Descripción general de DDR4

En un mundo que exige cada vez más rendimiento y ancho de banda, la tecnología DDR3 ya está alcanzando sus límites, de modo que ya se ofrece una nueva generación de SDRAM DDR. DDR4 proporciona un rendimiento más alto, mayores capacidades DIMM, una integridad de datos mejorada y un menor consumo de energía.

Con una velocidad de más de 2Gbps por pin y un consumo energético menor que el de DDR3L (DDR3 de bajo voltaje), DDR4 ofrece un aumento de rendimiento y de ancho de banda de hasta un 50%, a la vez que reduce el consumo energético de todo su entorno informático. Esto representa una mejora significativa con respecto a las tecnologías de memoria anteriores y un ahorro energético de hasta un 40 por ciento.

Además de un rendimiento optimizado y una solución informática más ecológica y de menor coste, DDR4 también ofrece verificaciones cíclicas de redundancia (CRC) para una mayor fiabilidad de los datos, la detección de paridad incorporada en el chip para comprobar la integridad de las transferencias de ‘comandos y direcciones a través de un enlace, una integridad de señal mejorada y otras funcionalidades RAS robustas.

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Resumen de la tecnología
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Detalles del DDR4

Tenga en cuenta que existen diferencias sutiles entre los módulos DDR3 y DDR4.

Diferencia entre las muescas

Las muescas de los módulos DDR4 (que se alinean con el zócalo de memoria) se encuentran en una posición diferente a la de los módulos DDR3. Ambas muescas se encuentran en el borde de inserción, pero en el DDR4 se ha modificado levemente la posición de la muesca para evitar que se instale el módulo en una placa o plataforma incompatible.

Mayor grosor

Los módulos DDR4 son un poco más gruesos que los de DDR3, para acomodar más capas de señal.

Borde curvo

Los módulos DDR4 cuentan con un borde curvo para facilitar su inserción y para aliviar el esfuerzo al que se sujeta la placa al instalar la memoria.

Resumen de las especificaciones
Descripción DDR3 DDR4 Ventaja
Densidades de chip De 512Mb a 8b De 4Gb a 16Gb Capacidades DIMM mayores
Velocidades de transferencia de datos 800Mb/s – 2133Mb/s 1600Mb/s – 3200Mb/s Migración a E/S de más alta velocidad
Voltaje 1,5V 1,2V Demanda reducida de energía de la memoria
Bajo voltaje estándar Sí (DDR3L a 1,35V) Se prevé una reducción hasta 1,1V Reducciones de energía de la memoria
Bancos internos 8 16 Más bancos
Grupos de bancos (GB) 0 4 Accesos más rápidos en modo de ráfagas
Entradas VREF 2 – DQ y CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR El VREFDQ ahora es interno
tCK – DLL habilitado 300MHz – 800MHz 667MHz – 1,6GHz Mayores velocidades de transferencia de datos
tCK – DLL deshabilitado 10MHz – 125MHz (opcional) Indeterminado hasta 125MHz Totalmente compatible con DLL-off
Latencia de lectura AL + CL AL + CL Valores ampliados
Latencia de escritura AL + CWL AL + CWL Valores ampliados
Controlador DQ (ALT) 40 Ω 48 Ω Óptimo para las aplicaciones PtP
Bus DQ SSTL15 POD12 Menos ruido y consumo de energía de E/S
Valores RTT (expresados en Ω) 120, 60, 40, 30, 20 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 Admite velocidades de transferencia de datos más altas
No se admite RTT LECTURA en modo de ráfagas Se inhabilita durante las lecturas en modo de ráfagas Facilidad de uso
Modos ODT Nominal, Dinámico Nominal, Dinámico, Park Modo de control adicional; cambio de valor OTF
Control ODT Se requiere señalización ODT No se requiere señalización ODT Facilidad de control ODT; permite enrutamiento sin ODT, aplicaciones PtP
Registro para múltiples propósitos Cuatro registros – 1 definido, 3 RFU Cuatro registros – 3 definidos, 1 RFU Proporciona una lectura especializada adicional
Tipos de DIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
Clavijas del DIMM 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS ECC CRC, Paridad, Direccionabilidad, GDM Más funciones RAS; integridad de datos mejorada
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