Kingston 부품 번호 디코더

Kingston® 메모리 부품 번호를 구성하고 사양별 모듈 확인에 도움이 되는 Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, DDR4, DDR3, DDR2, 및 DDR 메모리 제품군을 읽는 법을 배우십시오.

Kingston FURY™ 부품 번호 디코더

다음 정보를 통해 Kingston FURY 메모리 모듈을 사양별로 확인하실 수 있습니다

부품 번호: KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 15
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64
  • KF - Kingston FURY
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
  • 5 - DDR5
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 26 - 2666
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
  • C - UDIMM
  • S - SODIMM
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
  • 공백 - 파란색
  • B - 검정색
  • R - 빨간색
  • 공백 - 1차 수정
  • 1 - 1Gx8(8Gbit) 구성품을 포함하는 16GB 모듈
  • 2 - 2차 수정
  • 3 - 3차 수정
  • 공백 - 비 RGB
  • A - RGB
  • 공백 – 싱글 모듈
  • K2 - 모듈 2개의 키트
  • K4 - 모듈 4개의 키트
  • K8 - 모듈 8개의 키트
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

DDR4 Server Premier

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

부품 번호: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
  • KSM: Kingston Server Premier
  • 24: 2400 MT/s
  • 26: 2666 MT/s
  • 29: 2933 MT/s
  • 32: 3200 MT/s
  • E: 언버퍼 DIMM(ECC)
  • R: 레지스터드 DIMM
  • L: 부하 절감 DIMM(LRDIMM)
  • SE언버퍼 SO-DIMM (ECC)
  • S: 싱글 랭크
  • D: 듀얼 랭크
  • Q: 쿼드 랭크
  • 4: x4 DRAM 칩
  • 8: x8 DRAM 칩
  • L: 초저 프로파일 DIMM
  • 8GB
  • 16GB
  • 32GB
  • 64GB
  • 128GB
  • 256GB
  • H: SK 하이닉스
  • M: Micron
  • A 다이
  • B 다이
  • E 다이
  • I: IDT
  • M: Montage
  • R: Rambus

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

부품 번호: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 21: 2133
  • 24: 2400
  • 26: 2666
  • 29: 2933
  • 32: 3200
  • 공백: 1.2V
  • L: 미정
  • E: ¬언버퍼 DIMM 열 센서의 오류 수정 코드(ECC)
  • L: 부하 절감 DIMM(LRDIMM)
  • N: ¬언버퍼 DIMM(비ECC)
  • R: 의 레지스터드 DIMM 주소/명령 패리티 열 센서의 기능
  • S: SO-DIMM, ¬언버퍼(비ECC)
  • 15: CAS 지연 시간
  • S: 싱글 랭크
  • D: 듀얼 랭크
  • Q: 쿼드 랭크
  • O: 옥탈 랭크
  • 4: x4 DRAM 칩
  • 8: x8 DRAM 칩
  • 6: x16 DRAM 칩
  • 공백: 모든 높이
  • H: 31.25mm
  • L: 18.75mm (VLP)
  • 공백: 싱글 모듈
  • K2: 2개 모듈 키트
  • K3: 3개 모듈 키트
  • 4: 용량
  • H: SK 하이닉스
  • K: Kingston
  • M: Micron
  • S: Samsung
  • B: 수정
  • I: Intel 인증

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

ValueRAM 부품 번호를 읽는 방법

예:

새로운 부품 체계: KVR 16 R11 D4/8
이전 부품 체계: KVR 1600 D3 D4 R11 S/8G
2012년 5월 1일 이후에 출고된 부품부터 새로운 부품 체계가 적용됩니다.

부품 번호: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
  • 공백: 1.5V
  • L: 1.35V
  • U: 1.25V
  • E: 언버퍼 DIMM(ECC)
  • N: 언버퍼 DIMM(비ECC)
  • R: 레지스터드 DIMM
  • L: 부하 절감 DIMM(LRDIMM)
  • S: SO-DIMM
  • 11: CAS 지연 시간
  • S: 싱글 랭크
  • D: 듀얼 랭크
  • Q: 쿼드 랭크
  • 4: x4 DRAM 칩
  • 8: x8 DRAM 칩
  • L: 18.75mm (VLP)
  • H: 30mm
  • K2: 2개 모듈 키트
  • K3: 3개 모듈 키트
  • K4: 4개 모듈 키트
  • 4: 4GB
  • 8: 8GB
  • 12: 12GB
  • 16: 16GB
  • 24: 24GB
  • 32: 32GB
  • 48: 48GB
  • 64: 64GB
  • H: 하이닉스
  • E: Elpida
  • I: Intel 인증
  • B: 다이 수정

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

부품 번호: KVR1066D3LD8R7SLK2/4GHB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 1066: 속도
  • D2: DDR2
  • D3: DDR3
  • 공백: 1.5V
  • L: 1.35V
  • U: 1.25V
  • S: 싱글 랭크
  • D: 듀얼 랭크
  • Q: 쿼드 랭크
  • 4:x4 DRAM 칩
  • 8: x8 DRAM 칩
  • P: 레지스터 패리티(레지스터드 모듈 전용)
  • E: 언버퍼 DIMM(ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: 언버퍼 DIMM(비ECC)
  • R: 레지스터드 DIMM과 주소/명령 패리티 기능
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM
  • 7: CAS 지연 시간
  • 공백: 열 센서 제외
  • S: 열 센서 포함
  • 공백: 모든 높이
  • L: 18.75mm (VLP)
  • H: 30mm
  • 공백: 싱글 모듈
  • K2: 2개 모듈 키트
  • K3: 3개 모듈 키트
  • 4G: Capacity
  • H: DRAM 제조업체
  • B: 다이 수정

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

부품 번호: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
  • KVR - Kingston ValueRAM
  • 266
  • 333
  • 400
  • X72 = X72 ECC
  • R - 레지스터드
  • C3 - CAS 지연 시간
  • A - DDR400 3-3-3
  • K2: 2개 모듈 키트
  • 1G - 용량

용어

용량

기가바이트(GB)로 표현되는 모듈에 있는 가용 데이터 메모리 셀의 총 수.
 키트의 경우, 표시된 용량은 키트에 있는 모든 모듈의 용량을 합한 것입니다.

CAS 지연시간

메모리 모듈 및 메모리 컨트롤러로 또는 그 반대로의 데이터 읽기/쓰기 동작에 대한 표준의 사전 정의된 클럭 사이클 수. 데이터 읽기/쓰기 명령 및 행/열 주소들이 로드되고 나면, CAS 대기 시간은 데이터가 준비될 때까지의 대기 시간을 나타냅니다.

DDR4

"DDR4"로 더 유명한 4세대 기술의 DDR(Double Data Rate) SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory). DDR4 메모리 모듈은 저전압(1.2V), 다른 핀 구성 및 호환되지 않는 메모리 칩 기술로 인해 이전 세대의 어떠한 DDR SDRAM과도 역호환되지 않습니다.

DDR5

"DDR5"로 더 유명한 5세대 기술의 DDR(Double Data Rate) SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory). DDR5 메모리 모듈은 저전압(1.1V), 다른 핀 구성 및 호환되지 않는 메모리 칩 기술로 인해 이전 세대의 어떠한 DDR SDRAM과도 역호환되지 않습니다.

DIMM 유형

UDIMM(비 ECC Unbuffered Dual In-line Memory Module)은 오류 수정이 필요하지 않고 DIMM 용량이 제한된 데스크톱 시스템에서 가장 흔하게 사용되는 x64의 데이터 너비를 가진 긴 폼 팩터의 메모리 모듈입니다.

SODIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module)은 노트북, 마이크로 서버, 프린터 또는 라우터와 같은 더 작은 크기의 컴퓨터 시스템에 적합한 축소된 폼 팩터의 메모리 모듈입니다.

GB(기가바이트)

1 비트란 컴퓨터의 최소 데이터 단위로 1 또는 0(켜기/끄기)으로 표시됩니다. 1 기가 바이트(Gb)란 국제 단위계(SI)의 규정에 따라 10억 바이트(또는 109)를 나타냅니다. 컴퓨터 메모리의 경우 일반적으로 Gb(또는 Gbit)를 사용하여 한 개의 DRAM 구성품의 밀도를 나타냅니다.

GB(기가바이트)

1 바이트는 8비트로 이루어집니다. 1 기가 바이트(Gb)란 국제 단위계(SI)의 규정에 따라 10억 바이트(또는 109)를 나타냅니다. 컴퓨터 메모리의 경우 GB 단위를 사용하여 메모리 모듈의 총 데이터 용량 또는 총 시스템 메모리와 동일한 전체 메모리 모듈의 그룹을 나타냅니다.

키트

일반적으로 듀얼, 트리플 또는 쿼드 채널 메모리 아키텍처를 지원하는 여러 메모리 모듈이 포함된 부품 번호. 예를 들어 패키지에 있는 K2 = 2 DIMM은 총 용량과 동일합니다.

속도(주파수라고도 함)

MHz(메가헤르츠) 또는 MT/s(초당 메가트랜스퍼)로 측정된 메모리 모듈이 지원하는 데이터 속도 또는 유효 클럭 속도. 속도가 빠를수록, 초당 더 많은 데이터를 전송할 수 있습니다.

지연 시간

아래의 정보는 최적의 성능을 위해 마더보드 BIOS에서 메모리 타이밍을 설정할 때 조정할 수 있는 다양한 설정을 적절하게 설명합니다. 이러한 설정은 마더보드 제조업체/모델 또는 BIOS 펌웨어 버전에 따라 다를 수 있습니다.

샘플

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

CAS 지연 시간(CL): 행 활성화 후 행을 읽을 때까지의 지연.

RAS to CAS(RAS 대 CAS) 또는 RAS to Column Delay(RAS 대 열 간 지연)(tRCD): 행을 활성화합니다

Row Precharge Delay(행 프리차지 지연) 또는 RAS Precharge Delay(RAS 프리차지 지연)(tRP/tRCP): 행을 비활성화합니다

Row Active Delay(행 활성 지연) 또는 RAS Active Delay(RAS 활성 지연) 또는 준비 시간 (tRA/tRD/tRAS): 행 활성화/비활성화 사이의 클럭 사이클 수입니다.

책임 부인: 모든 Kingston 제품은 발표한 사양을 충족하도록 테스트를 거칩니다. 일부 시스템 또는 마더보드 구성은 발표된 Kingston 메모리 속도와 타이밍 설정으로 작동하지 않을 수 있습니다. Kingston은 사용자가 발표한 속도 이상으로 컴퓨터 실행을 시도하는 것을 권장하지 않습니다. 오버클로킹하거나 시스템 타이밍을 수정하면 컴퓨터 구성부품이 손상될 수 있습니다.

코로나바이러스(COVID-19)가 HyperX 영업활동에 미치는 영향을 확인하려면 여기를 클릭하십시오.