ไซต์นี้ใช้คุ้กกี้เพื่อปรับปรุงคุณสมบัติและฟังก์ชั่นการทำงาน การใช้ไซต์นี้จะถือว่าคุณให้ความยินยอมตามนี้ เราให้ความสำคัญกับความเป็นส่วนตัวของคุณและการรักษาความปลอดภัยของข้อมูล กรุณาศึกษานโยบายเกี่ยวกับคุ้กกี้ และ นโยบายความเป็นส่วนตัว ของเราฉบับอัพเดตล่าสุด

แนวทางที่เหมาะสม

ข้อมูลทั่วไปเกี่ยวกับ Intel Xeon E5-2600 / v2 (Romley)

แพลตฟอร์ม Intel® “Romley” เปิดตัวมาด้วย Xeon® E5-2600 (“Sandy Bridge-EP”) และมีการปรับปรุงเพิ่มเติมเป็น Xeon E5-2600 v2 (“Ivy Bridge-EP”) โดยมีจำนวนแกนประมวลผลที่มากกว่า รองรับหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ทั้งหมดได้เพิ่มเป็นสองเท่าเมื่อเทียบกับเซิร์ฟเวอร์ Xeon 5500/5600 ประสิทธิภาพด้านหน่วยความจำเหนือกว่าด้วยความเร็ว DDR3 ที่มากกว่า และให้แบนด์วิธหน่วยความจำที่สูงกว่าภายใต้สถาปัตยกรรมหน่วยความจำแบบ

เป้าหมายในการใช้งาน

แบนด์วิธหน่วยความจำเพิ่มขึ้นด้วยจำนวนช่องสัญญาณหน่วยความจำที่มากกว่า รวมทั้งความถี่ของ DDR3 ที่สูงขึ้น รองรับความหนาแน่นของส่วนประกอบได้มากกว่าจึงทำให้มีหน่วยความจำโดยรวม

  • ระบบคอมพิวเตอร์ประสิทธิภาพสูง (HPC)

  • ระบบเสมือนจริง

  • คลาวด์ (Cloud)

  • ข้อมูลขนาดใหญ่

  • ฐานข้อมูลในหน่วยความจำ

  • ระบบเครือข่ายแบบผสมผสาน

  • ระบบข้อมูลภายในทางธุรกิจ

  • ระบบเดสก์ทอปเสมือนจริง

  • การวิเคราะห์ข้อมูล

เบื้องต้น
Xeon E5-2600 series (Sandy Bridge-EP)
  • รองรับหน่วยความจำสูงสุด 768 กิกะไบต์ (GB) โดยมีโมดูลหน่วยความจำ LRDIMM 32GB จำนวนยี่สิบสี่โมดูลอยู่ภายในโปรเซสเซอร์สองตัว (2P) หรือ 1.5 เทราไบต์ (TB) โดยมีโมดูลหน่วยความจำ LRDIMM 32GB สี่สิบแปดโมดูลอยู่ภายในโปรเซสเซอร์สี่ตัว (4P)

  • รองรับ ECC Unbuffered DIMM (ECC UDIMM), Registered DIMM (RDIMM), Load Reduced DIMM (LRDIMM)

  • “DDR3L” แบบแรงดันไฟต่ำ 1.35V มาพร้อมกับความเร็วที่เหนือกว่าโปรเซสเซอร์ Xeon

  • รองรับได้มากถึง 1600 MT/s DDR3 ซึ่งเทียบเท่ากับอัตราการถ่ายโอนข้อมูล 12.8 GB/s ต่อโมดูล

Xeon E5-2600 v2 series (Ivy Bridge-EP)
  • รองรับหน่วยความจำสูงสุด 768 GB โดยมีโมดูลหน่วยความจำ LRDIMM 32GB จำนวนยี่สิบสี่โมดูลอยู่ภายในโปรเซสเซอร์สองตัว (2P) หรือแบบ 1.5 TB โดยมีโมดูลหน่วยความจำ LRDIMM 32GB 3DS สี่สิบแปดโมดูลอยู่ภายในโปรเซสเซอร์สี่ตัว (4P)

  • รองรับ ECC Unbuffered DIMM (ECC UDIMM), Registered DIMM (RDIMM), Load Reduced DIMM (LRDIMM)

  • “DDR3L” แบบแรงดันไฟต่ำ 1.35V มาพร้อมกับความเร็วที่เหนือกว่าโปรเซสเซอร์ Xeon 5600 รุ่นก่อน

  • รองรับได้มากถึง 1866 MT/s DDR3 ซึ่งเทียบเท่ากับอัตราการถ่ายโอนข้อมูล 14.9 GB/s ต่อโมดูล

สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ

สถาปัตยกรรมหน่วยความจำแบบสี่ช่องสัญญาณ (Quad) รุ่นใหม่ โปรเซสเซอร์ทุกตัว

  • สี่ (4) ช่องสัญญาณหน่วยความจำต่อโปรเซสเซอร์

  • สูงสุด 3 DIMM ต่อช่องสัญญาณ

  • สูงสุด 12 DIMM ต่อโปรเซสเซอร์

Xeon E5-2600 series (Sandy Bridge-EP)
  • DDR3-1600 / 1333 (1.5V), DDR3L-1333 (1.35V)

  • ECC Unbuffered DIMM (ECC UDIMM)

  • Registered DIMM (RDIMM)

  • Load Reduced DIMM (LRDIMM)

Sandy Bridge

1.5 v

ประเภทหน่วยความจำ(ไม่คละกันในเซิร์ฟเวอร์)

Rank หน่วยความจำ  1R/2R = Single/Dual 4R= Quad

1 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 1 DPC 2 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 2 DPC 3 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 3 DPC
Registered DIMM (RDIMM)

1R/2R

1600

1600

1066

4R

1066

800

No 4R

Sandy Bridge

1.35V

ประเภทหน่วยความจำ(ไม่คละกันในเซิร์ฟเวอร์)

Rank หน่วยความจำ 1R/2R= Single/Dual 4R= Quad

1 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 1 DPC 2 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 2 DPC 3 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 3 DPC
Registered DIMM (RDIMM)

1R/2R

1333

1333

1066 1.5V

4R

800

800

No 4R

Sandy Bridge

1.5 v

ประเภทหน่วยความจำ(ไม่คละกันในเซิร์ฟเวอร์)

Rank หน่วยความจำ  4R= Quad

1 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 1 DPC 2 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 2 DPC 3 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 3 DPC
Load Reduced DIMM (LRDIMM, 3DS)

4R at 1.5V

1333

1333

1066

4R at 1.35V

1066

1066

1066

Sandy Bridge

1.5 v

ประเภทหน่วยความจำ(ไม่คละกันในเซิร์ฟเวอร์)

System Configuration

1 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 1 DPC

2 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 2 DPC 3 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 3 DPC
ECC Unbuffered DIMM (ECC UDIMM)

4 ซ็อคเก็ตต่อโปรเซสเซอร์ 

1600

  

 

8/12 ซ็อคเก็ตต่อโปรเซสเซอร์

1333

1333

NO UDIMM

1.35V

ประเภทหน่วยความจำ(ไม่คละกันในเซิร์ฟเวอร์)

System Configuration

1 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 1 DPC 2 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 2 DPC 3 DIMM ต่อช่องสัญญาณ 3 DPC
ECC Unbuffered DIMM (ECC UDIMM)

4 ซ็อคเก็ตต่อโปรเซสเซอร์ 

1333

 

 

8/12 ซ็อคเก็ตต่อโปรเซสเซอร์

1333

1066

NO UDIMM

Xeon E5-2600 v2 series (Ivy Bridge-EP)
  • เพื่อให้ได้ประโยชน์จาก DDR3L แบบใช้ไฟน้อย หน่วยความจำจะปรับระดับแรงดันไฟฟ้าให้เริ่มต้นที่ 1.5V

  • DIMM ที่ติดตั้งทั้งหมดจะต้อง

  • หน่วยความจำประเภทต่าง ๆ (ECC UDIMM, RDIMM, LRDIMM) ไม่สามารถคละกันภายในเซิ

  • โมดูลจะต้องติดตั้งโดยมีจำนวนกลุ่มที่เท่าเทียมกันกับสถาปัตยกรรมหน่วยความจำของเซิร์ฟเวอร์ (สี่โมดูลสำหรับสี่ช่องสัญญาณ) เพื่อให้รองรับแบนด์วิธสำหรับการใช้งานได้สูงสุด ชุดที่ไม่สมบูรณ์หรือโมดูลหน่วยความจำที่มีค่าความจุแตกต่างกัน/โครงสร้าง

Ivy Bridge



ประเภทหน่วยความจำ

แรงดันไฟฟ้า

1 DIMM ต่อช่องสัญญาณ


1 DPC

2 DIMM ต่อช่องสัญญาณ


2 DPC

3 DIMM ต่อช่องสัญญาณ


3 DPC






Registered DIMM (RDIMM)

1.5V

1866 (1R/2R)


1066 (4R)

1600 (1R/2R)


800 (4R)

1600 (1R/2R)


NO 4R

1.35V

1600* (1R/2R)


1333 (1R/2R)


800 (4R)

1333 (1R/2R)


800 (4R)

800 (1R/2R)


NO 4R

* เฉพาะสำหรับรุ่น 1 DIMM ต่อช่องสัญญาณ
1R = แถวเดียว
2R = สองแถว
4R = สี่แถว

Ivy Bridge

ประเภทหน่วยความจำ

แรงดันไฟฟ้า

1 DIMM ต่อช่องสัญญาณ

1 DPC

2 DIMM ต่อช่องสัญญาณ

2 DPC

3 DIMM ต่อช่องสัญญาณ

3 DPC

Load Reduced DIMM (LRDIMM)

1.5V

1866

1600

1066 

1.35V

1600

1600

1066

* เฉพาะสำหรับรุ่น 1 DIMM ต่อช่องสัญญาณ

ประเภทหน่วยความจำที่รองรับและความเร็วในการทำงานจะแตกต่างกันไปตาม

โมดูลจะต้องติดตั้งโดยมีจำนวนกลุ่มที่เท่าเทียมกันกับสถาปัตยกรรมหน่วยความจำของเซิร์ฟเวอร์ (สี่โมดูลสำหรับสี่ช่องสัญญาณ) เพื่อให้รองรับแบนด์วิธสำหรับการใช้งานได้สูงสุด ชุดที่ไม่สมบูรณ์หรือโมดูลหน่วยความจำที่มีค่าความจุแตกต่างกัน/โครงสร้าง

        Back To Top