Dowiedz się, w jaki sposób odczytywać numery katalogowe pamięci Kingston®, w tym produktów pamięci z linii Kingston FURY™, Server Premier™, ValueRAM®, HyperX®, DDR4, DDR3, DDR2 i DDR. Ułatwi Ci to rozpoznanie modułów pamięci na podstawie ich specyfikacji.
Poniższe informacje umożliwiają rozpoznanie modułów pamięci Kingston FURY na podstawie ich specyfikacji.
Numer katalogowy: KF432C16BB1AK4/64
(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
Numer katalogowy: KSM26RD4L/32HAI
(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)
Numer katalogowy: KVR21LR15D8LK2/4HBI
(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)
Jak interpretować numery katalogowe pamięci ValueRAM
Przykład:
Nowy system: KVR 16 R11 D4 / 8
Poprzedni system: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G
Nowy system obejmuje części wyprodukowane po 1 maja 2012.
Numer katalogowy: KVR16LR11D8LK2/4HB
DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)
Numer katalogowy: KVR1066D3LD8R7SLK2/4GHB
(PC2100, PC2700, PC3200)
Numer katalogowy: KVR400X72RC3AK2/1G
Całkowita liczba dostępnych komórek pamięci w module, wyrażona w gigabajtach (GB). Pojemność podawana w przypadku zestawów to łączna pojemność wszystkich modułów w zestawie.
Standardowa, z góry określona liczba cykli zegara dla odczytu/zapisu danych w modułach pamięci i kontrolera pamięci. Podczas wykonywania polecenia odczytu/zapisu danych i ładowania adresów wierszy/kolumn opóźnienie CAS oznacza czas oczekiwania na gotowe dane.
Technologia DDR (Double Data Rate) pamięci SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) czwartej generacji, częściej określana jako „DDR4”. Moduły pamięci DDR4 nie są zgodne ze starszymi generacjami technologii DDR ze względu na niższe napięcie zasilania (1,2V) oraz inną konfigurację pinów i technologię wykonania chipów pamięci.
Technologia DDR (Double Data Rate) pamięci SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) piątej generacji, częściej określana jako „DDR5”. Moduły pamięci DDR4 nie są zgodne ze starszymi generacjami technologii DDR ze względu na niższe napięcie zasilania (1,1V) oraz inną konfigurację pinów i technologię wykonania chipów pamięci.
UDIMM (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) to długi moduł pamięci o 64-bitowej szerokości szyny danych, najczęściej stosowany w komputerach stacjonarnych, gdzie nie jest wymagana korekcja błędów, a pojemność pamięci DIMM jest ograniczona.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) to moduł pamięci w małej obudowie, przeznaczony do mniejszych urządzeń komputerowych, takich laptopy, mikroserwery, drukarki lub routery.
Bit to najmniejsza jednostka danych w obliczeniach, która ma wartość 1 lub 0 (wł./wył.). Zgodnie z definicją międzynarodowego układu jednostek miar (SI) jeden gigabit (Gb) odpowiada jednemu miliardowi bitów (109). W przypadku pamięci komputerowej gigabit (Gb lub Gbit) jest powszechnie używaną jednostką do określania gęstości pojedynczego komponentu pamięci DRAM.
Bajt składa się z 8 bitów. Zgodnie z definicją międzynarodowego układu jednostek miar (SI) jeden gigabajt (GB) odpowiada jednemu miliardowi bajtów (109). W przypadku pamięci komputera gigabajt (GB) jest używany jako jednostka do określania całkowitej pojemności modułu pamięci lub grupy modułów pamięci składających się na całą pamięć systemową.
Numer katalogowy obejmujący wiele modułów pamięci, zwykle obsługujących dwu-, trzy- lub czterokanałową architekturę pamięci. Na przykład K2 oznacza 2 moduły DIMM w zestawie, które składają się na całkowitą pojemność.
Szybkość przesyłania danych lub efektywna częstotliwość taktowania obsługiwana przez moduł pamięci, mierzona w megahercach (MHz) lub megatransferach na sekundę (MT/s). Im wyższa szybkość, tym więcej danych można przesłać na sekundę.
Poniższe informacje opisują różne ustawienia, które można zmienić, modyfikując timingi pamięci w BIOS-ie płyty głównej w celu uzyskania optymalnej wydajności. Ustawienia te mogą się różnić w zależności od marki/modelu płyty głównej lub wersji BIOS-u.
Opóźnienie CAS (CL): opóźnienie między aktywacją wiersza a odczytaniem z niego danych.
Opóźnienie RAS do CAS lub RAS do kolumny (tRCD): aktywuje wiersz.
Opóźnienie wstępnego zainicjowania wiersza lub opóźnienie wstępnego zainicjowania RAS (tRP/tRCP): dezaktywuje wiersz.
Opóźnienie aktywnego wiersza lub opóźnienie aktywnego RAS albo czas do gotowości (tRA/tRD/tRAS): liczba cykli zegara między aktywacją/dezaktywacją wiersza.
Zastrzeżenie: wszystkie produkty firmy Kingston są testowane pod kątem podanych specyfikacji. Niektóre konfiguracje systemu lub płyty głównej mogą nie obsługiwać podanych przez firmę Kingston parametrów szybkości pamięci i ustawień timingu. Firma Kingston odradza użytkownikom podejmowanie prób uruchamiania komputera z ustawieniem wyższej szybkości niż podana. Przetaktowanie systemu lub zmodyfikowanie timingu może spowodować uszkodzenie podzespołów komputera..
©2021 Kingston Technology Europe Co LLP e Kingston Digital Europe Co LLP, Kingston Court, Brooklands Close, Sunbury-on-Thames, Middlesex, TW16 7EP, England. Tel: +44 (0) 1932 738888 Faks: +44 (0) 1932 785469 Wszelkie prawa zastrzeżone. Wszelkie znaki towarowe i zastrzeżone znaki towarowe są własnością odpowiednich właścicieli.
