ASRock - Server 1U-OPEN19-C3.SMALL.X86/NCSI25G
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Estándar
0 MB (Removable)
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Máximo
128 GB per node
256 GB with two nodes
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Slots for nodes:
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Node 1:
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Node 2:
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Arquitectura del bus
USB 2.0/3.x Type-A
PCI Express
SSD - SATA 2.5-inch 9.5mm
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2 Slot(s) for nodes
4 Socket(s) per node
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Intel Xeon E-2100 Intel C24x Series
Notas importantes sobre la configuración
- MODULES MUST BE ORDERED AND INSTALLED IN PAIRS for Dual Channel mode.
- Faster memory will clock down to run at optimal speed depending on processor model and number of modules installed.
- For ECC support please see motherboard manual.
Actualizaciones compatibles para su sistema
- ValueRAM
- Server Premier
- Unidades de estado sólido (SSD)
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Código de artículo: KVR26S19D8/16
- Código de artículo: KVR26S19D8/16
- DDR4 2666MT/s Non-ECC Unbuffered SODIMM CL19 2RX8 1.2V 260-pin 8Gbit
- PDF de la hoja de especificaciones
DDR4 2666MT/s Non-ECC Unbuffered SODIMM CL19 2RX8 1.2V 260-pin 8Gbit
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Código de artículo: KVR26S19D8/32
- Código de artículo: KVR26S19D8/32
- DDR4 2666MT/s Non-ECC Unbuffered SODIMM CL19 2RX8 1.2V 260-pin 16Gbit
- PDF de la hoja de especificaciones
DDR4 2666MT/s Non-ECC Unbuffered SODIMM CL19 2RX8 1.2V 260-pin 16Gbit
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Código de artículo: KVR26S19S8/16
- Código de artículo: KVR26S19S8/16
- DDR4 2666MT/s Non-ECC Unbuffered SODIMM CL19 1RX8 1.2V 260-pin 16Gbit
- PDF de la hoja de especificaciones
DDR4 2666MT/s Non-ECC Unbuffered SODIMM CL19 1RX8 1.2V 260-pin 16Gbit
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Código de artículo: KVR26S19S8/8
- Código de artículo: KVR26S19S8/8
- DDR4 2666MT/s Non-ECC Unbuffered SODIMM CL19 1RX8 1.2V 260-pin 8Gbit
- PDF de la hoja de especificaciones
DDR4 2666MT/s Non-ECC Unbuffered SODIMM CL19 1RX8 1.2V 260-pin 8Gbit
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Código de artículo: KSM26SED8/16HD
- Código de artículo: KSM26SED8/16HD
- DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 2RX8 1.2V 260-pin 8Gbit Hynix D
- PDF de la hoja de especificaciones
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 2RX8 1.2V 260-pin 8Gbit Hynix D
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Código de artículo: KSM26SED8/16MR
- Código de artículo: KSM26SED8/16MR
- DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 2RX8 1.2V 260-pin 8Gbit Micron R
- PDF de la hoja de especificaciones
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 2RX8 1.2V 260-pin 8Gbit Micron R
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Código de artículo: KSM26SED8/32HC
- Código de artículo: KSM26SED8/32HC
- DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 2RX8 1.2V 260-pin 16Gbit Hynix C
- PDF de la hoja de especificaciones
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 2RX8 1.2V 260-pin 16Gbit Hynix C
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Código de artículo: KSM26SED8/32MF
- Código de artículo: KSM26SED8/32MF
- DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 2RX8 1.2V 260-pin 16Gbit Micron F
- PDF de la hoja de especificaciones
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 2RX8 1.2V 260-pin 16Gbit Micron F
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Código de artículo: KSM26SES8/16HC
- Código de artículo: KSM26SES8/16HC
- DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 1RX8 1.2V 260-pin 16Gbit Hynix C
- PDF de la hoja de especificaciones
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 1RX8 1.2V 260-pin 16Gbit Hynix C
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Código de artículo: KSM26SES8/16MF
- Código de artículo: KSM26SES8/16MF
- DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 1RX8 1.2V 260-pin 16Gbit Micron F
- PDF de la hoja de especificaciones
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 1RX8 1.2V 260-pin 16Gbit Micron F
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Código de artículo: KSM26SES8/8HD
- Código de artículo: KSM26SES8/8HD
- DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 1RX8 1.2V 260-pin 8Gbit Hynix D
- PDF de la hoja de especificaciones
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 1RX8 1.2V 260-pin 8Gbit Hynix D
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Código de artículo: KSM26SES8/8MR
- Código de artículo: KSM26SES8/8MR
- DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 1RX8 1.2V 260-pin 8Gbit Micron R
- PDF de la hoja de especificaciones
- PCN
DDR4 2666MT/s ECC Unbuffered SODIMM CL19 1RX8 1.2V 260-pin 8Gbit Micron R
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Código de artículo: SEDC600M/1920G
- Código de artículo: SEDC600M/1920G
- Diseñado para entornos de centros de datos
- Protección contra pérdidas de alimentación (PLP) incorporada
- Latencia y IOPS homogéneas; QoS fiable
- Incluye software de clonación Acronis
- Hasta 560MB/s en lectura y 530MB/s en escritura
- Más información