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Moduli DRAM Design-in per progettisti di sistemi e assemblatori

Realizzati in conformità alle specifiche JEDEC (standard di settore), con soluzioni DDR3, DDR3L, DDR4, and DDR5 non-ECC DIMM e SODIMM senza buffer{{Footnote.A66696}} con classi di temperatura commerciali.

  • BOM controllate - Garanzia di coerenza lungo l'intero ciclo di vita del prodotto (DRAM, PCB).
  • Supporto PCN - Invio di notifiche di modifica prodotto 90 giorni prima della fine del ciclo di vita del prodotto.
  • Supporto tecnico - Team di supporto tecnico regionali, per la massima rapidità di risposta.
  • Gestione del ciclo di vita - Previsioni trimestrali con visibilità roadmap di prodotto 8Q.
  • Analisi dei problemi - Supporto di livello 1/2.
  • Garanzia{{Footnote.A66697}} – Garanzia di cinque anni, con servizio di supporto tecnico gratuito compreso.

Richiedi informazioni

Opzioni dei moduli in-design

Tipo di memoria

 
Velocità (MT/s)
Capacità
Organizzazione DRAM
Densità DRAM
Rank del modulo
Tipo di modulo
Opzioni VLP
Opzione hard gold{{Footnote.A66698}}
DDR3 1,5 V
DDR3 1,5 V
1600
4GB
512Mx8
4 Gbit
1R
DIMM/SODIMM
DDR3 1,5 V
DDR3 1,5 V
1600
8GB
512Mx8
4 Gbit
2R
DIMM/SODIMM
DDR3L 1,35 V
DDR3L 1,35 V
1600
4GB
512Mx8
4 Gbit
1R
DIMM/SODIMM
DDR3L 1,35 V
DDR3L 1,35 V
1600
8GB
512Mx8
4 Gbit
2R
DIMM/SODIMM
DDR4 1,2 V
DDR4 1,2 V
2666/3200
4GB
512Mx16
8 Gbit
1R
DIMM/SODIMM
DDR4 1,2 V
DDR4 1,2 V
2666/3200
8GB
1Gx8
8 Gbit
1R
DIMM/SODIMM
DDR4 1,2 V
DDR4 1,2 V
2666/3200
16GB
1Gx8
8 Gbit
2R
DIMM/SODIMM
DDR4 1,2 V
DDR4 1,2 V
2666/3200
8GB
1Gx16
16 Gbit
1R
DIMM/SODIMM
DDR4 1,2 V
DDR4 1,2 V
2666/3200
16GB
2Gx16
16 Gbit
1R
DIMM/SODIMM
DDR4 1,2 V
DDR4 1,2 V
2666/3200
32GB
2Gx16
16 Gbit
2R
DIMM/SODIMM
DDR5 1.1V
DDR5 1.1V
4800/5200/5600
8GB
1Gx16
16 Gbit
1R
DIMM/SODIMM
No
DDR5 1,1 V
DDR5 1,1 V
4800/5200/5600
16GB
2Gx8
16 Gbit
1R
DIMM/SODIMM
No
DDR5 1,1 V
DDR5 1,1 V
4800/5200/5600
32GB
2Gx8
16 Gbit
2R
DIMM/SODIMM
No
 
DDR3 1,5 V
DDR3 1,5 V
DDR3L 1,35 V
DDR3L 1,35 V
DDR4 1,2 V
DDR4 1,2 V
DDR4 1,2 V
DDR4 1,2 V
DDR4 1,2 V
DDR4 1,2 V
DDR5 1.1V
DDR5 1,1 V
DDR5 1,1 V