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產品編號解碼器

下列資訊旨在於協助您按規格識別 Kingston® ValueRAM® 記憶體模組。

如何判讀 ValueRAM 產品型號

範例:
新產品型號:KVR 16 R11 D4 / 8
舊產品型號:KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

新產品型號適用於 2012 年 5 月 1 日之後發行的產品。

DDR4 Server Premier (PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L/
  • 32
  • H
  • A
  • I
  • 2

KSM = Kingston Server Premier

KSM = Kingston Server Premier

26 = 速度 (MT/s)

24 = 2400 MT/s
26 = 2666 MT/s
29 = 2933 MT/s
32 = 3200 MT/s

R = 記憶體類型

E 是指 Unbuffered DIMM (ECC)
R 是指 Registered DIMM
L 是指 Load Reduced DIMM
SE 是指 Unbuffered SODIMM (ECC)

D = 排名

S 是指單一
D 是指雙重
Q Quad

4 = DRAM 類型

4 = x4
8 = x8

L = PCB 設定檔

L 是指 Very Low Profile DIMM

32 = 儲存容量

8GB
16GB
32GB
64GB
128GB
256GB

H = DRAM 製造商

H = SK Hynix
M = Micron

A = DRAM Die 修訂

A Die
B Die
E Die

I = 註冊製造商

I = IDT
M = Montage
R = Rambus

2 = 修訂版本 (選填)

2 = 修訂版本 (選填)

DDR4 ValueRAM (PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2/
  • 4
  • H
  • B
  • I

KVR = Kingston ValueRAM

KVR – Kingston ValueRAM

21 = 速度

21 – 2133
24 – 2400
26 – 2666
29 – 2933
32 – 3200

L = 低電壓

空白 – 1.2V
L – TBD

R = 記憶體類型

E: Unbuff¬ered DIMM (ECC),含散熱感應器
L: Load-Reduced DIMM (LRDIMM)
N: Unbuered DIMM (non-ECC)
R: Registered DIMM,含 位址/指令同位 功能,含散熱感應器
S: SO-DIMM、Unbuffered (非 Ecc)

11 = CAS 延遲

15 – CAS 延遲

D = 面

S – 單面
D – 雙面
Q – 四面
O – Octal Rank

8 = DRAM 類型

4 – x4 DRAM 晶片
8 – x8 DRAM 晶片
6 – x16 DRAM 晶片

L = 設定檔

空白: any height
H – 31.25mm
L – 18.75mm (VLP)

K2 = 套件 + 片數

空白 – 單一模組
K – 套件 + 片數
K2 – 兩個模組的套件
K3 – 三個模組的套件
K4 – 四個模組的套件

4 = 容量

4 – 容量

H = DRAM MFGR

H – SK Hynix
K – Kingston
M – Micron
S – Samsung

B = Die 改版

B – Die 改版

I = Intel 認證

I – Intel 認證

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2/
  • 4
  • H
  • B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR – Kingston ValueRAM

16 = 速度

16 – 1600
13 – 1333
10 – 1066

L = 低電壓

空白 – 1.5V
L – 1.35V
U – 1.25V

R = 記憶體類型

E – Unbuffered DIMM (ECC)
N – Unbuffered DIMM (non-ECC)
R – Registered DIMM
L – Load-Reduced DIMM
S – SO-DIMM

11 = CAS 延遲

11 – CAS 延遲

D = 面

S – 單面
D – 雙面
Q – 四面

8 = DRAM 類型

4 – x4 DRAM 晶片
8 – x8 DRAM 晶片

L = 設定檔

L – 18.75mm (VLP)
H – 30mm

K2 = 套件 + 片數

K2 – 兩個模組的套件
K3 – 三個模組的套件
K4 – 四個模組的套件

4 = 容量

4 – 容量

H = DRAM MFGR/認證

H – Hynix
E – Elpida
I – Intel 認證

B = Die 改版

B – Die 改版

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2/
  • 4G
  • H
  • B

KVR = Kingston ValueRAM

KVR – Kingston ValueRAM

1066 = 速度

1066 – 速度

D3 = 技術

D2 – DDR2
D3 – DDR3

L = 低電壓

空白 – 1.5V
L – 1.35V
U – 1.25V

D = 面

S – 單面
D – 雙面
Q – 四面

8 = DRAM 類型

4 – x4 DRAM 晶片
8 – x8 DRAM 晶片

R = 記憶體類型

P – 暫存同位 (僅適用於暫存式 模組)
E – Unbuffered DIMM (ECC)
F – FB DIMM
M – Mini-DIMM
N – Unbuffered ECC DIMMs (ECC UDIMMs)
R – Registered DIMM,含 位址/指令 同位功能
S – SO-DIMM
U – Micro-DIMM

7 = CAS 延遲

7 – CAS 延遲

S = 散熱感應器

空白 – 不含 散熱感應器
S – 含散熱 感應器

L = 設定檔

空白 – 任何高度
L – 18.75mm (VLP)
H – 30mm

K2 = 套件 + 片數

空白 – 單一模組
K2 – 兩個模組的套件
K3 – 三個模組的套件

4G = 容量

4G – 容量

H = DRAM MFGR

H – DRAM MFGR

B = Die 改版

B – Die 改版

DDR (PC2100, PC2700, PC3200)

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2/
  • 1G

KVR = Kingston ValueRAM

KVR – Kingston ValueRAM

400 = 速度

266
333
400

X72 = X72 ECC

X72 – ECC

R = Registered

R – Registered

C3 = CAS 延遲

C3 – CAS 延遲

A = DDR400 3-3-3

A – DDR400 3-3-3

K2 = 套件 + 片數

K2 – 兩個模組的套件

1G = 容量

1G – 容量
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