NAND 是一種非揮發性快閃記憶體，即使未連接電源也可以保存資料。NAND 擁有電源關閉時還能保留資料的能力，使其成為內部、外部裝置和攜帶型裝置的理想選擇。USB 隨身碟、SSD 固態硬碟和 SD 卡都使用快閃記憶體技術，為手機或數位相機等設備提供儲存空間。
市場上目前有好幾種不同類型的 NAND。最簡單的說法是，依照每個儲存單元內可儲存的資訊位元數分類。位元值是只有 0 (關) 或 1 (開) 兩種值的電荷。
不同 NAND 類型的主要差異還包括成本、容量和耐用性。耐久性取決於快閃記憶體可執行的總寫入/抹除次數 (P/E)。寫入/抹除循環 (P/E) 是指寫入到記憶體單元到抹除的過程，若 NAND 技術可執行的 P/E 數越高，則設備的耐用性就越好。
常見的 NAND 快閃記憶體類型有 SLC、MLC、TLC 和 3D NAND。本文將討論每種 NAND 類型的不同特性。
在單階儲存單元 (SLC) NAND 中，每個儲存單元內只能儲存 1 個資訊位元。儲存單元內儲存的資料只有 0 或 1，所以寫入和存取資料的速度較快。SLC 提供 100,000 P/E 循環次數， 效能佳且耐用性高，因此使用壽命會比其他類型的 NAND 更久。 然而，其低資料密度的特性使得 SLC 成為最昂貴的 NAND 類型，因此並不常運用在消費類型產品中。它通常用於需要速度和耐用性的伺服器和其他工業應用中。
在多階儲存單元 (MLC) NAND 中，每個儲存單元內可儲存 2 個以上的資訊位元，不過通常是儲存 2 個資訊位元。MLC 的資料儲存密度較 SLC 更高，因此可以製造出較大的容量規格。MLC 是擁有價格、性能和耐用性的良好組合。但 MLC 的 P/E 循環次數大約只有 10,000 次，因此耐用性較 SLC 低。MLC 通常運用在不以耐用性為重點需求的消費型產品中。
在三階儲存單元 (TLC) NAND 中，每個儲存單元內可儲存 3 個資訊位元。每個儲存單元內可儲存的資訊位元數增加，因而降低了價格成本，同時提升儲存容量。但其 P/E 循環次數僅 3,000 次左右，效能和耐用性都不高。許多消費型產品都使用 TLC 技術，因為它的價格最便宜。
在過去的十年中，3D NAND 是快閃記憶體市場上最大的創新之一。快閃記憶體製造商開發出 3D NAND 技術，以解決縮小 2D NAND 製程時要面對的難度，從而達到具有較低價格成本卻有更高儲存密度的成果。在 2D NAND 製程中，儲存資料的單元是呈並排水平放置。這代表儲存單元可放置的空間有限，而嘗試縮小儲存單元製程時會面臨可靠性降低的問題。
因此，NAND 製造商決定改採 3D 方式來堆疊儲存單元，也就是將儲存單元呈垂直堆疊的 3D NAND 技術。記憶體密度較高可達到更高的儲存容量，價格卻不會大幅提高。3D NAND 還具備更高的耐用性及更低的功耗。
總體而言，NAND 是一項極為重要的儲存技術，因為每位元以較低的成本帶來快速的抹除和寫入時間。 隨著遊戲產業的成長，NAND 技術有望進一步發展，以滿足消費者不斷增長的儲存需求。
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