Décodeur de références Kingston

Apprenez à décoder les références mémoire Kingston® dont celles de Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX® ainsi que les mémoires DDR4, DDR3, DDR2 et DDR afin de pouvoir identifier les modules selon les spécifications.

Décodeur des références Kingston FURY™

Les informations suivantes ont pour but de vous aider à identifier les modules Kingston FURY par spécification.

Exemple de référence KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 15
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64
  • KF - Kingston FURY
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
  • 5 - DDR5
  • 16 - 1 600
  • 18 - 1 866
  • 26 - 2 666
  • 29 - 2 933
  • 30 - 3 000
  • 32 - 3 200
  • 36 - 3 600
  • 37 - 3 733
  • 40 - 4 000
  • 42 - 4 266
  • 46 - 4 600
  • 48 - 4 800
  • 50 - 5 000
  • 51 - 5 133
  • 53 - 5 333
  • C - UDIMM
  • S - SODIMM
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
  • Vide - Bleu
  • B - Noir
  • R - Rouge
  • Vide - 1ère révision
  • 1 - module(s) 16Go avec composant 1Gx8 (8Gbit)
  • 2 - 2e révision
  • 3 - 3e révision
  • Vide - Non-RGB
  • A - RGB
  • Vide - Module unique
  • K2 - Kit de 2 modules
  • K4 - Kit de 4 modules
  • K8 - Kit de 8 modules
  • 4 - 4Go
  • 8 - 8Go
  • 16 - 16Go
  • 32 - 32Go
  • 64 - 64Go
  • 128 - 128Go
  • 256 - 256Go

DDR4 Server Premier

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Référence produit: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
  • KSM : Kingston Server Premier
  • 24 = 2400 MT/s
  • 26 = 2666 MT/s
  • 29 = 2933 MT/s
  • 32 = 3200 MT/s
  • E : DIMM sans tampon (ECC)
  • R : DIMM enregistrées
  • L : DIMM à charge réduite
  • SE : SO-DIMM sans tampon (ECC)
  • S : Simple rangée
  • D : Double rangée
  • Q : Quadri rangée
  • 4 : x4
  • 8 : x8
  • L : DIMM à charge très réduite
  • 8Go
  • 16Go
  • 32Go
  • 64Go
  • 128Go
  • 256Go
  • H : SK Hynix
  • M : Micron
  • Matrice A
  • Matrice B
  • Matrice E
  • I : IDT
  • M : Montage
  • R : Rambus

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Référence produit: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
  • KVR : Kingston ValueRAM
  • 21 : 2133
  • 24 : 2400
  • 26 : 2666
  • 29 : 2933
  • 32 : 3200
  • Vide : 1.2V
  • L : TBD
  • E : DIMM sans tampon (ECC) avec capteur thermique
  • L : DIMM de charge réduite (LRDIMM)
  • N : DIMM sans tampon (non-ECC)
  • R : DIMM à registres avec adresse/commande Fonction Parité Avec capteur thermique
  • S : SO-DIMM, sans tampon (non-ECC)
  • 15 : Latence CAS
  • S : Mono-rangée
  • D : Double-rangée
  • Q : Quadri rangée
  • O : Octal Rank
  • 4 : puce DRAM X4
  • 8 : puce DRAM X8
  • 6 : puce DRAM X16
  • Vide: Toutes les hauteurs
  • H : 31,25mm
  • L : 18,75mm (VLP)
  • Vide : Module simple
  • K2 : Kit de 2 modules
  • K3 : Kit de 3 modules
  • 4 : Capacité
  • H : SK Hynix
  • K : Kingston
  • M : Micron
  • S : Samsung
  • B – Révision
  • I = Révision de matrice

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Comment lire les références ValueRAM

Exemple :
Nouveau système de référence : KVR 16 R11 D4 / 8
Ancien système de référence : KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Le nouveau système de référence s'applique aux produits commercialisés après le 1er mai 2012.

Référence produit: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • KVR : Kingston ValueRAM
  • 16 : 1600
  • 13 : 1333
  • 10 : 1066
  • Vide : 1.5V
  • L : 1.35V
  • U : 1.25V
  • E : DIMM sans tampon (ECC)
  • N : DIMM sans tampon (non-ECC)
  • R : Registered DIMM
  • L : DIMM de charge réduite (LRDIMM)
  • S : SO-DIMM
  • 11 : CAS Latency
  • S : Mono-rangée
  • D : Double-rangée
  • Q : Quadri-rangée
  • 4 : puce DRAM X4
  • 8 : puce DRAM X8
  • L : 18.75mm (VLP)
  • H : 30mm
  • K2 : Kit de Two Modules
  • K3 : Kit de Three Modules
  • K4 : Kit de Four Modules
  • 4 : 4Go
  • 8 : 8Go
  • 12 : 12Go
  • 16 : 16Go
  • 24 : 24Go
  • 32 : 32Go
  • 48 : 48Go
  • 64 : 64Go
  • H : Hynix
  • E : Elpida
  • I : Certifié Intel
  • B : Révision de matrice

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Référence produit: KVR1066D3LD8R7SLK2/4GHB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
  • KVR : Kingston ValueRAM
  • 1066 : Vitesse
  • D2 : DDR2
  • D3 : DDR3
  • Vide : 1.5V
  • L : 1.35V
  • U : 1.25V
  • S : Mono-rangée
  • D : Double-rangée
  • Q : Quadri-rangée
  • 4 : puce DRAM X4
  • 8 : puce DRAM X8
  • P : Parité sur le register (DIMM enregistrées uniquement)
  • E : DIMM sans tampon (ECC)
  • F : FB DIMM
  • M : Mini-DIMM
  • N : DIMM sans tampon (non-ECC)
  • R : DIMM à registres avec adresse/commande Fonction Parité
  • S : SO-DIMM
  • U : Micro-DIMM
  • 7 : Latence CAS
  • Vide : avec capteur thermique
  • S : avec capteur thermique
  • Vide : Toutes les hauteurs
  • L : 18.75mm (VLP)
  • H : 30mm
  • Vide : Module simple
  • K2 : Kit de 2 modules
  • K3 : Kit de 3 modules
  • 4G : Capacité
  • H : DRAM MFGR
  • B : Révision de matrice

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

Référence produit: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
  • KVR : Kingston ValueRAM
  • 266
  • 333
  • 400
  • X72 : X72 ECC
  • R : À registres
  • C3 : Latence CAS
  • A : DDR400 3-3-3
  • K2 – Kit de 2 modules
  • 1G : Capacité

Glossaire

Capacité

Nombre total de cellules mémoire de données disponibles sur un module, exprimé en giga-octets (Go). Pour les kits, la capacité affichée correspond à la capacité combinée de tous les modules du kit.

Latence CAS

Nombre prédéterminé standard de cycles de lecture/d'écriture de données depuis ou vers les modules et le contrôleur de mémoire. Une fois que la commande d'écriture/de lecture des données et/ou les adresses des colonnes/lignes ont été chargées, la latence CAS représente le délai qui s'écoule avant que les données ne soient prêtes.

DDR4

La mémoire dynamique synchrone à accès aléatoire (SDRAM) DDR (à débit de données double) est une mémoire de données de 4e génération. Plus souvent référencée sous le nom DDR4. Les modules de mémoire DDR4 ne sont rétrocompatibles avec aucune des générations antérieures de mémoire DRAM DDR en raison d'une tension inférieure(1,2V), de différences au niveau de la configuration des broches et d'une technologie de puce mémoire incompatible.

DDR5

La mémoire dynamique synchrone à accès aléatoire (SDRAM) DDR (à débit de données double) est une mémoire de données de 5e génération. Plus souvent référencée sous le nom DDR5. Les modules de mémoire DDR5 ne sont rétrocompatibles avec aucune des générations antérieures de mémoire DRAM DDR en raison d'une tension inférieure(1,1V) de différences au niveau de la configuration des broches et d'une technologie de puce mémoire incompatible.

Type DIMM

Un module UDIMM (Unbuffered Dual In-Line Memory Module, module de mémoire non-ECC sans registre à deux canaux d'entrée) est un module de mémoire à long facteur de forme avec une largeur de registre de x64 utilisé principalement dans les ordinateurs de bureau où la correction d'erreur n'est pas requise et la capacité DIMM est limitée.

Un module SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module, module mémoire de petit format à double rangée) est un module de mémoire à facteur de forme réduit prévu pour les petits systèmes informatiques comme les pc portables, les microserveurs, les imprimantes ou les routeurs.

Gigabit (Gb)

Un bit est la plus petite unité de données en informatique. Elle est représentée par 1 ou 0 (on/off). Un Gigabit (Gb) représente 1 milliard de bits (ou 109) selon la définition du Système d’international d’unités (SI). S’agissant de la mémoire pour ordinateur, le Gb (ou Gbit) est souvent employé pour exprimer la densité d’un seul composant DRAM.

Gigaoctet (Go)

Un octet contient 8 bits. Un Gigaoctet (Go) représente 1 milliard d’octets (ou 109) selon la définition du Système international d’unités (SI). S’agissant de la mémoire pour ordinateur, le Go est employé pour représenter la capacité de données totale d’un module ou d’un groupe de modules combinés pour donner la mémoire système totale.

Kit

Une référence qui inclut plusieurs modules, en général pour une architecture de mémoire à 2, 3 ou 4 canaux. Par exemple, K2 = 2 DIMM dans le kit pour atteindre la capacité totale.

Vitesse (ou fréquence)

Le débit ou la fréquence qu'un module peut prendre en charge, mesuré en MHz (MegaHertz) ou MT/s (mégatransfert par seconde). Plus la vitesse est élevée, plus le volume de données transféré par seconde est important.

Délai de latence

Les informations ci-après vous aideront à mieux comprendre les paramètres à adopter lorsque vous modifiez les valeurs de synchronisation de la mémoire dans le BIOS de la carte mère pour optimiser les performances. Sachez que ces paramètres peuvent varier selon le modèle ou la marque de la carte mère, ainsi que selon la version du BIOS.

Échantillon

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

Latence CAS (CL) : Délai entre l'activation d'une rangé et la lecture de cette rangée.

RAS to CAS ou RAS to Column (tRCD) : Active la rangée

Row Precharge Delay ou RAS Precharge Delay ou (délai de préchargement de rangée) (tRP/tRCP) Désactive la rangée

Row Active Delay ou RAS Active Delay ou délai de disponibilité (tRA/tRD/tRAS) : Nombre de cycles d'horloge entre l'activation et la désactivation d'une rangée.

Avis de décharge : tous les produits Kingston sont testés en vue de satisfaire nos spécifications publiées. Il est possible que certaines configurations de la carte mère ou du système ne fonctionnent pas avec les vitesses et les paramètres de synchronisation publiés pour la mémoire Kingston. Kingston ne vous conseille pas de faire tourner votre ordinateur à une vitesse supérieure à celle publiée. Le surcadençage et la modification des paramètres de mémoire de votre système peuvent endommager les composants de votre ordinateur.

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