РАСШИФРОВКА ПАРТ. НОМЕРА

Следующая информация предназначена для того, чтобы помочь вам идентифицировать модули памяти Kingston® HyperX® по спецификации.

  • HX
  • 4
  • 24
  • C
  • 12
  • P
  • B
  • 2
  • K4/
  • 16

HX = Линейка продукции

HX – HyperX

4 = Технология

3 – DDR3
4 – DDR4

24 = Частота (MHz)

13 – 1333 16 – 1600
18 – 1866 21 – 2133
24 – 2400 26 – 2666
28 – 2800 30 – 3000

C = Тип памяти DIMM

C – UDIMM
S – SODIMM

12 = Латентность (CAS)

9 – CL9 10 – CL10
11 – CL11 12 – CL12
13 – CL13 14 – CL14
15 – CL15 16 – CL16

P = Cерии

F – FURY
S – Savage
B – Beast
P – Predator
I – Impact

B = Цвет теплоотвода

Без обозначения – Синий
B – Черный
R – Красный
W – Белый

2 = Версия

2 – 2-е Версия

K4 = Kit + # of PCS

K2 – Комплект из 2 модулей
K4 – Комплект из 4 модулей
K8 – Комплект из 8 модулей

16 = Общая емкость комплект

8 – 8GB
16 – 16GB
32 – 32GB
64 – 64GB
ГЛОССАРИЙ ТЕРМИНОВ
Объём

Общее число ячеек памяти в модуле, выраженное в мегабитах или гигабитах. Для комплектов указанный объём - это совокупный объём всех модулей в наборе.

CAS-латентность

Одна из важнейших латентных задержек (время ожидания) (выраженная в циклах генератора тактовых импульсов) при получении доступа к модулю памяти. После загрузки команды чтения или записи и адреса строки/столбца, CAS-латентность (CAS - строб адреса столбца) представляет собой окончательное время ожидания, когда данные станут доступны для чтения или записи.

DDR3

Третье поколение памяти в виде синхронного динамического ОЗУ (SDRAM) с двойной скоростью передачи данных (DDR). Аналогично DDR2, она продолжает эволюцию технологии памяти DDR, которая работает на более высоких скоростях (до 1600 МГц), .

Комплект

Одна упаковка, содержащая несколько модулей памяти: K2 = 2 модуля в наборе.

Регистровый

Модуль памяти, содержащий одну или несколько микросхем регистров, используемых для передачи и синхронизации адресных и управляющих сигналов, выдаваемых контроллером памяти материнской платы, и микросхему замкнутой петли фазовой автоподстройки частоты (PLL), используемую для передачи синхросигналов материнской платы на все микросхемы DRAM.

Скорость

Поддерживаемая модулем памяти скорость передачи данных или эффективная тактовая частота.

LATENCY TIMING

Приведённая ниже информация поможет проиллюстрировать соответствующие настройки, применяемые при установке оптимальных по производительности временных соотношений памяти в системе BIOS материнской платы. Обратите внимание, что эти настройки могут отличаться в зависимости от изготовителя/модели материнской платы или обновления системы BIOS.


Сокращения

Определение тайминга

Функция

CL

Задержка сигнала CAS

Задержка между активацией ряда и чтением ряда.

tRCD

RAS to CAS
(или Row to Column Delay, выбор ряда)

Активирует ряд.

trp или tRCP

Row Precharge Delay
(или RAS Precharge Delay, деактивация ряда)

Отключает ряд.

tra, trd или tRAS

Row Active Delay
(или RAS Active Delay, число циклов чтения)

Количество тактов задающего генератора между активацией и деактивацией ряда.

CMD Rate

Command rate

Задержка между выбором микросхемы и передачей команды.

Примечание: Все изделия компании Kingston тестируются на соответствие нашим опубликованным спецификациям. Некоторые конфигурации систем или материнских плат не могут работать на опубликованных для модулей памяти HyperX скоростях или при опубликованных настройках синхронизации. Компания Kingston никому не рекомендует пытаться разгонять компьютеры до скоростей, превышающих опубликованные. Завышение тактовой частоты процессора ил изменение синхронизации системы может привести к повреждению узлов компьютера.