A principios del cuarto trimestre de 2019, los proveedores de semiconductores de DRAM comenzaron a lanzar la nueva generación de DRAM de alta densidad para DDR4. Estos nuevos chips están basados en una nueva litografía de oblea, inferior a los 20 nanómetros. De este modo, las DRAM pasan desde 8 Gbits a 16 Gbits de densidad, lo cual conlleva mayores capacidades por módulo.
Para explicarlo de otro modo: esto implica utilizar la mitad de chips para conseguir las mismas capacidades del método anterior. Las nuevas tecnologías de oblea y la reducción de componentes de los módulos de memoria conllevan menor consumo eléctrico en toda clase de dispositivos, incluyendo los móviles. Esto prolongará la duración de las baterías de portátiles y posibilitará ahorrar costes a los centros de datos y a los equipos de sobremesa de hogares y oficinas. Este nuevo avance contribuirá al crecimiento de la informática en la nube, los centros de datos periféricos y las redes 5G.
Descatalogación de las DRAM de 8 Gbits
En última instancia, los módulos de memoria basados en 8 Gbits irán siendo descatalogados a medida que los fabricantes de DRAM vayan concentrando su producción en las unidades de 16 Gbits, por lo cual es importante que planifique en consecuencia las actualizaciones de sus sistemas. En Kingston seguiremos sirviendo módulos de memoria de 8 Gbits hasta que nos sea posible obtener los chips, aunque no podemos determinar por cuánto tiempo será. Si en este momento está planificando un sistema y la vida útil del ordenador es una prioridad, debería utilizar componentes compatibles con las DRAM de 16 Gbits. De este modo podrá asegurarse de que su sistema sea actualizable.
En este breve vídeo presentamos un panorama general de la transición: qué supone para usted, cuáles son sus ventajas y a qué debe prestar atención al actualizar las memorias. Vea y sienta la diferencia:
- Duplica la densidad para incrementar la capacidad de la RAM
- Mayor eficiencia en sistemas y aplicaciones
- Contribuye a reducir el consumo eléctrico
- Ahorro de costes en los centros de datos
