W tej witrynie używane są pliki cookie w celu rozszerzenia zakresu funkcji. Korzystanie z witryny jest równoznaczne z zaakceptowaniem tego. Szanujemy Twoją prywatność i bezpieczeństwo danych. Zapoznaj się z naszymi zasadami dotyczącymi plików cookie i polityką prywatności. Oba dokumenty zostały ostatnio zaktualizowane.
Dekoder numerów katalogowych

Korzystając z poniższych informacji można rozpoznawać moduły pamięci Kingston® ValueRAM® według ich specyfikacji.

Jak interpretować numery katalogowe pamięci ValueRAM

Przykład:
Nowy system: KVR 16 R11 D4 / 8
Poprzedni system: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Nowy system obejmuje części wyprodukowane po 1 maja 2012.

DDR4 Server Premier (PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L/
  • 32
  • H
  • A
  • I
  • 2

KSM = Kingston Server Premier

KSM = Kingston Server Premier

26 = Szybkość (MT/s)

24 = 2400 MT/s
26 = 2666 MT/s
29 = 2933 MT/s
32 = 3200 MT/s

R = Typ modułu pamięci

E: niebuforowane moduły DIMM (ECC)
R: moduły Registered DIMM
L: moduły Load Reduced DIMM
SE: niebuforowane moduły SODIMM (ECC)

D = Rząd

S: pojedyncze
D: podwójne
Q: Cztery

4 = Typ pamięci DRAM

4 = x4
8 = x8

L = Profil PCB

L: niskoprofilowe moduły DIMM

32 = Pojemność

8 GB
16 GB
32 GB
64 GB
128 GB
256 GB

H = Producent DRAM

H = SK Hynix
M = Micron

A = Wersja kości DRAM

A Die
B Die
E Die

I = Producent

I = IDT
M = Montage
R = Rambus

2 = Numer wersji (opcjonalny)

2 = Numer wersji (opcjonalny)

DDR4 ValueRAM (PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2/
  • 4
  • H
  • B
  • I

KVR = Kingston ValueRAM

KVR – Kingston ValueRAM

21 = Szybkość

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

L = Niskie napięcie

Puste – 1.2V
L – TBD

R = Typ modułu

E: Niebuforowana pamięć DIMM (ECC) z czujnikiem termicznym
L: Moduł Load Reduced DIMM (LRDIMM)
N: Niebuforowana pamięć DIMM (bez ECC)
R: Rejestrowana pamięć DIMM z funkcją parzystości adresów/poleceń z czujnikiem termicznym
S: SO-DIMM, niebuforowana (bez ECC)

11 = Opóźnienie CAS

15 – Opóźnienie CAS

D = Szeregi

S – Jednoszeregowa
D – Dwuszeregowa
Q – Czteroszeregowa
O – Ośmioszeregowa

8 = Typ pamięci DRAM

4 – układ DRAM x4
8 – układ DRAM x8
6 – układ DRAM x16

L = Profil

Puste: Dowolna wysokość
H – 31,25mm
L – 18,75mm (VLP)

K2 = Zestaw + liczba elementów

Puste – Pojedynczy moduł
K – Zestaw + liczba elementów
K2 – Zestaw dwóch modułów
K3 – Zestaw trzech modułów
K4 – Zestaw czterech modułów

4 = Pojemność

4 – Pojemność

H = DRAM MFGR

H – SK Hynix
K – Kingston
M – Micron
S – Samsung

B = Wersja matrycy

B – Wersja matrycy

I = Certyfikat firmy Intel

I – Certyfikat firmy Intel

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2/
  • 4
  • H
  • B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR – Kingston ValueRAM

16 = Szybkość

16 – 1600
13 – 1333
10 – 1066

L = Niskie napięcie

Puste – 1.5V
L – 1.35V
U – 1.25V

R = Typ modułu

E – Niebuforowana pamięć DIMM (ECC)
N – Niebuforowana pamięć DIMM (bez ECC)
R – Rejestrowana pamięć DIMM
L – Moduł Load Reduced DIMM (LRDIMM)
S – SO-DIMM

11 = Opóźnienie CAS

11 – Opóźnienie CAS

D = Szeregi

S – Jednoszeregowa
D – Dwuszeregowa
Q – Czteroszeregowa

8 = Typ pamięci DRAM

4 – układ DRAM x4
8 – układ DRAM x8

L = Profil

L – 18.75mm (VLP)
H – 30mm

K2 = Zestaw + liczba elementów

K2 – Zestaw dwóch modułów
K3 – Zestaw trzech modułów
K4 – Zestaw czterech modułów

4 = Pojemność

4 – Pojemność

H = DRAM MFGR/Certyfikaty

H – Hynix
E – Elpida
I – Intel Validated

B = Wersja matrycy

B – Wersja matrycy

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2/
  • 4G
  • H
  • B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR – Kingston ValueRAM

1066 = Szybkość

1066 – Szybkość

D3 = Technologie

D2 – DDR2
D3 – DDR3

L = Niskie napięcie

Puste – 1.5V
L – 1.35V
U – 1.25V

D = Szeregi

S – Jednoszeregowa
D – Dwuszeregowa
Q – Czteroszeregowa

8 = Typ pamięci DRAM

4 – układ DRAM x4
8 – układ DRAM x8

R = Typ modułu

P – Rejestrowanie z parzystością (tylko w przypadku modułów rejestrowanych)
E – Niebuforowana pamięć DIMM (ECC)
F – FB DIMM
M – Mini-DIMM
N – Niebuforowana pamięć DIMM (bez ECC)
R – Rejestrowana pamięć DIMM z funkcją parzystości adresów/poleceń
S – SO-DIMM
U – Micro-DIMM

7 = Opóźnienie CAS

7 – Opóźnienie CAS

S = Czujnikiem termicznym

Puste – Bez czujnika termicznego
S – Z czujnikiem termicznym

L = Profil

Puste – Dowolna wysokość
L – 18m=,75mm (VLP)
H – 30mm

K2 = Zestaw + liczba elementów

Puste – Pojedynczy moduł
K2 – Zestaw dwóch modułów
K3 – Zestaw trzech modułów

4G = Pojemność

4G – Pojemność

H = DRAM MFGR

H – DRAM MFGR

B = Wersja matrycy

B – Wersja matrycy

DDR (PC2100, PC2700, PC3200)

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2/
  • 1G

KVR = Kingston ValueRAM

KVR – Kingston ValueRAM

400 = Szybkość

266
333
400

X72 = X72 ECC

X72 – ECC

R = Rejestrowana

R – Rejestrowana

C3 = Opóźnienie CAS

C3 – Opóźnienie CAS

A = DDR400 3-3-3

A – DDR400 3-3-3

K2 = Zestaw + liczba elementów

K2 – Zestaw dwóch modułów

1G = Pojemność

1G – Pojemność
        Back To Top