DDR4 – przegląd

W świecie wymagającym od pamięci wyższej wydajności i przepustowości, w którym pamięci DDR3 osiągają granice możliwości, pojawiła się nowa generacja pamięci DDR SDRAM. Pamięci DDR4 zapewniają wyższą wydajność, wyższe pojemności modułów DIMM, lepszą integralność danych oraz niższy pobór mocy.

Dzięki przepustowości przekraczającej 2 Gb/s na styk oraz zużyciu energii niższemu niż w przypadku modułów DDR3L (pamięci DDR3 o niskim poborze energii) pamięci DDR4 zapewniają wzrost wydajności i przepustowości o nawet 50% przy jednoczesnym zmniejszeniu poboru mocy całego systemu komputerowego. Stanowi to istotną poprawę w stosunku do poprzednich technologii pamięci – oszczędności energii mogą sięgać 40%.

Oprócz zoptymalizowanej wydajności i bardziej ekologicznego i oszczędnego podejścia do tworzenia systemów komputerowych pamięć DDR4 oferuje też funkcję cyklicznych kontroli nadmiarowych (CRC), która zapewnia zwiększoną niezawodność danych, zintegrowaną detekcję parzystości umożliwiającą weryfikację integralności ‘‘komend i adresów przesyłanych za pośrednictwem połączeń, poprawioną integralność sygnału oraz inne zaawansowane funkcje RAS.

not found
Krótki opis technologii
not found
DDR4 – szczegóły

Uwaga! Moduły DDR3 i DDR4 nieznacznie się różnią.

Inne położenie wycięcia w płytce

Wycięcie w płytce w module DDR4 znajduje się w innym miejscu niż w module DDR3. Obydwa wycięcia znajdują się na krawędzi wiodącej, jednak w przypadku pamięci DDR4 wycięcie znajduje się w nieco innym miejscu, tak aby moduł nie mógł zostać zainstalowany na niekompatybilnej płycie głównej lub platformie.

Zwiększona grubość

Ze względu na większą liczbę warstw sygnałowych moduły DDR4 są nieco grubsze od modułów DDR3.

Zakrzywiona krawędź

Moduły DDR4 mają zakrzywioną krawędź, dzięki czemu można je łatwiej umieszczać w gnieździe, nie narażając płytki drukowanej na nadmierne naprężenia.

Krótki opis parametrów
Opis DDR3 DDR4 Zaleta
Gęstości chipów 512Mb-8Gb 4Gb-16Gb Większe pojemności DIMM
Szybkości przesyłu danych 800Mb/s – 2133Mb/s 1600Mb/s – 3200Mb/s Migracja do szybszego systemu I/O
Napięcie 1,5V 1,2V Zmniejszony pobór energii przez pamięć
Standard niskiego napięcia Tak (DDR3L przy 1,35 V) Przewidywane 1,1 V Zmniejszenie poboru energii przez pamięć
Banki wewnętrzne 8 16 Więcej banków
Grupy banków (BG) 0 4 Szybsze dostępy w trybie seryjnym
Wejścia VREF 2 – DQ i CMD/ADDR 1 – CMD/ADDR VREFDQ – teraz wewnętrzne
tCK – obsługa DLL 300MHz – 800MHz 667MHz – 1,6GHz Wyższe szybkości przesyłu danych
tCK – bez obsługi DLL 10–125 MHz (opcjonalne) do 125 MHz (nie określono limitu dolnego) Teraz z pełną obsługą wyłączenia DLL
Latencja odczytu AL + CL AL + CL Wartości rozszerzone
Latencja zapisu AL + CWL AL + CWL Wartości rozszerzone
Sterownik DQ (ALT) 40 Ω 48 Ω Optymalna dla zastosowań PtP
Magistrala DQ SSTL15 POD12 Mniejszy szum i niższy pobór energii przez I/O
Wartości RTT (w Ω) 120, 60, 40, 30, 20 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 Obsługa wyższych szybkości przesyłu danych
RTT niedozwolone ODCZYT seryjny Wyłączane w trakcie odczytów seryjnych Łatwość obsługi
Tryby ODT Nominalny, dynamiczny Nominalny, dynamiczny, parkowanie Dodatkowy tryb kontroli; zmiana wartości OTF
Kontrola ODT Wymagana sygnalizacja ODT Sygnalizacja ODT niewymagana Łatwość kontroli ODT; możliwe trasowanie non-ODT, aplikacje PtP
Uniwersalny rejestr 4 rejestry – 1 zdefiniowany, 3 RFU 4 rejestry – 1 zdefiniowany, 1 RFU Zapewnia dodatkowy odczyt specjalistyczny
Typy pamięci DIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM, SODIMM
Styki DIMM 240 (R, LR, U); 204 (SODIMM) 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS ECC CRC, parzystość, adresowalność, GDM Więcej funkcji RAS; zwiększona integralność danych
        Back To Top