Aprenda a entender los números de referencia de las memorias de Kingston®, incluyendo las líneas de productos Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, DDR4, DDR3, DDR2 y DDR. De este modo podrá identificar los módulos por especificación.
La siguiente información está pensada para ayudarle a identificar los módulos de memoria Kingston FURY según sus especificaciones.
Número de referencia: KF432C16BB1AK4/64
(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
Número de referencia: KSM26RD4L/32HAI
(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
Número de referencia: KVR21LR15D8LK2/4HBI
(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)
Cómo leer los códigos de artículo de ValueRAM
Ejemplo:
Nuevo esquema de artículos: KVR 16 R11 D4 / 8
Esquema anterior: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G
El nuevo esquema de artículos se aplica a los artículos introducidos después del 1 de mayo de 2012.
Número de referencia: KVR16LR11D8LK2/4HB
DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)
Número de referencia: KVR1066D3LD8R7SLK2/4GHB
(PC2100, PC2700, PC3200)
Part Number: KVR400X72RC3AK2/1G
Número total de celdas de memoria de datos disponibles en un módulo, expresado en Gigabytes (GB). En el caso de los kits, la capacidad indicada indica la capacidad combinada de todos los módulos del kit.
Un número estándar predeterminado de ciclos de reloj de lecturas/escrituras de datos en, o de, módulos de memoria y el controlador de memoria. Una vez cargados el comando de leer o escribir datos y las direcciones de la fila/columna, la latencia CAS representa el tiempo de espera hasta que los datos estén listos.
La Memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona (SDRAM) de doble velocidad de datos (DDR) es la tecnología de memoria de cuarta generación, denominada normalmente “DDR4”. Los módulos de memoria DDR4 no son retrocompatibles con las generaciones anteriores de SDRAM DDR debido a la menor tensión (1,2 V), las diferentes configuraciones de las patillas y la tecnología incompatible de los chips de memoria.
La Memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona (SDRAM) de doble velocidad de datos (DDR) es la tecnología de memoria de quinta generación, denominada normalmente “DDR5”. Los módulos de memoria DDR5 no son retrocompatibles con las generaciones anteriores de SDRAM DDR debido a la menor tensión (1,1 V), las diferentes configuraciones de las patillas y la tecnología incompatible de los chips de memoria.
Los UDIMM (módulos de memoria en línea doble sin memoria intermedia) sin ECC, son módulos de memoria de factor de forma largo con una anchura de datos de x64. Son los más habituales de los sistemas de sobremesa, donde no se requiere corrección de errores y en los que la capacidad de los DIMM es restringida.
Los SODIMM (módulo de memoria doble en línea de contorno pequeño) son módulos de memoria de factor de forma reducido, diseñados para sistemas informáticos más pequeños, como portátiles, microservidores, impresoras o enrutadores.
Un bit es la unidad de datos más pequeña en informática, y se representa como 1 o 0 (on/off). Un gigabit (Gb) equivale a 1.000 millones de bits (o 109), como lo define el Sistema Internacional (SI) de Unidades. En una memoria informática, Gb (o Gbit) suele emplearse para expresar la densidad de un único componente DRAM.
Un bit es la unidad de datos más pequeña en informática, y se representa como 1 o 0 (on/off). Un gigabit (Gb) equivale a 1.000 millones de bits (o 109), como lo define el Sistema Internacional (SI) de Unidades. En una memoria informática, Gb (o Gbit) suele emplearse para expresar la densidad de un único componente DRAM.
Un numero de referencia que incluye múltiples módulos de memoria, normalmente como parte de una arquitectura de memoria de doble, triple o cuádruple canal. Por ejemplo, K2 significa 2 DIMM ene el paquete, equivalentes a la capacidad total.
La velocidad de datos, o velocidad de reloj efectiva, que admite un módulo de memoria, medida en MHz (megahercios) o MT/s (megatransferencias por segundo). Cuanto mayor la velocidad, más datos podrán transferirse por segundo.
La información que se presenta a continuación contribuye a ilustrar los diversos parámetros que pueden ajustarse al configurar los tiempos de la memoria en el BIOS de la placa base para conseguir un óptimo rendimiento. Tenga en cuenta que estos ajustes pueden variar dependiendo de la marca/modelo de la placa base o de la actualización del BIOS.
Latencia CAS (CL): Retraso entre la activación de una fila y su lectura.
Retraso de RAS a CAS o de RAS a columna (tRCD): Activa la fila
Retraso de precarga de fila o retraso de precarga de RAS (tRP/tRCP): Desactiva la fila
Retraso de activación de fila, o retraso de activación de RAS, o tiempo para estar listo (tRA/tRD/tRAS): Número de ciclos de reloj entre la activación y la desactivación de una fila.
Limitación de responsabilidad:todos los productos Kingston son sometidos a pruebas para alcanzar nuestras especificaciones publicadas. Es posible que algunos sistemas o configuraciones de placas base no admitan los ajustes de tiempo y las velocidades de memoria publicados por Kingston. Kingston no recomienda a los usuarios que intenten hacer funcionar sus ordenadores con mayor rapidez de lo estipulado por las velocidades publicadas. El overclocking, o modificación de la temporización del sistema, puede resultar perjudicial para los componentes del ordenador.
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