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Ventajas de sobre-aprovisionamiento (OP)
Como el OP mejora la durabilidad del SSD.

Para entender por qué la unidad de estado sólido (SSD) se configura con sobre-aprovisionamiento y la forma en que esto beneficia al controlador SSD, tenemos que profundizar en el funcionamiento normal de un SSD y las limitaciones de la memoria NAND Flash no volátil.

Cada celda NAND Flash tiene una esperanza de vida finita, sobre la base de su resistencia a la programación y al borrado (P/B), que se caracteriza durante el proceso de fabricación por parte del fabricante de NAND Flash, porque cada función de programación o de borrado ejecutados en una celda NAND flash reduce la capacidad de la celda de almacenar confiablemente una carga eléctrica, y por lo tanto puede poner en peligro la integridad de los datos.

Sin embargo, a medida que la geometría de la NAND migra de 2D a 3D, la durabilidad de la NAND mejorará, las densidades aumentarán y los costos de producción se reducirán, haciendo los SSDs más asequibles.

En resumen, los tres factores principales que afectan la resistencia del SSD son:

  • Resistencia de la NAND Flash ante la programación/borrado y complejidad de la lectura/programación/borrado relacionada con la geometría (En este caso la geometría incluye tecnología de fabricación en 2 y 3 dimensiones)
  • Capacidad de la unidad SSD
  • Capacidad y eficiencia del controlador SSD (Recolección de basura, amplificación de escritura, gestión de bloques, nivelación de desgaste, código de corrección de errores).
Como el OP mejora la durabilidad de la SSD.

Cada matriz de memoria NAND Flash se compone de varios bloques que contienen una gran cantidad adicional de páginas.

La NAND Flash puede ser leída y escrita a nivel de la página, pero sólo puede ser borrada a nivel de bloque.

Si una sola página tiene que ser modificada o borrada en una página ya programada dentro de un bloque, entonces la totalidad del contenido del bloque, compuesto de varias páginas, deben ser leídos primero a una memoria temporal y luego borrados, antes que el nuevo contenido del bloque se pueda programar para la misma dirección del bloque.


Referencias

El único escenario en el que una página se puede escribir directamente a un bloque dentro de la memoria NAND Flash sin este tedioso ciclo de leer-modificar-escribir, es cuando la página ya está vacía.

Mantener una gran cantidad de bloques vacíos y en reserva por medio del exceso de sobre-aprovisionamiento ayuda a mantener un rendimiento coherente, sobre todo en escenarios de escritura aleatoria que presentan el mayor factor de amplificación de escritura (WAF). [1]

  1. JESD219: Cargas de trabajo de resistencia de la unidad de estado sólido (SSD), Comité de JEDEC, (http://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd219a). Estas cargas de trabajo tipo cliente y empresarial representan un estándar, basado en el cual la industria clasifica sus SSDs, y del cual se derivan los TBW compatibles con sus SSDs. Tenga en cuenta que su carga de trabajo puede variar y las especificaciones de los TBW clasificadas pueden estar con el paso del tiempo por encima o por debajo de sus cargas de trabajo, debido a el WAF único de su aplicación.

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