A
  • -
  • 32
CBD = Línea de productos
  • CBD – Módulos de DRAM Design-In de Kingston
48 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
S = Tipo de módulo
  • U – DIMM (sin búfer ECC)
  • S – SODIMM (sin búfer ECC)
40B = Latencia CAS
  • 40B – CL40-39-39
  • 42 – CL42-42-42
  • 46B – CL46-45-45
D = Rangos
  • S – Rango único
  • D – Doble rango
8 = Tipo de DRAM
  • 8 – x8
  • 6 – x16
M = Fabricante de la DRAMM
  • H – SK Hynix
  • M – Micron
  • S – Samsung
A = Revisión de circuitos integrados de la DRAM
  • A – Circuitos integrados A
  • B – Circuitos integrados B
  • M – Circuitos integrados M
32 = Capacidad total
  • 8 – 8 GB
  • 16 – 16 GB
  • 32 – 32 GB

Módulos de DRAM Design-In de Kingston DDR4

Número de referencia: CBD26D4U9D8HJV-16

  • CBD
  • 26
  • D4
  • U
  • 9
  • D
  • 8
  • H
  • J
  • V
  • -
  • 16
CBD = Línea de productos
  • CBD – Módulos de DRAM Design-In de Kingston
26 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 21 – 2133
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 32 – 3200
D4 = Tecnología
  • D4 – DDR4
U = Tipo de módulo
  • U – DIMM (sin búfer ECC)
  • S – SODIMM (sin búfer ECC)
9 = Latencia CAS
  • 5 – CL15-15-15
  • 7 – CL17-17-17
  • 9 – CL19-19-19
  • 2 – CL22-22-22
D = Rangos
  • S – Rango único
  • D – Doble rango
8 = Tipo de DRAM
  • 8 – x8
  • 1 – x16
H = Fabricante de la DRAM
  • H – SK Hynix
  • K – Kingston
  • M – Micron
  • N – Nanya
  • S – Samsung
J = Revisión de circuitos integrados de la DRAM
  • A – Circuitos integrados A
  • B – Circuitos integrados B
  • C – Circuitos integrados C
  • D – Circuitos integrados D
  • E – Circuitos integrados E
  • F – Circuitos integrados F
  • H – Circuitos integrados H
  • J – Circuitos integrados J
  • R – Circuitos integrados R
V = Tipo de placa de circuitos impresos
  • Negro – Dorado brillante
  • H – Dorado electrolítico
  • V – Perfil muy bajo
16 = Capacidad total
  • 4 – 4 GB
  • 8 – 8 GB
  • 16 – 16 GB
  • 32 – 32 GB

Módulos de DRAM Design-In de Kingston DDR3

Número de referencia: CBD16D3LFU1KBG/2G

  • CBD
  • 16
  • D3L
  • F
  • U
  • 1
  • K
  • B
  • G
  • –
  • 2G
CBD = Línea de productos
  • CBD – Módulos de DRAM Design-In de Kingston
16 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 16 – 1600
D3L = Tecnología
  • D3 – DDR3 (1,5 V)
  • D3L – DDR3L (1,35 V / 1,5 V)
F = Tipo de DRAM
  • En blanco – x8
  • F – x16
U = Tipo de módulo
  • U – DIMM (sin búfer ECC)
  • S – SODIMM (sin búfer ECC)
1 = Latencia CAS
  • 1 – CL11-11-11
K = Fabricante de DRAM
  • K – Kingston
  • S – Samsung
B = Revisión de circuitos integrados de la DRAM
  • B – Circuitos integrados B
  • D – Circuitos integrados D
  • E – Circuitos integrados E
G = Tipo de placa de circuitos impresos
  • L – Perfil muy bajo
  • G – Verde (compatible con RDSP)
  • H – Dorado electrolítico
2G = Capacidad total
  • 2G – 2 GB
  • 4G – 4 GB
  • 8G – 8 GB

Guía de números de referencia de HyperX®

La siguiente información está pensada para ayudarle a identificar los módulos de memoria Kingston HyperX según sus especificaciones.

Número de referencia: HX429C15PB3AK4/32

  • HX
  • 4
  • 29
  • C
  • 15
  • P
  • B
  • 3
  • A
  • K4
  • /
  • 32
HX = Línea de productos
  • HX - HyperX (antiguos)
4 = Tecnología
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
29 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 13 - 1333
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 21 - 2133
  • 24 - 2400
  • 26 - 2666
  • 28 - 2800
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 33 - 3333
  • 34 - 3466
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 41 - 4133
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
C = Tipo de DIMM
  • C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
  • S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
15 = Latencia CAS
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 12 - CL12
  • 13 - CL13
  • 14 - CL14
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
P = Serie
  • F - FURY
  • B - Beast
  • S - Savage
  • P - Predator
  • I - Impact
B = Disipador térmico
  • En blanco - Azul
  • B - Negro
  • R - Rojo
  • W - Blanco
3 = Revisión
  • 2 - 2da revisión
  • 3 - 3ra revisión
  • 4 - 4ta revisión
A = RGB
  • En blanco - No RGB
  • A - RGB
K4 = Kit + cantidad en kit
  • En blanco - Módulo individual
  • K2 - Kit de 2 módulos
  • K4 - Kit de 4 módulos
  • K8 - Kit de 8 módulos
32 = Capacidad total
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Cómo leer los códigos de artículo de ValueRAM

Ejemplo:
Nuevo esquema de artículos: KVR 16 R11 D4 / 8
Esquema anterior: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

El nuevo esquema de artículos se aplica a los artículos introducidos después del 1 de mayo de 2012.

Número de referencia: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
16 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
L = Bajo voltaje
  • En blanco: 1.5V
  • L: 1.35V
  • U: 1.25V
R = Tipo de módulo
  • E: Módulo DIMM sin buffer (ECC)
  • N: módulos DIMM sin búfer (no ECC)
  • R: DIMM registrado
  • L: DIMM de carga reducida (LRDIMM)
  • S: SO-DIMM
11 = Latencia CAS
  • 11: Latencia CAS
D = Categorías
  • S: Cadena única
  • D: Cadena doble
  • Q: Cadena cuádruple
8 = Tipo de memoria DRAM
  • 4: chip DRAM X4
  • 8: chip DRAM X8
L = Perfil
  • L: 18.75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = Kit + número de piezas
  • K2: Kit de dos módulos
  • K3: Kit de tres módulos
  • K4: Kit de cuatro módulos
4 = Capacidad
  • 4: 4GB
  • 8: 8GB
  • 12: 12GB
  • 16: 16GB
  • 24: 24GB
  • 32: 32GB
  • 48: 48GB
  • 64: 64GB
H = DRAM MFGR/Certificación
  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: Validado por Intel
B = Revisión final
  • B: Revisión final

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Número de referencia: KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
1066 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 1066 - Velocidad
D3 = Tecnología
  • D2: DDR2
  • D3: DDR3
L = Bajo voltaje
  • En blanco: 1.5V
  • L: 1.35V
  • U: 1.25V
D = Categorías
  • S: Cadena única
  • D: Cadena doble
  • Q: Cadena cuádruple
8 = Tipo de memoria DRAM
  • 4: chip DRAM X4
  • 8: chip DRAM X8
R = Tipo de módulo
  • P: Paridad en registro (Solo módulos DIMM registrados)
  • E: Módulo DIMM sin buffer (ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: módulos DIMM sin búfer (no ECC)
  • R: DIMM registrado con dirección/comando función de paridad Con sensor térmico
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM
7 = Latencia CAS
  • 7: Latencia CAS
S = Sensor térmico
  • En blanco: Sin Sensor térmico
  • S: Con Sensor térmico
L = Perfil
  • En blanco: Cualquier altura
  • L: 18.75mm (VLP)
  • H: 30mm
K2 = Kit + número de piezas
  • En blanco: Módulo individual
  • K2: Kit de dos módulos
  • K3: Kit de tres módulos
4G = Capacidad
  • 4G: Capacidad
H = DRAM MFGR
  • H: DRAM MFGR
B = Revisión
  • B: Revisión

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

Número de referencia: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
KVR = Kingston ValueRAM
  • KVR: Kingston ValueRAM
400 = Velocidad (MT/s{{Footnote.A65242}})
  • 266
  • 333
  • 400
X72 = X72 ECC
  • X72: X72 ECC
R = Registrada
  • R: Registrada
C3 = Latencia CAS
  • C3: Latencia CAS
A = DDR400 3-3-3
  • A: DDR400 3-3-3
K2 = Kit + número de piezas
  • K2: Kit de dos módulos
1G = Capacidad
  • 1G: Capacidad

Tiempo de latencia

La información que se presenta a continuación contribuye a ilustrar los diversos parámetros que pueden ajustarse al configurar los tiempos de la memoria en el BIOS de la placa base para conseguir un óptimo rendimiento. Tenga en cuenta que estos ajustes pueden variar dependiendo de la marca/modelo de la placa base o de la actualización del BIOS.

Ejemplo

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

Latencia CAS (CL): Retraso entre la activación de una fila y su lectura.

Retraso de RAS a CAS o de RAS a columna (tRCD): Activa la fila

Retraso de precarga de fila o retraso de precarga de RAS (tRP/tRCP): Desactiva la fila

Retraso de activación de fila, o retraso de activación de RAS, o tiempo para estar listo (tRA/tRD/tRAS): Número de ciclos de reloj entre la activación y la desactivación de una fila.

Limitación de responsabilidad:todos los productos Kingston son sometidos a pruebas para alcanzar nuestras especificaciones publicadas. Es posible que algunos sistemas o configuraciones de placas base no admitan los ajustes de tiempo y las velocidades de memoria publicados por Kingston. Kingston no recomienda a los usuarios que intenten hacer funcionar sus ordenadores con mayor rapidez de lo estipulado por las velocidades publicadas. El overclocking, o modificación de la temporización del sistema, puede resultar perjudicial para los componentes del ordenador.