Dekoder numerów katalogowych Kingston

Dowiedz się, w jaki sposób odczytywać numery katalogowe pamięci Kingston®, w tym produktów pamięci z linii Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, DDR4, DDR3, DDR2 i DDR. Ułatwi Ci to rozpoznanie modułów pamięci na podstawie ich specyfikacji.

Kingston FURY™ – dekoder numerów katalogowych

Poniższe informacje umożliwiają rozpoznanie modułów pamięci Kingston FURY na podstawie ich specyfikacji.

Numer katalogowy: KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 15
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64
  • KF - Kingston FURY
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
  • 5 - DDR5
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 26 - 2666
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
  • C - UDIMM
  • S - SODIMM
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
  • Puste - niebieski
  • B - czarny
  • R - czerwony
  • Puste - wersja 1
  • 1 - 16GB module(s) with 1Gx8 (8Gbit) components
  • 2 - wersja 2
  • 3 - wersja 3
  • Puste - nie RGB
  • A - RGB
  • Puste – pojedynczy moduł
  • K2 - zestaw 2 modułów
  • K4 - zestaw 4 modułów
  • K8 - zestaw 8 modułów
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

HyperX® – dekoder numerów katalogowych

Poniższe informacje umożliwiają rozpoznanie modułów pamięci Kingston HyperX na podstawie ich specyfikacji.

Numer katalogowy: HX429C15PB3AK4/32

  • HX
  • 4
  • 29
  • C
  • 15
  • P
  • B
  • 3
  • A
  • K4
  • /
  • 32
  • HX - HyperX (starsze wersje)
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
  • 13 - 1333
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 21 - 2133
  • 24 - 2400
  • 26 - 2666
  • 28 - 2800
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 33 - 3333
  • 34 - 3466
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 41 - 4133
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
  • C - UDIMM
  • S - SODIMM
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 12 - CL12
  • 13 - CL13
  • 14 - CL14
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
  • F - FURY
  • B - Beast
  • S - Savage
  • P - Predator
  • I - Impact
  • Puste - niebieski
  • B - czarny
  • R - czerwony
  • W - biały
  • 2 - wersja 2
  • 3 - wersja 3
  • 4 - wersja 4
  • Puste - nie RGB
  • A - RGB
  • Puste – pojedynczy moduł
  • K2 - zestaw 2 modułów
  • K4 - zestaw 4 modułów
  • K8 - zestaw 8 modułów
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

DDR4 Server Premier

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Numer katalogowy: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
  • KSM: Kingston Server Premier
  • 24: 2400 MT/s
  • 26: 2666 MT/s
  • 29: 2933 MT/s
  • 32: 3200 MT/s
  • E: Niebuforowana pamięć DIMM (ECC)
  • R: Rejestrowana pamięć DIMM
  • L: Moduł Load Reduced DIMM (LRDIMM)
  • SE: niebuforowane moduły SO-DIMM (ECC)
  • S: Jednoszeregowa
  • D: Dwuszeregowa
  • Q: Czteroszeregowa
  • 4: układ DRAM x4
  • 8: układ DRAM x8
  • L: niskoprofilowe moduły DIMM
  • 8GB
  • 16GB
  • 32GB
  • 64GB
  • 128GB
  • 256GB
  • H: SK Hynix
  • M: Micron
  • A Die
  • B Die
  • E Die
  • I : IDT
  • M : Montage
  • R : Rambus

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Numer katalogowy: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 21: 2133
  • 24: 2400
  • 26: 2666
  • 29: 2933
  • 32: 3200
  • Puste : 1.2V
  • L: TBD
  • E: Niebuforowana pamięć DIMM (ECC) z czujnikiem termicznym
  • L: Moduł Load Reduced DIMM (LRDIMM)
  • N: Niebuforowana pamięć DIMM (bez ECC)
  • R: Rejestrowana pamięć DIMM z funkcją parzystości adresów/poleceń
  • S: SO-DIMM, niebuforowana (bez ECC)
  • 15: Opóźnienie CAS
  • S: Jednoszeregowa
  • D: Dwuszeregowa
  • Q: Czteroszeregowa
  • O: Ośmioszeregowa
  • 4: układ DRAM x4
  • 8: układ DRAM x8
  • 6: układ DRAM x16
  • Puste: Dowolna wysokość
  • H: 31,25mm
  • L: 18,75mm (VLP)
  • Puste: Dowolna wysokość
  • K2: Zestaw dwóch modułów
  • K3: Zestaw trzech modułów
  • 4: Pojemność
  • H: SK Hynix
  • K: Kingston
  • M: Micron
  • S: Samsung
  • B : Wersja matrycy
  • I : Certyfikat firmy Intel

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Jak interpretować numery katalogowe pamięci ValueRAM

Przykład:
Nowy system: KVR 16 R11 D4 / 8
Poprzedni system: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Nowy system obejmuje części wyprodukowane po 1 maja 2012.

Numer katalogowy: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
  • Puste: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V
  • E: Niebuforowana pamięć DIMM (ECC)
  • N: Niebuforowana pamięć DIMM (bez ECC)
  • R: Rejestrowana pamięć DIMM z funkcją parzystości adresów/poleceń
  • L: Moduł Load Reduced DIMM (LRDIMM)
  • S: SO-DIMM
  • 11: Opóźnienie CAS
  • S: Jednoszeregowa
  • D: Dwuszeregowa
  • Q: Czteroszeregowa
  • 4: układ DRAM x4
  • 8: układ DRAM x8
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
  • K2: Zestaw dwóch modułów
  • K3: Zestaw trzech modułów
  • K4: Zestaw czterech modułów
  • 4: 4GB
  • 8: 8GB
  • 12: 12GB
  • 16: 16GB
  • 24: 24GB
  • 32: 32GB
  • 48: 48GB
  • 64: 64GB
  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: Certyfikat firmy Intel
  • B: Wersja matrycy

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Numer katalogowy: KVR1066D3LD8R7SLK2/4GHB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 1066: Szybkość
  • D2: DDR2
  • D3: DDR3
  • Puste: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V
  • S: Jednoszeregowa
  • D: Dwuszeregowa
  • Q: Czteroszeregowa
  • 4: układ DRAM x4
  • 8: układ DRAM x8
  • P: Rejestrowanie z parzystością (tylko w przypadku modułów rejestrowanych)
  • E: Niebuforowana pamięć DIMM (ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: Niebuforowana pamięć DIMM (bez ECC)
  • R: Rejestrowana pamięć DIMM z funkcją parzystości adresów/poleceń
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM
  • 7: Opóźnienie CAS
  • Puste: Bez czujnika termicznego
  • S: Z czujnikiem termicznym
  • Puste: Dowolna wysokość
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
  • Puste: Pojedynczy moduł
  • K2: Zestaw dwóch modułów
  • K3: Zestaw trzech modułów
  • 4G: Pojemność
  • H: DRAM MFGR
  • B: Wersja matrycy

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

Numer katalogowy: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 266
  • 333
  • 400
  • X72: X72 ECC
  • R: Rejestrowana
  • C3 - Opóźnienie CAS
  • A - DDR400 3-3-3
  • K2: Zestaw dwóch modułów
  • 1G: Pojemność

Słowniczek

Pojemność

Całkowita liczba dostępnych komórek pamięci w module, wyrażona w gigabajtach (GB). Pojemność podawana w przypadku zestawów to łączna pojemność wszystkich modułów w zestawie.

Opóźnienie CAS

Standardowa, z góry określona liczba cykli zegara dla odczytu/zapisu danych w modułach pamięci i kontrolera pamięci. Podczas wykonywania polecenia odczytu/zapisu danych i ładowania adresów wierszy/kolumn opóźnienie CAS oznacza czas oczekiwania na gotowe dane.

DDR4

Technologia DDR (Double Data Rate) pamięci SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) czwartej generacji, częściej określana jako „DDR4”. Moduły pamięci DDR4 nie są zgodne ze starszymi generacjami technologii DDR ze względu na niższe napięcie zasilania (1,2V) oraz inną konfigurację pinów i technologię wykonania chipów pamięci.

DDR5

Technologia DDR (Double Data Rate) pamięci SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) piątej generacji, częściej określana jako „DDR5”. Moduły pamięci DDR4 nie są zgodne ze starszymi generacjami technologii DDR ze względu na niższe napięcie zasilania (1,1V) oraz inną konfigurację pinów i technologię wykonania chipów pamięci.

Typ modułu DIMM

UDIMM (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) to długi moduł pamięci o 64-bitowej szerokości szyny danych, najczęściej stosowany w komputerach stacjonarnych, gdzie nie jest wymagana korekcja błędów, a pojemność pamięci DIMM jest ograniczona.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) to moduł pamięci w małej obudowie, przeznaczony do mniejszych urządzeń komputerowych, takich laptopy, mikroserwery, drukarki lub routery.

Gigabit (Gb)

Bit to najmniejsza jednostka danych w obliczeniach, która ma wartość 1 lub 0 (wł./wył.). Zgodnie z definicją międzynarodowego układu jednostek miar (SI) jeden gigabit (Gb) odpowiada jednemu miliardowi bitów (109). W przypadku pamięci komputerowej gigabit (Gb lub Gbit) jest powszechnie używaną jednostką do określania gęstości pojedynczego komponentu pamięci DRAM.

Gigabajt (GB)

Bajt składa się z 8 bitów. Zgodnie z definicją międzynarodowego układu jednostek miar (SI) jeden gigabajt (GB) odpowiada jednemu miliardowi bajtów (109). W przypadku pamięci komputera gigabajt (GB) jest używany jako jednostka do określania całkowitej pojemności modułu pamięci lub grupy modułów pamięci składających się na całą pamięć systemową.

Zestaw

Numer katalogowy obejmujący wiele modułów pamięci, zwykle obsługujących dwu-, trzy- lub czterokanałową architekturę pamięci. Na przykład K2 oznacza 2 moduły DIMM w zestawie, które składają się na całkowitą pojemność.

Szybkość (częstotliwość)

Szybkość przesyłania danych lub efektywna częstotliwość taktowania obsługiwana przez moduł pamięci, mierzona w megahercach (MHz) lub megatransferach na sekundę (MT/s). Im wyższa szybkość, tym więcej danych można przesłać na sekundę.

Czas oczekiwania (timing)

Poniższe informacje opisują różne ustawienia, które można zmienić, modyfikując timingi pamięci w BIOS-ie płyty głównej w celu uzyskania optymalnej wydajności. Ustawienia te mogą się różnić w zależności od marki/modelu płyty głównej lub wersji BIOS-u.

Przykład

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

Opóźnienie CAS (CL): opóźnienie między aktywacją wiersza a odczytaniem z niego danych.

Opóźnienie RAS do CAS lub RAS do kolumny (tRCD): aktywuje wiersz.

Opóźnienie wstępnego zainicjowania wiersza lub opóźnienie wstępnego zainicjowania RAS (tRP/tRCP): dezaktywuje wiersz.

Opóźnienie aktywnego wiersza lub opóźnienie aktywnego RAS albo czas do gotowości (tRA/tRD/tRAS): liczba cykli zegara między aktywacją/dezaktywacją wiersza.

Zastrzeżenie: wszystkie produkty firmy Kingston są testowane pod kątem podanych specyfikacji. Niektóre konfiguracje systemu lub płyty głównej mogą nie obsługiwać podanych przez firmę Kingston parametrów szybkości pamięci i ustawień timingu. Firma Kingston odradza użytkownikom podejmowanie prób uruchamiania komputera z ustawieniem wyższej szybkości niż podana. Przetaktowanie systemu lub zmodyfikowanie timingu może spowodować uszkodzenie podzespołów komputera..