Decodificador do Código do Produto Kingston

Saiba como ler os códigos dos produtos de memória Kingston® incluindo Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, linhas de produto de memória DDR4, DDR3, DDR2, e DDR para te ajudar a identificar os módulos por especificação.

Decodificador do Código do Produto Kingston FURY™

As informações a seguir foram definidas para te ajudar a identificar os módulos de memória Kingston FURY por especificação.

Número da peça: KF432C16BB1AK4/64

  • KF
  • 4
  • 32
  • C
  • 15
  • B
  • B
  • 1
  • A
  • K4
  • /
  • 64
  • KF - Kingston FURY
  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4
  • 5 - DDR5
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 26 - 2666
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333
  • C - UDIMM
  • S - SODIMM
  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20
  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact
  • Branco - Azul
  • B - Preto
  • R - Vermelha
  • Branco - 1a revisão
  • 1 - módulo(s) de 16 GB com componentes 1Gx8 (8Gbit)
  • 2 - 2a revisão
  • 3 - 3a revisão
  • Branco - Não RGB
  • A - RGB
  • Branco – Módulo único
  • K2 - Kit de 2 módulos
  • K4 - Kit de 4 módulos
  • K8 - Kit de 8 módulos
  • 4 - 4GB
  • 8 - 8GB
  • 16 - 16GB
  • 32 - 32GB
  • 64 - 64GB
  • 128 - 128GB
  • 256 - 256GB

DDR4 Server Premier

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Código do Produto: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
  • KSM: Kingston Server Premier
  • 24: 2400 MT/s
  • 26: 2666 MT/s
  • 29: 2933 MT/s
  • 32: 3200 MT/s
  • E: DIMM sem buffer (ECC)
  • R: DIMM Registrado
  • L: DIMM Carga Reduzida
  • SE: SO-DIMM sem buffer (ECC)
  • S: Single
  • D: Dual
  • Q: Quad
  • 4: x4
  • 8: x8
  • L significa DIMM de perfil muito baixo
  • 8GB
  • 16GB
  • 32GB
  • 64GB
  • 128GB
  • 256GB
  • H: SK Hynix
  • M: Micron
  • Molde A
  • Molde B
  • Molde E
  • I : IDT
  • M : Montage
  • R : Rambus

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Código do Produto: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 21: 2133
  • 24: 2400
  • 26: 2666
  • 29: 2933
  • 32: 3200
  • Vazio: 1,2V
  • L: TBD
  • E: DIMM sem buffer (ECC) c/ Sensor Térmico
  • L: DIMM com redução de carga (LRDIMM)
  • N: DIMM sem buffer (não-ECC)
  • R: DIMM Registrado com Função Paridade Endereço/Comando
  • S: SO-DIMM sem buffer (não-ECC)
  • 15 : Latência CAS
  • S: Single Rank
  • D: Dual Rank
  • Q: Quad Rank
  • O: Octal Rank
  • 4: x4 chip DRAM
  • 8: x8 chip DRAM
  • 6: x16 chip DRAM
  • Vazio: any height
  • H: 31.25mm
  • L: 18.75mm (VLP)
  • Vazio: Qualquer altura
  • K2: Kit de dois módulos
  • K3: Kit de três módulos
  • 4 : Capacidade
  • H: SK Hynix
  • K: Kingston
  • M: Micron
  • S: Samsung
  • B – Revisão
  • I = Certificação Intel

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Como Fazer a Leitura dos números de peças ValueRAM

Exemplo:
Esquema para Peça Nova: KVR 16 R11 D4 / 8
Esquema para Peças Anteriores: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Esquema de peças novas aplicável a peças lançadas após 1º de maio de 2012.

Código do Produto: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066
  • Vazio: 1.5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V
  • E: DIMM sem buffer (ECC)
  • N: DIMM sem buffer (não-ECC)
  • R: DIMM Registrado
  • L: DIMM com redução de carga
  • S: SO-DIMM
  • 11: Latência CAS
  • S: Single Rank
  • D: Dual Rank
  • Q: Quad Rank
  • 4: x4 chip DRAM
  • 8: x8 chip DRAM
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
  • K2: Kit de dois módulos
  • K3: Kit de três módulos
  • K4: Kit de quatro módulos
  • 4: 4GB
  • 8: 8GB
  • 12: 12GB
  • 16: 16GB
  • 24: 24GB
  • 32: 32GB
  • 48: 48GB
  • 64: 64GB
  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: Certificação Intel
  • B: Revisão do molde

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Código do Produto: KVR1066D3LD8R7SLK2/4GHB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 1066: Velocidade
  • D2: DDR2
  • D3 : DDR3
  • Vazio: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V
  • S: Single Rank
  • D: Dual Rank
  • Q: Quad Rank
  • 4: x4 DRAM chip
  • 8: x8 DRAM chip
  • P: Paridade no registro (apenas para módulos registrados)
  • E: DIMM sem buffer (ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: DIMM sem buffer (não-ECC)
  • R: DIMM Registrado com Função Paridade Endereço/Comando
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM
  • 7: Latência CAS
  • Vazio: Sem Sensor Térmico
  • S: Com Sensor Térmico
  • Vazio: Qualquer altura
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm
  • Vazio: Módulo único
  • K2: Kit de dois módulos
  • K3: Kit de três módulos
  • 4G: Capacidade
  • H: Fabricante de DRAM
  • B: Revisão

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

Código do Produto: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
  • KVR: Kingston ValueRAM
  • 266
  • 333
  • 400
  • X72: X72 ECC
  • R: Registrado
  • C3: Latência CAS
  • A: DDR400 3-3-3
  • K2: Kit de dois módulos
  • 1G: Capacidade

Glossário

Capacidade

Número total de células de memória disponível em um módulo, expresso em Gigabytes (GB). No caso dos kits, a capacidade indicada é a capacidade combinada de todos os módulos no kit.

Latência CAS

Um número padrão predeterminado de ciclos por clock para leitura/gravação de dados de ou para os módulos de memória e o controlador da memória. Uma vez que o comando de leitura ou gravação de dados e as direções da fila/coluna estejam carregados, a Latência CAS representa o tempo de espera até que os dados estejam prontos.

DDR4

DDR (Double Data Rate) Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) de quarta geração da tecnologia de memória, mais comumente conhecida como “DDR4”. Os módulos de memória DDR4 não são compatíveis retroativamente com os módulos de memória DDR SDRAM, devido à baixa voltagem (1,2V), configurações distintas de pinos e tecnologia incompatível dos chips de memória.

DDR5

DDR (Double Data Rate) Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) da quinta geração da tecnologia de memória, mais comumente conhecida como “DDR5”. Os módulos de memória DDR5 não são compatíveis retroativamente com os módulos de memória DDR SDRAM, devido à baixa voltagem (1,1V), configurações distintas de pinos e tecnologia incompatível dos chips de memória.

Tipo DIMM

UDIMM (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) é um módulo de memória de formato longo com largura de dados de x64 mais comumente usado em sistemas de PC onde não há exigência de correção de erro e a capacidade DIMM é restrita.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) é um módulo de memória de formato reduzido direcionado a sistemas de computação menores, como laptops, micro servidores, impressoras ou roteadores.

Gigabit (Gb)

Um bit é a menor unidade de dados na computação e é representada por 1 ou 0 (ligada/desligada). Um Gigabit (Gb) equivale a 1 bilhão de bits (ou 109) como definido no Sistema Internacional de Unidades (SI). Para a memória de computador, Gb (ou Gbit) é normalmente usado para expressar a densidade de um único componente DRAM.

Gigabyte (GB)

Um bit é a menor unidade de dados na computação e é representada por 1 ou 0 (ligada/desligada). Um Gigabit (Gb) equivale a 1 bilhão de bits (ou 109) como definido no Sistema Internacional de Unidades (SI). Para a memória de computador, Gb (ou Gbit) é normalmente usado para expressar a densidade de um único componente DRAM.

Kit

Um código de produto que inclui múltiplos módulos de memória normalmente para suporte de arquitetura de memória de canal duplo, triplo ou quádruplo. Por exemplo, K2 = 2 DIMMs no conjunto para igualar a capacidade total.

Velocidade (também conhecida como Frequência)

A taxa de dados ou velocidade efetiva de clock que um módulo de memória suporta medida em MHz (MegaHertz) ou MT/s (Megatransfers por segundo). Quanto mais alta a velocidade, mais dados podem ser transferidos por segundo.

Tempo de Latência

As informações abaixo ajudarão a esclarecer as diversas configurações que podem ser ajustadas ao definir os tempos de memória na BIOS da placa-mãe para obter um rendimento otimizado. Observe que essas configurações podem variar dependendo do modelo/fabricação da placa-mãe ou versão do firmware da BIOS.

Amostra

15
CL
-
17
tRCD
-
17
tRP/tRCP
-
20
tRA/tRD/tRAS

Latência CAS (CL): Demora entre a ativação de uma linha e a leitura daquela linha.

RAS a CAS ou RAS para Atraso de Coluna (tRCD): Ativa a linha

Atraso de Pré-carga de Linha ou Atraso de Pré-carga de RAS (tRP/tRCP): Desativa a linha

Atraso de Linha Ativa ou Atraso de RAS Ativo ou tempo para conclusão (tRA/tRD/tRAS): Número de ciclos de clock entre a ativação e a desativação da linha.

Isenção de responsabilidade: Todos os produtos da Kingston são testados para atender nossas especificações divulgadas. Alguns sistemas ou configurações de placas-mãe podem não operar nas configurações de timing e velocidade de memória Kingston publicadas. A Kingston não recomenda que os usuários tentem operar seus computadores em velocidades maiores do que as divulgadas. Fazer overclock ou modificar seu timing de sistema pode resultar em danos aos componentes do computador.

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