Расшифровка номеров по каталогу Kingston

Узнайте, как читать номера по каталогу модулей памяти Kingston®, включая Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, DDR4, DDR3, DDR2, и линейки модулей памяти DDR. Это поможет вам идентифицировать модули памяти по спецификации.

Расшифровка номеров по каталогу Kingston FURY™

Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston FURY по спецификации.

Номер артикула: KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 15
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64
  • KF - Kingston FURY
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
  • 5 - DDR5
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 26 - 2666
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
  • C - UDIMM
  • S - SODIMM
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
  • не указано — синий
  • B - черный
  • R - красный
  • не указано - 1я версия
  • 1 - модули 16 ГБ с компонентами 1Gx8 (8 Гбит)
  • 2 - 2я версия
  • 3 - 3я версия
  • не указано - Без RGB-подсветки
  • A - RGB-подсветка
  • Пусто – отдельный модуль
  • K2 - комплект из 2 модулей
  • K4 - комплект из 4 модулей
  • K8 - комплект из 8 модулей
  • 4 - 4 ГБ
  • 8 - 8 ГБ
  • 16 - 16 ГБ
  • 32 - 32 ГБ
  • 64 - 64 ГБ
  • 128 - 128 ГБ
  • 256 - 256 ГБ

DDR4 Server Premier

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Номер по каталогу: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
  • KSM: Kingston Server Premier
  • 24: 2400 MT/s
  • 26: 2666 MT/s
  • 29: 2933 MT/s
  • 32: 3200 MT/s
  • E: модуль DIMM без буфера (ECC)
  • R: зарегистрированный модуль DIMM
  • L: модуль DIMM с уменьшенной нагрузкой
  • SE: модуль SO-DIMM без буфера (ECC)
  • S: одинарный
  • D: двойной
  • Q: Четырех
  • 4: x4
  • 8: x8
  • L: очень низкопрофильный модуль DIMM
  • 8 Гб
  • 16 Гб
  • 32 Гб
  • 64 Гб
  • 128 Гб
  • 256 Гб
  • H: SK Hynix
  • M: Micron
  • A кристалла
  • B кристалла
  • E кристалла
  • I : IDT
  • M : Montage
  • R : Rambus

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Номер по каталогу: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 21: 2133
  • 24: 2400
  • 26: 2666
  • 29: 2933
  • 32: 3200
  • Без обозначения: 1,2V
  • L: TBD
  • E: небуферизованный DIMM (ECC) с термодатчиком
  • L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
  • N: небуферизованный DIMM (не ECC)
  • R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
  • S: SO-DIMM, небуферизованный (не Ecc)
  • 15 : Латентность (CAS)
  • S: одноранковый
  • D: Двухранковый
  • Q: Четырехранковые
  • O: восьмиранковый
  • 4: x4 микросхема DRAM
  • 8: x8 микросхема DRAM
  • 6: x16 микросхема DRAM
  • Без обозначения: любая высота
  • H: 31,25mm
  • L: 18,75mm (VLP)
  • Без обозначения: Отдельный модуль
  • K2: комплект из двух модулей
  • K3: комплект из трех модулей
  • 4 : хранения (Гб)
  • H: SK Hynix
  • K: Kingston
  • M: Micron
  • S: Samsung
  • B – Версия
  • I = Сертификация Intel

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Расшифровка каталожных номеров модулей памяти ValueRAM

Пример:
Схема нового номера: KVR 16 R11 D4 / 8
Схема старого номера: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Новая схема номеров применяется к продукции, выпущенной после 1 мая 2012 г.

Номер по каталогу: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
  • Без обозначения: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V
  • E: небуферизованный DIMM (ECC)
  • N: небуферизованный DIMM (не ECC)
  • R: регистровый DIMM с
  • L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
  • S: SO-DIMM
  • 11: Латентность (CAS)
  • S: одноранковый
  • D: Двухранковый
  • Q: Четырехранковые
  • 4: микросхема DRAM x4
  • 8: микросхема DRAM x8
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
  • K2: комплект из двух модулей
  • K3: комплект из трех модулей
  • K4: комплект из четырех модулей
  • 4: 4Гб
  • 8: 8Гб
  • 12: 12Гб
  • 16: 16Гб
  • 24: 24Гб
  • 32: 32Гб
  • 48: 48Гб
  • 64: 64Гб
  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: Сертификация Intel
  • B: Версия кристалла

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Номер по каталогу: KVR1066D3LD8R7SLK2/4GHB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 1066: Скорость
  • D2: DDR2
  • D3 : DDR3
  • Без обозначения: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V
  • S: одноранковый
  • D: Двухранковый
  • Q: Четырехранковые
  • 4: микросхема DRAM x4
  • 8: микросхема DRAM x8
  • P: регистровый с контролем четности (только для регистровых модулей)
  • E: небуферизованный DIMM (ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: небуферизованный DIMM (не ECC)
  • R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM
  • 7: Латентность (CAS)
  • Без обозначения: без термодатчика
  • S: с термодатчиком
  • Без обозначения:Без обозначения
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
  • Без обозначения: Отдельный модуль
  • K2: комплект из двух модулей
  • K3: комплект из трех модулей
  • 4G: хранения (Гб)
  • H: DRAM MFGR
  • B: Версия

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

Номер по каталогу: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 266
  • 333
  • 400
  • X72: X72 ECC
  • R: регистровая
  • C3: Латентность (CAS)
  • A: DDR400 3-3-3
  • K2: комплект из двух модулей
  • 1G: хранения (Гб)

Глоссарий

Емкость

Общее количество имеющихся ячеек памяти, содержащееся в модуле памяти, выраженное в гигабайтах (ГБ). Для комплектов указанная емкость — это совокупная емкость всех модулей в комплекте.

CAS-латентность

Заранее определенной в соответствии со стандартом количество тактов для чтения/записи данных в/из модулей и для контроллера памяти. После загрузки команды чтения/записи, а также адресов строка/столбец, CAS-латентность представляет собой время ожидания, необходимое для подготовки этих данных.

DDR4

Технология памяти четвертого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR4». Модули памяти DDR4 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,2 В), различных конфигурациях контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.

DDR5

Технология памяти пятого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR5». Модули памяти DDR5 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,1 В), различий в конфигурации контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.

Тип памяти DIMM

UDIMM (небуферизованный (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) модуль памяти без функции коррекции ошибок) — это модуль памяти с длинным форм-фактором и шириной данных x64, наиболее часто используемый в настольных системах, где исправление ошибок не требуется, а емкость DIMM ограничена.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) — это модуль памяти с уменьшенным форм-фактором, предназначенный для небольших вычислительных систем, таких как ноутбуки, микросерверы, принтеры или маршрутизаторы.

Гигабит (Гбит)

Бит — это наименьшая единица данных в вычислениях, которая представляется как 1 или 0 (вкл./выкл.). Гигабит (Гбит) — это 1 миллиард битов (или 109) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти Гб (или Гбит) обычно используется для выражения плотности отдельного компонента DRAM.

Гигабайт (ГБ)

Байт состоит из 8 бит. Гигабайт (ГБ) — это 1 миллиард байтов (или 109) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти ГБ используется для представления общей емкости данных модуля памяти или группы модулей памяти, объединенных в общую системную память.

Комплект

Номер по каталогу, который включает в себя несколько модулей памяти, обычно для поддержки двух-, трех- или четырехканальной архитектуры памяти. Например, K2 = 2 DIMM в комплекте, чтобы составить общую емкость.

Скорость (так же называемая частотой)

Скорость передачи данных или эффективная тактовая частота, поддерживаемая модулем памяти, измеряется в МГц (мегагерцах) или МТ/с (мегатрансферах в секунду). Чем выше скорость, тем больше данных может быть передано в секунду.

Латентность (тайминг)

Приведённая ниже информация поможет проиллюстрировать различные настройки, которые можно регулировать при установке оптимальных по производительности таймингов оперативной памяти в BIOS системной платы. Обратите внимание, что эти настройки могут различаться в зависимости от производителя и модели системной платы, а также версии микропрограммы BIOS.

Пример

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

CAS-латентность (CL): Задержка между активацией и чтением строки.

Задержка RAS-СAS или RAS-столбец (tRCP): Активирует строку

Задержка предзаряда строки или задержка предзаряда RAS (tRP/tRCP): Отключает строку

Активная задержка строки или активная задержка RAS или время до готовности (tRA/tRD/tRAS): Количество тактовых циклов между активацией/деактивацией строки.

Заявление об ограничении ответственности. Вся продукция компании Kingston проходит тестирование на соответствие опубликованным техническим характеристикам. Некоторые конфигурации систем или материнских плат не могут работать на опубликованных для модулей памяти Kingston скоростях или при опубликованных настройках синхронизации. Компания Kingston не рекомендует пользователям пытаться разгонять свои компьютеры до скоростей, превышающих опубликованные. Завышение тактовой частоты процессора или изменение синхронизации системы может привести к повреждению компонентов компьютера.

Чтобы узнать, как коронавирус COVID-19 повлиял на нашу деятельность щелкните здесь.