DDR4 内存标准

DDR4 概述

DDR4 概述

由于 DDR3 已经到达其性能和带宽的上限,为了继续满足人们对更高性能和增加带宽的需求,新一代 DDR SDRAM 应运而生。DDR4 的性能更高、DIMM 容量更大、数据完整性更强且能耗更低。

DDR4 每引脚速度超过 2Gbps 且功耗低于 DDR3L(DDR3 低电压),能够在提升性能和带宽 50% 的同时降低总体计算环境的能耗。这代表着对以前内存技术的重大改进,并且能源节省高达 40%。

除性能优化、更加环保、低成本计算外,DDR4 还提供用于提高数据可靠性的循环冗余校验 (CRC),并可对链路上传输的“命令和地址”进行完整性验证的芯片奇偶检测。此外,它还具有更强的信号完整性及其他强大的 RAS 功能。

技术概览

DDR4 详情

请注意 DDR3 与 DDR4 模组之间的细微差别。

DDR4 - 卡槽差异

卡槽差异

DDR4 模组上的卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置不同。两者的卡槽都位于插入侧,但 DDR4 卡槽的位置稍有差异,以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。

DDR4 - 增加厚度

增加厚度

为了容纳更多信号层,DDR4 模组比 DDR3 稍厚。

DDR4 - 曲线边

曲线边

DDR4 模组提供曲线边以方便插入和缓解内存安装期间对 PCB 的压力。

物理特性

DDR4 模组第一眼看起来没有什么不同,但存在一些细微差别。DDR4 RAM 不兼容 DDR3 主板,反之亦然。卡槽位置有变化,避免意外插入错误类型的内存。每个模组包含 288 个针脚,而不是 240 个。为了增强强度和电气接触,PCB 底部形状存在轻微弧度。

速度更快

在技术差异方面,DDR4 速度更快,2133MHz 起步,这相当于 DDR3 的最高频率。规划的速度提升有望让频率远远超过 3200MHz。

功耗更低

DDR4 效率比 DDR3 高,电耗减少多达 40%,每个模组仅需 1.2V。这对于笔记本电脑意义重大,可以延长电池续航时间。

容量更大

DDR4 支持更高密度的芯片和堆叠技术,有望让单个内存模组提供高达 512GB 的容量。

可靠性更高

凭借改善的循环冗余校验、“命令和地址”传输芯片奇偶检测和更强的信号完整性,DDR4 是迄今最可靠的 DDR。

规格概览

说明DDR3DDR4优势
芯片密度 512Mb-8Gb 4Gb-16Gb 更大的 DIMM 容量
数据速率 800Mb/s – 2133Mb/s 1600Mb/s – 3200Mb/s 迁移至更高速度 I/O
迁移至更高速度 I/O 1,5V 预计为 1.2V 降低内存功耗需求
低电压标准 是(DDR3L 为 1.35V) 预计为 1.1V 内存功耗降低
内部芯片区 8 16 更多芯片区
芯片区组 (BG) 0 4 更快地突发访问
VREF 输入 2 – DQ 和 CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR VREFDQ 现在内部
tCK – DLL 启用 300MHz – 800MHz 667MHz – 1,6GHz 更高数据速率
tCK – DLL 禁用 10MHz – 125MHz(可选) 未定义至 125MHz 现在完全支持 DLL-off
读取延迟 AL + CL AL + CL 扩展值
写入延迟 AL + CWL AL + CWL 扩展值
DQ 驱动程序 (ALT) 40 Ω 48 Ω 适用于 PtP 应用程序
DQ 总线 SSTL15 POD12 减少 I/O 噪音和功耗
RTT 值(单位 Ω) 120, 60, 40, 30, 20 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 支持更高的数据速
RTT 不允许 读取突发 读取突发期间禁用 易于使用
ODT 模式 标称、动态 标称、动态、静态 Add’l 控制模式;OTF 值更改
ODT 控制 需要 ODT 信号 不需要 ODT 信号 简化 ODT 控制;允许非 ODT 路由、PtP 应用程序
多功能寄存器 四个寄存器 – 1 个已定义、3 个 RFU 四个寄存器 – 3 个已定义、1 个 RFU 提供其他特性读数
DIMM 类型 RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
DIMM 金手指 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS ECC CRC、奇偶、可寻址、GDM 更多 RAS 功能;改进的数据完整性

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