Decodificatore Part Number
Le seguenti informazioni sono state concepite appositamente per aiutare gli utenti a identificare le tipologie di moduli di memoria Kingston® HyperX® in base alle specifiche.
Glossario
Capacità
Indica il numero totale di celle di memoria presenti in un modulo, espresso in termini di Megabyte o Gigabyte.
Nel caso dei kit, il valore indicato rappresenta la capacità totale di tutti i moduli presenti nel kit.
Latenza CAS
Indica una delle più importanti tipologie di ritardo (espresso in cicli di clock) di latenza (tempo di attesa), durante la fase di accesso ai dati su un modulo di memoria.
Una volta eseguito il caricamento del comando di lettura o scrittura dati, oppure dopo il caricamento degli indirizzi di riga/colonna, la latenza CAS rappresenta il tempo di attesa finale richiesto affinché i dati siano pronti per il processo di lettura o scrittura.
DDR3
Indica le memorie SDRAM Double Data Rate (DDR) di terza generazione.
Analogamente alle memorie DDR2, anche le DDR3 rappresentano un'ulteriore evoluzione della tecnologia DDR, in grado di unire elevata velocità (fino a 1600 Mhz), bassi consumi e un'eccellente efficienza nella dissipazione del calore.
Le memorie di questo tipo rappresentano la soluzione ideale per i sistemi con processori dual e quad core particolarmente esigenti in termini di larghezza di banda utilizzata; inoltre, il basso consumo energetico si adatta perfettamente sia alle esigenze delle piattaforme server che a quelle delle piattaforme mobili.
DDR2
Indica la seconda generazione di memorie basate sulla tecnologia DDR.
I moduli di memoria DDR2 non sono retrocompatibili con gli alloggiamenti DDR di prima generazione a causa del voltaggio inferiore, delle differenti configurazioni dei pin e di altre incompatibilità in termini di tecnologia utilizzata dai chip di memoria.
Kit
Indica una confezione singola contenente moduli di memoria multipli:
K2 = indica un kit contenente 2 moduli.
Registrato
Indica un modulo di memoria contenente un chip di registrazione, utilizzato per le operazioni di relay e sincronizzazione degli indirizzi e dei segnali di controllo generati dal controller di memoria della scheda madre, e un chip di tipo Phase Locked Loop (PPL), utilizzato per distribuire il segnale di clock della scheda madre a tutti i chip DRAM.
Velocità
Indica la velocità di trasmissione dei dati o la velocità di clock effettiva supportata da un dato modulo di memoria.
TEMPO DI LATENZA
Le informazioni contenute nella sezione in basso hanno lo scopo di aiutare l'utente a identificare le configurazioni più indicate durante la regolazione dei timing di memoria nel BIOS della scheda madre, al fine di ottenere prestazioni ottimali.
Si noti che queste impostazioni possono variare in base ai modelli di scheda madre o alla versione del BIOS utilizzata.
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Abbreviazione
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Definizione
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Funzione svolta
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CL
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Latenza CAS
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Ritardo tra l'attivazione di riga e la lettura di riga
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tRCD
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RAS to CAS
(o ritardo da RAS a colonna)
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Attiva la riga
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tRP/tRCP
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Ritardo di precarica riga
(o ritardo di precarica RAS)
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Disattiva la riga
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tRA/tRD/tRAS
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Ritardo attivo di riga
(o Ritardo Attivo RAS o tempo di preparazione)
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Numero di cicli di clock e intervallo tra l'attivazione e la disattivazione della riga
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CMD Rate
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CMD Rate
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Ritardo tra la selezione del chip e l'esecuzione del comando
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Nota:
tutti i prodotti Kingston sono accuratamente testati, per garantirne la conformità alle specifiche tecniche indicate.
Alcuni sistemi o schede madre potrebbero non essere in grado di funzionare alle velocità e con i parametri di timing specificati per le memorie HyperX.
Kingston non raccomanda in alcun modo agli utenti di eseguire operazioni finalizzate a incrementare la velocità di funzionamento dei loro computer oltre i limiti di specifica indicati.
L'overclocking e la modifica dei parametri di timing dei sistemi può causare danni ai componenti.