Kingston 記憶體產品型號解碼器

瞭解如何讀懂 Kingston® 記憶體產品型號，包括 Kingston FURY™、Server Premier™、ValueRAM®、HyperX®、DDR5、DDR4、DDR3、DDR2 和 DDR 記憶體產品系列，幫助您依照規格識別模組。

範例產品編號: KF560C36BBE2AK2-32

KF = 產品線

KF – Kingston FURY

5 = 技術

5 – DDR5

60 = 速度 (MT/s{{Footnote.A65242}})

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400
68 – 6800
72 – 7200
76 – 7600
80 – 8000

C = 模組類型

C – UDIMM (非 ECC 無緩衝)
S – SODIMM (非 ECC 無緩衝)
R – EC8 RDIMM (x80)

36 = CAS 延遲

30 – CL30
32 – CL32
36 – CL36
38 – CL38
40 – CL40

B = 系列

B – Beast
I – Impact
R – Renegade

B = 散熱片

B – 黑
S – 银色
W – 白

E = 配置文件类型

空格 - Intel XMP / 隨插即用
E - AMD EXPO

2 = 修訂

空格 - 第 1 次修訂
2 - 第 2 次修訂
3 - 第 3 次修訂

A = RGB

空格 - 非 RGB
A – RGB

K2 = 套件 + 片數

空白 – 單一模組
K2 – 2 套件模組
K4 - 4 套件模組
K8 - 8 套件模組

32 = 總容量

8 – 8GB
16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB
192 – 192GB
256 – 256GB

Part Number: KSM48R40BD4TMP-64HMR

KSM = 產品線

KSM - Kingston Server Premier

48 = 速度 (MT/s{{Footnote.A65242}})

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600

R = 模組類型

E – EC4 UDIMM (x72)
P – EC4 RDIMM (x72)
R – EC8 RDIMM (x80)
T – EC4 SODIMM (x72)

40B = CAS 延遲

40B – CL40-39-39
42B – CL42-42-42
46B – CL46-45-45

D = Rank

S – 1 RANK
D – 2 RANK
Q – 4 RANK

4 = DRAM 類型

4 – x4
8 – x8

T = 電源管理晶片 (PMIC)

I – Renesas
K – RichTek
M – Montage
P – MPS
T – TI

M = SPD Hub

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus

P = 溫度感測器

I – Renesas
M – Montage
P – MPS
R – Rambus

64 = 總容量

16 – 16GB
24 – 24GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB

H = DRAM 製造商

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

M = DRAM 晶片版本

A – A晶片
B – B晶片
C – C晶片
D – D晶片
E – E晶片
M – M晶片

R = 暫存器

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus

範例產品編號: KVR48U40BS8K2-32X

KVR = Kingston ValueRAM

KVR – Kingston ValueRAM

48 = 速度 (MT/s{{Footnote.A65242}})

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600
60 – 6000
64 – 6400

U = 模組類型

U – DIMM (非 ECC 無緩衝)
S – SO-DIMM (非 ECC 無緩衝)

40B = CAS 延遲

40B – CL40
42B – CL42
46B – CL46

S = Rank

S – 單 Rank
D – 雙 Rank

8 = DRAM 類型

8 – x8
6 – x16

K2 = 套件 + 片數

空白 – 單一模組
K2 – 2 套件模組
K4 – 4 套件模組

32 = 總容量

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
48 – 48GB
64 – 64GB
96 – 96GB
128 – 128GB
192 – 192GB
256 – 256GB

X = 自訂

空白 – 標準組合
BK – 大包裝

範例產品編號: KF432C16BB12AK2/32

KF = 產品線

KF - Kingston FURY

4 = 技術

3 - DDR3
4 - DDR4

32 = 速度 (MT/s{{Footnote.A65242}})

16 - 1600 (1.5V)
16L - 1600 (1.35V)
18 - 1866 (1.5V)
18L - 1866 (1.35V)
26 - 2666
32 - 3200
36 - 3600
37 - 3733
40 - 4000
42 - 4266
46 - 4600
48 - 4800
50 - 5000
51 - 5133
53 - 5333

C = 模組類型

U - DIMM (非 ECC 無緩衝)
S - SODIMM (非 ECC 無緩衝)

16 = CAS 延遲

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
13 - CL13
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

B = 系列

B - Beast
R - Renegade
I - Impact

B = 散熱片

空格 - 藍
B - 黑
R - 紅
W - 白

1 = 16GB 模組配置

空白 – 2Gx8
1 – 1Gx8

2 = 修訂

空格 - 第1次修訂
2 - 第 2 次修訂
3 - 第 3 次修訂
4 - 第 4 版

A = RGB

空格 - 非 RGB
A - RGB

K2 = 套件 + 片數

空白 - 單一模組
K2 - 2 套件模組
K4 - 4 套件模組
K8 - 8 套件模組

32 = 總容量

4 - 4GB
8 - 8GB
16 - 16GB
32 - 32GB
64 - 64GB
128 - 128GB
256 - 256GB

產品型號: KSM26RD4L/32HAI

KVR = 產品線

KSM – Kingston Server Premier

26 = 速度 (MT/s{{Footnote.A65242}})

24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

R = 記憶體類型

E - 無緩衝 DIMM (ECC)
L - 低負載 DIMM
R - 暫存器 DIMM
SE - 無緩衝 SODIMM (ECC)

D = 面

S – 單面
D – 雙面
Q – 四面

4 = DRAM 類型

4 – x4
8 – x8

L = 配置

L – Very Low Profile DIMM

32 = 總容量

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
128 – 128GB
256 – 256GB

H = DRAM 製造商

H – SK Hynix
M – Micron

A = DRAM Die 改版

A – A 晶片
B – B 晶片
E – E 晶片

I = 註冊製造商

I – Renesas
M – Montage
R – Rambus

產品型號：KVR21LR15D8LK2/4HBI

KVR = Product Line

KVR – Kingston ValueRAM

21 = 速度 (MT/s{{Footnote.A65242}})

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

L = 低電壓

空白 – 1.2V
L – TBD

R = 記憶體類型

E – 無緩衝 DIMM （ECC）
L – 低負載 DIMM
N – DIMM（非 ECC 無緩衝）
R – 寄存式 DIMM
S – SODIMM（非 ECC 無緩衝）

15 = CAS 延遲

15 – CL15
19 – CL19
22 – CL22

D = 面

S – 單面
D – 雙面
Q – 四面
O – 八面

8 = DRAM 類型

4 – x4
8 – x8
6 – x16

L = 設定檔

空白 – 任何高度
H – 31.25mm
L – 18.75mm (VLP)

K2 = Kit + 片數

空白 – 單一模組
K2 – 兩個模組的套件
K3 – 三個模組的套件

4 = 容量

4 – 容量

H = DRAM Manufacturer

H – SK Hynix
K – Kingston
M – Micron
S – Samsung

B = 改版

B – 改版

I = Intel 認證

I – Intel 認證

產品型號: CBD48S40BD8MA-32

CBD = 產品線

CBD – Kingston Design-In 記憶體模組

48 = 速度 (MT/s{{Footnote.A65242}})

48 – 4800
52 – 5200
56 – 5600

S = 模組類型

U – DIMM（非 ECC 無緩衝）
S – SODIMM（非 ECC 無緩衝）

40B = CAS 延遲

40B – CL40-39-39
42 – CL42-42-42
46B – CL46-45-45

D = Rank

S – 1 Rank
D – 2 Rank

8 = 記憶體類型

8 – x8
6 – x16

M = 記憶體製造商

H – SK Hynix
M – Micron
S – Samsung

A = 記憶體晶片版本

A – A 晶片
B – B 晶片
M – M 晶片

32 = 總容量

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

產品型號: CBD26D4U9D8HJV-16

CBD = 產品線

CBD – Kingston Design-In 記憶體模組

26 = 速度 (MT/s{{Footnote.A65242}})

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
32 – 3200

D4 = 技術

D4 – DDR4

U = 模組類型

U – DIMM（非 ECC 無緩衝）
S – SODIMM（非 ECC 無緩衝）

9 = CAS 延遲

5 – CL15-15-15
7 – CL17-17-17
9 – CL19-19-19
2 – CL22-22-22

D = Rank

S – 1 Rank
D – 2 Rank

8 = 記憶體類型

8 – x8
1 – x16

H = 記憶體製造商

H – SK Hynix
K – Kingston
M – Micron
N – Nanya
S – Samsung

J = 記憶體晶片版本

A – A 晶片
B – B 晶片
C – C 晶片
D – D 晶片
E – E 晶片
F – F 晶片
H – H 晶片
J – J 晶片
R – R 晶片

V = 印刷電路板類型

黑 – 閃金
H – 硬金
V – 矮版 (VLP)

16 = 總容量

4 – 4GB
8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB

產品型號: CBD16D3LFU1KBG/2G

CBD = 產品線

CBD – Kingston Design-In 記憶體模組

16 = 速度 (MT/s{{Footnote.A65242}})

16 – 1600

D3L = 技術

D3 – DDR3 (1.5V)
D3L – DDR3L (1.35V / 1.5V)

F = 記憶體類型

Blank – x8
F – x16

U = 模組類型

U – DIMM（非 ECC 無緩衝）
S – SODIMM（非 ECC 無緩衝）

1 = CAS 延遲

1 – CL11-11-11

K = 記憶體製造商

K – Kingston
S – Samsung

B = 記憶體晶片版本

B – B 晶片
D – D 晶片
E – E 晶片

G = PCB 類型

L – 矮版 (VLP)
G – 綠色驗證 (符合 RoHS 標準)
H – 硬金

2G = 總容量

2G – 2GB
4G – 4GB
8G – 8GB

範例產品編號: HX429C15PB3AK4/32

HX = 產品線

HX - HyperX (Legacy)

4 = 技術

3 - DDR3
4 - DDR4

29 = 速度 (MT/s{{Footnote.A65242}})

13 - 1333
16 - 1600
18 - 1866
21 - 2133
24 - 2400
26 - 2666
28 - 2800
29 - 2933
30 - 3000
32 - 3200
33 - 3333
34 - 3466
36 - 3600
37 - 3733
40 - 4000
41 - 4133
42 - 4266
46 - 4600
48 - 4800
50 - 5000
51 - 5133
53 - 5333

C = DIMM 類型

C - UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
S - SODIMM (Non-ECC Unbuffered)

15 = CAS 延遲

9 - CL9
10 - CL10
11 - CL11
12 - CL12
13 - CL13
14 - CL14
15 - CL15
16 - CL16
17 - CL17
18 - CL18
19 - CL19
20 - CL20

P = 系列

F - FURY
B - Beast
S - Savage
P - Predator
I - Impact

B = 散熱片

空格 - 藍
B - 黑
R - 紅
W - 白

3 = 修訂

2 - 第 2 次修訂
3 - 第 3 次修訂
4 - 第 4 次修訂

A = RGB

空格 - 非 RGB
A - RGB

K4 = 套件 + 套件數量

空格 - 單一模組
K2 - 2 套件模組
K4 - 4 套件模組
K8 - 8 套件模組

32 = 總容量

4 - 4GB
8 - 8GB
16 - 16GB
32 - 32GB
64 - 64GB
128 - 128GB
256 - 256GB

產品型號： KVR16LR11D8LK2/4HB

KVR = Kingston ValueRAM

KVR ：Kingston ValueRAM

16 = 速度 (MT/s{{Footnote.A65242}})

16 ：1600
13 ：1333
10 ：1066

L = 低電壓

空白: 1.5V
L: 1.35V
U: 1.25V

R = 記憶體類型

E ：Unbuffered DIMM (ECC)
N ：Unbuffered DIMM (non-ECC)
R ：Registered DIMM
L ：L: Load-Reduced DIMM (LRDIMM)
S ：SO-DIMM

11 = CAS 延遲

11 ：CAS 延遲

D = 面

S ：單面
D ：雙面
Q ：四面

8 = DRAM 類型

4 ：x4 DRAM 晶片
8 ：x8 DRAM 晶片

L = 設定檔

L ：18.75mm (VLP)
H ：30mm

K2 = Kit + 片數

K2 ：兩個模組的套件
K3 ：三個模組的套件
K4 ：四個模組的套件

4 = 容量

4 ：4GB
8 ：8GB
12 ：12GB
16 ：16GB
24 ：24GB
32 ：32GB
48 ：48GB
64 ：64GB

H = DRAM MFGR/認證

H ：Hynix
E ：Elpida
I ：Intel 認證

B = Die 改版

B ：Die 改版

產品型號：KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

KVR
1066
D3
L
D
8
R
7
S
L
K2
/
4G
H
B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR：Kingston ValueRAM

1066 = 速度 (MT/s{{Footnote.A65242}})

1066：速度

D3 = 技術

D2：DDR2
D3：DDR3

L = 低電壓

空白： 1.5V
L： 1.35V
U： 1.25V

D = 面

S：單面
D：雙面
Q：四面

8 = DRAM 類型

4： x4 DRAM 晶片
8： x8 DRAM 晶片

R = 記憶體類型

P：暫存同位 (僅適用於暫存式模組)
E：Unbuffered DIMM (ECC)
F：FB DIMM
M：Mini-DIMM
N：Unbuffered DIMM (non-ECC)
R：Registered DIMM
S：SO-DIMM
U：Micro-DIMM

7 = CAS 延遲

7：CAS 延遲

S = 散熱感應器

空白：不含散熱感應器
S：含散熱感應器

L = 設定檔

空白：單一模組
L： 18.75mm (VLP)
H： 30mm

K2 = Kit + 片數

空白：單一模組
K2：兩個模組的套件
K3：三個模組的套件

4G = 容量

4G：容量

H = DRAM MFGR

H：DRAM MFGR

B = 改版

B：改版

產品型號: KVR400X72RC3AK2/1G

KVR = Kingston ValueRAM

KVR: Kingston ValueRAM

400 = 速度 (MT/s{{Footnote.A65242}})

X72 = X72 ECC

X72: X72 ECC

R = Registered

R: Registered

C3 = CAS 延遲

C3: CAS 延遲

A = DDR400 3-3-3

A: DDR400 3-3-3

K2 = Kit + 片數

K2: 兩個模組的套件

1G = 容量

1G: 容量

延遲時間

當您在主機板 BIOS 中設定記憶體時序以獲得最佳效能時，下方資訊將有助於說明各種可調整的設定。請注意，這些設定會依據主機板品牌/型號或 BIOS 韌體版本而有所不同。

舉例

tRCD

tRP/tRCP

tRA/tRD/tRAS

CAS 延遲 (CL)：啟動列與讀取列之間的延遲時間。

RAS至CAS延遲（RAS to CAS），又稱列控制器至行控制器傳輸延遲時間（tRCD）：啟動列

列預充電延遲時間（Row Precharge Delay），又稱列位址控制器預充電延遲時間（RAS Precharge Delay）（tRP/tRCP）：停用列

列動態延遲時間（Row Active Delay），又稱列位址控制器動態延遲時間（RAS Active Delay），或就緒時間（time to ready）（tRA/tRD/tRAS）：啟動列與停用列之間的時脈週期數。

免責聲明：所有 Kingston 產品都經過測試，符合公告的規格。某些系統或主機板配置可能無法在 Kingston 記憶體額定速度和時序下運作。Kingston 不建議任何使用者嘗試以超過額定速度的速度使用電腦。進行超頻或修改系統時序可能會導致電腦元件損壞。

Kingston 記憶體產品型號解碼器

Kingston FURY™ DDR5

Kingston Server Premier DDR5

Kingston ValueRAM DDR5

Kingston FURY™ 產品型號解碼器

Kingston Server Premier DDR4

Kingston ValueRAM DDR4

Kingston Design-In 記憶體模組 DDR5

Kingston Design-In 記憶體模組 DDR4

Kingston Design-In 記憶體模組 DDR3

HyperX® 產品型號解碼器

DDR3

DDR3 & DDR2

DDR

延遲時間

舉例