ตัวถอดรหัสหมายเลขชิ้นส่วนของ Kingston

เรียนรู้วิธีการอ่านหมายเลขชิ้นส่วนหน่วยความจำจาก Kingston® รวมทั้งผลิตภัณฑ์หน่วยความจำในกลุ่ม Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, DDR4, DDR3, DDR2 และ DDR เพื่อให้คุณสามารถระบุรายละเอียดได้ตามข้อมูลจำเพาะ

ตัวถอดรหัสหมายเลขชิ้นส่วน™ Kingston FURY

ข้อมูลต่อไปนี้จัดทำขึ้นเพื่อช่วยคุณในการระบุโมดูลหน่วยความจำ Kingston FURY ตามข้อมูลจำเพาะ

หมายเลขชิ้นส่วน: KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 15
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64
  • KF - Kingston FURY
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
  • 5 - DDR5
  • 16 - 1,600
  • 18 - 1,866
  • 26 - 2,666
  • 29 - 2,933
  • 30 - 3,000
  • 32 - 3,200
  • 36 - 3,600
  • 37 - 3,733
  • 40 - 4,000
  • 42 - 4,266
  • 46 - 4,600
  • 48 - 4,800
  • 50 - 5,000
  • 51 - 5,133
  • 53 - 5,333
  • C - UDIMM
  • S - SODIMM
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
  • เว้นว่าง - น้ำเงิน
  • B - ดำ
  • R - แดง
  • เว้นว่าง - การปรับปรุงครั้งที่ 1
  • 1 - โมดูล 16GB พร้อมส่วนประกอบ 1Gx8 (8Gbit)
  • 2 - การปรับปรุงครั้งที่ 2
  • 3 - การปรับปรุงครั้งที่ 3
  • เว้นว่าง - Non-RGB
  • A - RGB
  • ปล่อยว่าง - โมดูลเดียว
  • K2 - ชุด 2 โมดูล
  • K4 - ชุด 4 โมดูล
  • K8 - ชุด 8 โมดูล
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

DDR4 Server Premier

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

เลขชิ้นส่วน: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
  • KSM: Kingston Server Premier
  • 24: 2400 MT/s
  • 26: 2666 MT/s
  • 29: 2933 MT/s
  • 32: 3200 MT/s
  • E คือ Unbuffered DIMM (ECC)
  • R คือ Registered DIMM
  • L คือ Load Reduced DIMM
  • SE คือ Unbuffered SO-DIMM (ECC)
  • S: แถวเดี่ยว
  • D: แถวคู่
  • Q: และสี่แถว
  • 4: x4
  • 8: x8
  • L คือ Very Low Profile DIMM
  • 8GB
  • 16GB
  • 32GB
  • 64GB
  • 128GB
  • 256GB
  • H: SK Hynix
  • M: Micron
  • A Die
  • B Die
  • E Die
  • I : IDT
  • M : Montage
  • R : Rambus

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

เลขชิ้นส่วน: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 21: 2133
  • 24: 2400
  • 26: 2666
  • 29: 2933
  • 32: 3200
  • เปล่า: 1.2V
  • L: TBD
  • E: DIMM ไม่มีบัฟเฟอร์ (ECC) มีเซ็นเซอร ระบายความร้อน
  • L: Load-Reduced DIMM (LRDIMM)
  • N: Unbuffered DIMM (non-ECC)
  • R- Registered DIMM พร้อมที่อยู่/คำสั่ง ฟังก์ชั่นพาริตี้ มีเซ็นเซอร ระบายความร้อน
  • S- SO-DIMM, Unbuffered (Non-Ecc)
  • 15 : หน่วงเวลา CAS
  • S: แถวเดี่ยว
  • D: แถวคู่
  • Q: และสี่แถว
  • O: Octal Rank
  • 4: ชิป x4 DRAM
  • 8: ชิป x8 DRAM
  • 16: ชิป x16 DRAM
  • เปล่า: ทุกความสูง
  • H: 31.25mm
  • L: 18.75mm (VLP)
  • เปล่า : แถวเดียว
  • K2: ชุดละสองตัว
  • K3: ชุดละสามตัว
  • 4 : ความจุ
  • H: SK Hynix
  • K: Kingston
  • M: Micron
  • S: Samsung
  • B – การปรับปรุงแม่แบบ
  • I = รับรองโดย Intel

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

จะอ่านเลขชิ้นส่วน อย่างไร

ตัวอย่าง
รหัสใหม่สำหรับชิ้นส่วน: KVR 16 R11 D4 / 8
รหัสเดิมสำหรับชิ้นส่วน: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

รหัสชิ้นส่วนใหม่จะมีผลกับชิ้นส่วนที่เปิดตัวหลังจากวันที่ 1 พ.ค. 2555

เลขชิ้นส่วน: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
  • เปล่า: 1.5V
  • L: 1.35V
  • U: 1.25V
  • E: DIMM ไม่มีบัฟเฟอร์ (ECC)
  • N: Unbuffered DIMM (non-ECC)
  • R: Registered DIMM
  • L: Load-Reduced DIMM
  • S: SO-DIMM
  • 11: ค่าหน่วงเวลา CAS
  • S: แถวเดี่ยว
  • D: แถวคู่
  • Q: และสี่แถว
  • 4: x4 DRAM chip
  • 8: x8 DRAM chip
  • L: 18.75mm (VLP)
  • H: 30mm
  • K2: ชุดละสองตัว
  • K3: ชุดละสามตัว
  • K4: ชุดละสี่ตัว
  • 4: 4GB
  • 8: 8GB
  • 12: 12GB
  • 16: 16GB
  • 24: 24GB
  • 32: 32GB
  • 48: 48GB
  • 64: 64GB
  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: รับรองโดย Intel
  • B: การปรับปรุงแม่แบบ

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

เลขชิ้นส่วน: KVR1066D3LD8R7SLK2/4GHB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 1066: ความเร็ว
  • D2: DDR2
  • D3 : DDR3
  • เปล่า: 1.5V
  • L: 1.35V
  • U: 1.25V
  • S: แถวเดี่ยว
  • D: แถวคู่
  • Q: และสี่แถว
  • 4: x4 DRAM chip
  • 8: x8 DRAM chip
  • P: Parity on Register (for registered modules only)
  • E: DIMM ไม่มีบัฟเฟอร์ (ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: Unbuffered DIMM (non-ECC)
  • R: Registered DIMM พร้อมที่อยู่/คำสั่ง ฟังก์ชั่นพาริตี้
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM
  • 7: ค่าหน่วงเวลา CAS
  • เปล่า : Without เซ็นเซอร ระบายความร้อน
  • S: มีเซ็นเซอร์ระบายความร้อน
  • เปล่า: ทุกความสูง
  • L: 18.75mm (VLP)
  • H: 30mm
  • เปล่า : แถวเดียว
  • K2: ชุดละสองตัว
  • K3: ชุดละสามตัว
  • 4G: ความจุ
  • H: DRAM MFGR
  • B: การปรับปรุงแม่แบบ

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

เลขชิ้นส่วน: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 266
  • 333
  • 400
  • X72: X72 ECC
  • R: ชิปลงทะเบียน
  • C3: ค่าหน่วงเวลา CAS
  • A: DDR400 3-3-3
  • K2: ชุดอุปกรณ์ ชุดละสองตัว
  • 1G: ความจุ

คำศัพท์

ความจุ

จำนวนเซลล์หน่วยความจำข้อมูลที่มีในโมดูลแสดงเป็นกิกะไบต์ (GB) สำหรับผลิตภัณฑ์ที่จำหน่ายเป็นชุด ความจุที่แจ้งเป็นความจุรวมของโมดูลทั้งหมดที่จัดจำหน่ายในชุดเดียวกัน

ค่าหน่วงเวลา CAS

เลขมาตรฐานกำหนดสำเร็จระบุจำนวนรอบสัญญาณนาฬิกาสำหรับอ่าน/เขียนข้อมูลไปกลับจากหน่วยความจำและชุดควบคุมหน่วยความจำ หลังจากมีการโหลดคำสั่งอ่าน/เขียนข้อมูลและที่อยู่ของแถว/คอลัมน์ ค่าหน่วงเวลา CAS ใช้ระบุเวลารอจนกว่าข้อมูลจะพร้อมใช้งาน

DDR4

DDR (Double Data Rate) Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) เทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นที่สี่ มักเรียกเป็น “DDR4” โมดูลหน่วยความจำ DDR4 ไม่รองรับ DDR SDRAM ก่อนหน้าเนื่องจากใช้แรงดันไฟน้อยกว่า (1.2V) จำนวนขาต่อไม่เท่ากันและเทคโนโลยีชิปหน่วยความจำที่ต่างกัน

DDR5

DDR (Double Data Rate) Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) เทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นที่ห้า มักเรียกเป็น “DDR5” โมดูลหน่วยความจำ DDR5 ไม่รองรับ DDR SDRAM รุ่นก่อนหน้าเนื่องจากใช้แรงดันไฟน้อยกว่า (1.1V), มีจำนวนขาต่อไม่เท่ากัน และใช้เทคโนโลยีชิปหน่วยความจำที่ต่างกัน

ประเภท DIMM

UDIMM (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) หน่วยความจำแบบยาวที่ช่วงความกว้างข้อมูล x64 ส่วนใหญ่ใช้กับเครื่องเดสก์ทอปที่ไม่ต้องอาศัยระบบแก้ไขข้อผิดพลาด และมีข้อจำกัดความจุของ DIMM

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) หน่วยความจำลดขนาดสำหรับคอมพิวเตอร์ขนาดเล็ก เช่น โน้ตบุ๊ก ไมโครเซิร์ฟเวอร์ เครื่องพิมพ์หรือเราเตอร์

กิกะบิต (Gb)

บิตคือหน่วยข้อมูลที่เล็กที่สุดในการประมวลผลและแสดงค่าเป็น 1 หรือ 0 (เปิด/ปิด) กิกะบิต (Gb) คือ 1 พันล้านบิต (หรือ 109) ตามระบบของ International System of Units (SI) สำหรับหน่วยความจำคอมพิวเตอร์ Gb (หรือ Gbit) โดยปกติใช้เพื่อแสดงความหนาแน่นของส่วนประกอบ DRAM หนึ่งตัว

กิกะไบต์ (GB)

หนึ่งไบต์ประกอบด้วย 8 บิต กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1 พันล้านไบต์ (หรือ 109) ตามระบบของ International System of Units (SI) สำหรับหน่วยความจำคอมพิวเตอร์ GB จะใช้เพื่อแสดงความจุของข้อมูลทั้งหมดของโมดูลหน่วยความจำ หรือกลุ่มโมดูลหน่วยความจำที่ติดตั้งเข้าไว้ด้วยกันเป็นหน่วยความจำรวมของเครื่อง

ชุดผลิตภัณฑ์

เลขชิ้นส่วนที่ประกอบไปด้วยหน่วยความจำหลายแถว โดยปกติเป็นแบบคู่ สามแถวหรือสี่แถว เช่น K2 = 2 DIMM ซึ่งจำหน่ายเป็นชุดและระบุความจุเป็นความจุรวมกัน

ความเร็ว (เทียบได้กับความถี่สัญญาณนาฬิกา)

อัตราข้อมูลหรือความเร็วสัญญาณนาฬิกาใช้งานที่หน่วยความจำรองรับ วัดเป็น Mhz (เมกะเฮิร์ตซ์) หรือ Mt/s (เมกะทรานสเฟอร์ต่อวินาที) ยิ่งความเร็วสูงเท่าไร ยิ่งถ่ายโอนข้อมูลต่อวินาทีได้มากเท่านั้น

เวลาเรียกค้นข้อมูล

ข้อมูลด้านล่างสามารถใช้เพื่อศึกษาการตั้งค่าต่าง ๆ ที่สามารถปรับแต่งขณะกำหนดค่าหน่วงเวลาของหน่วยความจำที่ BIOS ของเมนบอร์ดเพื่อให้ได้ประสิทธิภาพสูงสุด ทั้งนี้ค่าเหล่านี้อาจแตกต่างกันไปตามยี่ห้อและรุ่นของเมนบอร์ดหรือเวอร์ชั่นเฟิร์มแวร์ BIOS

ตัวอย่าง

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

ค่าหน่วงเวลา CAS (CL): ระยะหน่วงระหว่างการสั่งการแถวและการอ่านแถวหน่วยความจำ

RAS to CAS หรือ RAS to Column Delay (tRCD): สั่งงานแถวหน่วยความจำดังกล่าว

Row Precharge Delay หรือ RAS Precharge Delay (tRP/tRCP): ปิดการทำงานแถวหน่วยความจำดังกล่าว

Row Active Delay หรือ RAS Active Delay หรือเวลาก่อนพร้อมทำงาน (tRA/tRD/tRAS) : จำนวนรอบสัญญาณนาฬิกาและระหว่างการเปิด/ปิดใช้งานแถวหน่วยความจำ

ข้อสงวนสิทธิ์: ลิตภัณฑ์จาก Kingston ทั้งหมดได้รับการทดสอบว่ามีคุณสมบัติทางเทคนิคที่แจ้งไว้ เครื่องหรือเมนบอร์ดบางตัวอาจไม่สามารถรองรับการทำงานตามความเร็วและการตั้งค่าที่กำหนดสำหรับ Kingston ที่มีแจ้งไว้ Kingston ไม่แนะนำให้ผู้ใช้ปรับการทำงานของคอมพิวเตอร์ให้เร็วกว่าความเร็วที่แจ้งไว้ การโอเวอร์คล็อคหรือปรับแต่งค่าเวลาการทำงานของระบบอาจทำให้ส่วนประกอบของคอมพิวเตอร์เกิดความเสียหาย

ตรวจสอบรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลกระทบจากโควิด-19 ต่อธุรกิจของเราได้โดยคลิกที่นี่.