Server Memory - Підтримка

Скорость памяти в сервере зависит от нескольких факторов: процессора, количества установленных ранков памяти и напряжения.

Возможно, ваш процессор может работать с памятью до определенной скорости, вне зависимости от установленной памяти. Например, может быть установлена память 1600MT/s, но процессор способен работать с памятью только на 1333MT/s.

Ранки памяти могут повлиять на скорость при установке большего количества модулей. Например, если система работает с памятью в трехканальном режиме и вы устанавливаете комплект из 3 модулей, они могут работать на 1333MT/s как одноранковые или двухранковые. Однако после установки второго комплекта модулей скорость снижается до 1066MT/s. Если первый комплект четырехранковый, они могут работать на 1066MT/s и снижают частоту до 800MT/s со вторым комплектом. Четырехранковые модули используются, поскольку обычно имеют повышенную емкость. Некоторые системы совместимы с DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM). Эти модули обеспечивают возможность установки модулей повышенной емкости при более высоких скоростях.

При установке DIMM с низким напряжением они могут работать с пониженной скоростью по сравнению с тем же количеством DIMM стандартного напряжения. Например, вы можете установить два комплекта памяти 1,5В при 1333MT/s. Однако с памятью 1,35В модули будут работать со скоростью 1066MT/s.

См. нужную конфигурацию памяти в руководстве по вашей системе или системной плате.

KTM-060415-SVR-01

FAQ: KTM-060415-SVR-01

Модули памяти могут изготавливаться по-разному, чтобы обеспечить поддержку дополнительных функций. Эти функции требуют наличия дополнительных компонентов.

Модули регистровой памяти содержат регистры или буферы, обеспечивающие контроль за передачей данных, что повышает надежность хранения и передачи. Они также позволяют повысить масштабируемость памяти (становится возможной установка большего объема оперативной памяти). Из-за этого регистровая память используется преимущественно в серверах. Некоторые модули регистровой памяти DIMM содержат функцию контроля четности. Она используется для дополнительной проверки на наличие ошибок. Для использования этой функции системная плата компьютера должна поддерживать контроль четности. При этом модули регистровой памяти с контролем четности могут использоваться в системах, которые поддерживают только регистровую память. В этом случае функция контроля четности просто не используется. Регистровые модули памяти поддерживают функцию ECC, но не вся память с функцией ECC является регистровой.

Полностью буферизованная берет на себя некоторые функции контроллера памяти (микросхемы, которая управляет передачей данных в оперативной памяти), выполняя их прямо на модуле памяти. Это открывает дополнительные возможности масштабирования памяти. Память с полной буферизацией нельзя использовать в компьютере, который поддерживает регистровую память, и наоборот. Полностью буферизованная память поддерживает технологию ECC, но не вся память с поддержкой ECC является полностью буферизованной.

Небуферизованная память — это оперативная память, которая не содержит никаких буферов или регистров. Этот тип памяти наиболее часто используется в настольных компьютерах и ноутбуках. Вы не можете использовать регистровую память или полностью буферизованную память в компьютере, который поддерживает только небуферизованную память.

Память с технологией ECC (код коррекции ошибок) содержит дополнительную микросхему памяти, которая позволяет материнской плате обнаруживать и исправлять ошибки в отдельных битах. Это повышает надежность хранения данных и может помочь при выявлении потенциально неисправных модулей памяти. Все регистровые модули памяти и модули памяти с полной буферизацией также поддерживают технологию ECC (код коррекции ошибок). Но также существует память с поддержкой ECC и без буферизации, которая обычно используется в наиболее производительных рабочих станциях. В некоторых случаях небуферизованную память с поддержкой ECC можно использовать в компьютере, который поддерживает установку небуферизованной памяти, но не поддерживает технологию ECC. В этом случае подобная функция памяти просто не будет использоваться.

FAQ: KTM-012711-GEN-03

Нет. Совместное использование регистровых и небуферизованных модулей памяти невозможно. Регистровые и небуферизованные модули — это две различные технологии производства модулей памяти. Установка неправильных модулей памяти или сочетание модулей на основе этих технологий может привести к повреждению материнской платы и/или модулей памяти.

FAQ: KTM-021011-GEN-15

Детали, которые продаются в наборах (обозначаемые индексами "К2" или "K3" в номере по каталогу, например, KVR400X64C3AK2/2G) упакованы специально для использования в системных платах, которые поддерживают двух- или трёхканальный режим обмена данными с памятью. Хотя технология двух- или трёхканального обмена данными с памятью поддерживается самой материнской платой (набором микросхем), для полной поддержки нужно устанавливать по два или по три модуля памяти одновременно. Идентичные модули памяти в едином комплекте позволяют достичь более высоких показателей, поскольку системная плата может иметь доступ ко всем модулям одновременно, что обеспечивает более высокую пропускную способность. Для системных плат с поддержкой двух- или трёхканального режима обмена данными с памятью компания Kingston предлагает использовать модули из наборов.

FAQ: KTM-020911-GEN-19

Ранк памяти — это область или блок из 64 битов (72 битов для модулей с поддержкойECC), образованный некоторыми или всеми микросхемами DRAM на модуле DIMM. Одноранковый модуль DIMM с поддержкой ECC (x4 или x8) использует все свои микросхемы DRAM для создания одного блока из 72 бит, причем все эти микросхемы активируются одним сигналом выборки данных из микросхем памяти, который поступает от контроллера памяти в наборе микросхем. Двухранковый модуль DIMM с поддержкой ECC создает два 72-битных блока из двух наборов микросхем DRAM на модуле DIMM, которые требуют двух сигналов выборки данных из микросхем памяти. Сигналы выборки данных из микросхем памяти подаются по очереди, чтобы оба набора микросхем DRAM не конкурировали за доступ к одной и той же шине памяти одновременно.

FAQ: KTM-021011-KVR-02

Электростатический разряд (ЭСР) – это разряд накопленного статического электричества. ЭСР не стоит недооценивать, это одно из немногих воздействий, которым человек может повредить или привести в негодность компьютер или компоненты оборудования. Например, он возникает, если потереть ногами о ковер, а затем коснуться чего-нибудь металлического. Человек может не почувствовать ЭСР; он возникает только при работе внутри компьютера или при касании оборудования.

Как предотвратить ЭСР
Лучшим способом избегнуть ЭСР является антистатический браслет или контур/плита заземления. Однако большинству пользователей эти меры недоступны, поэтому ниже приведены способы максимального снижения риска ЭСР.

• Работа стоя – при работе с компонентами компьютера рекомендуется стоять. При сидении на стуле образуется больший электростатический заряд.
• Провода – убедитесь, что из задней панели компьютера извлечены все провода (провод питания, мыши, клавиатуры и т.д.).
• Одежда – не надевайте одежду, создающую большой электростатический заряд (например, шерстяной свитер).
• Аксессуары – для снижения ЭСР и предотвращения других проблем снимите с себя все украшения.
• Погода – электрические бури (грозы) могут увеличить риск ЭСР; постарайтесь не работать с компьютером во время грозы, если это не необходимо. В регионах с сухим климатом воздух сам становится частью системы, накапливающей электростатический заряд, при каждом потоке воздуха (ветер, кондиционирование воздуха, вентилятор), проходящего по изолированной поверхности. С другой стороны, высокий уровень влажности приводит к коррозии соединительных кабелей и других электрических подключений.

Чтобы узнать больше о ЭСР и защите электронного оборудования, перейдите на следующий сайт.

ESD Association
https://www.esda.org

FAQ: KTC-Gen-ESD